Actualmente, as impresoras 3D (dispositivos de fabricación aditiva) están a evolucionar rapidamente, moi utilizadas nos campos de fabricación, médico e educativo. No futuro, con velocidades de impresión máis rápidas e unha maior variedade de materiais, espérase que a impresión 3D sexa máis diversificada e xeneralizada, especialmente na produción personalizada e na fabricación de estruturas complexas.
Nas impresoras 3D (dispositivos de fabricación aditiva), o uso de MOSFET enfróntase principalmente a desafíos como a disipación de calor, especialmente durante a impresión de alta velocidade e longa duración. Ademais,MOSFETs son sensibles ás flutuacións de tensión, que poden afectar á precisión da impresión. O custo e o tamaño tamén son consideracións no deseño e mantemento. UsandoWINSOKMOSFET pode axudarche a resolver os problemas anteriores.
A aplicación de WINSOK MOSFET en impresoras 3D, principais modelos de aplicación:
| Número de peza | Configuración | Tipo | VDS | ID (A) | VGS(th)(v) | RDS(ON)(mΩ) | Ciss | Paquete | |||
| @10V | |||||||||||
| (V) | Máx. | Min. | Típ. | Máx. | Típ. | Máx. | (pF) | ||||
| Solteiro | N-Ch | 30 | 7 | 0,5 | 0,8 | 1.2 | - | - | 572 | SOT-23-3L | |
| Solteiro | N-Ch | 30 | 100 | 1.5 | 1.8 | 2.5 | 3.3 | 4 | 1350 | DFN5X6-8 | |
| Solteiro | N-Ch | 30 | 43 | 1.2 | 1.5 | 2.5 | 10 | 12 | 940 | TO-252 | |
| Solteiro | N-Ch | 30 | 85 | 1 | 1.5 | 2.5 | 4.5 | 5.5 | 2295 | TO-252 | |
| Solteiro | N-Ch | 30 | 160 | 1.5 | 1.9 | 2.5 | 2.3 | 3 | 2450 | TO-252 | |
| Solteiro | N-Ch | 60 | 50 | 1.2 | 1.8 | 2.5 | 20 | 23 | 1680 | TO-252 | |
| Solteiro | N-Ch | 60 | 60 | 1 | 1.8 | 3 | 10 | 12 | 1896 | TO-252 | |
| Solteiro | N-Ch | 40 | 180 | 2 | 3 | 4 | 3 | 3.6 | 4426 | TO-263 | |
| Solteiro | N-Ch | 40 | 220 | 2 | 3 | 4 | 2.5 | 3.2 | 5710 | TO-263 | |
Outros números de material de marca correspondentes ao MOSFET WINSOK anterior son:
Os números de materiais correspondentes de WINSOK MOSFET WST3400 son: WST3400AOS AO3400,AO3400A,AO3404.Onsemi,FAIRCHILD FDN537N.NIKO-SEM P3203CMG.Potens Semiconductor PDN3912S.DINTEK3406.
Os números de materiais correspondentes de WINSOK MOSFET WSD30100DN56 son: WSD30100DN56AOS AON6354,AON6572,AON6314,AON6502,AON6510.Onsemi,FAIRCHILD NTMFS4946N.VISHAY, SiRA3890DPSicroDPSiDR. ronics STL65DN3LLH5, STL58N3LLH5.INFINEON,IR BSC014N03LSG,BSC016N03LSG,BSC014N03MSG,BSC016N03MSG .NXP NXPPSMN7R0-30YL.PANJIT PJQ5424.NIKO-SEM PK698SA.Potens Semiconductor PDC3960X.
Os números de materiais correspondentes de WINSOK MOSFET WSF3040 son: WSF3040AOS AOD32326,AOD418,AOD514,AOD516,AOD536,AOD558.Onsemi,FAIRCHILD FDD6296.STMicroelectronics STD40NFINEON M1.PANJIT PJD45N03.Sinopower SM3117NSU,SM3119NAU.NIKO-SEM PD600BA.Potens Semiconductor PDD3910.DINTEK ELECTRONICS DTU40N03.
Os números de materiais correspondentes de WINSOK MOSFET WSF3085 son: WSF3085AOS AOD4132,AOD508,AOD518.Onsemi,FAIRCHILD FDD050N03B.STMicroelectronics STD100N3LF3.INFINEON,IR IPD031N03JN03. Sinopower SM3106NSU.NIKO-SEM PD548BA.Potens Semiconductor PDD3906.DINTEK ELECTRONICS DTU50N03 .
Os números de materiais correspondentes de WINSOK MOSFET WSF30160 son: WSF30160Onsemi, FAIRCHILD FDD8870.INFINEON, IR IRLR7843.
Os números de materiais correspondentes de WINSOK MOSFET WSF40N06 son:WSF40N06AOS AOD2606,AOD2610E,AOD442G,AOD66620.Onsemi,FAIRCHILD FDD10AN06A0.VISHAY SUD50N06-09LNFL0 6L3G.TOSHIBA TK45S06K3L.PANJIT PJD45N06A.Sinopower SM6019NSU.Potens Semiconductor PDD6904. DINTEK ELECTRONICS DTU50N06.
Os números de materiais correspondentes de WINSOK MOSFET WSF60N06 son: WSF60N06AOS AOD2606,AOD2610E,AOD442G,AOD66620.STMicroelectronics STD20NF06LAG,STD20NF06LAG.INFINEON,IR.IRTOSPHI06ANK60 0N06.Potens Semiconductor PDD6960.DINTEK ELECTRONICS DTU55N06.
Os números de materiais correspondentes de WINSOK MOSFET WSK180N04 son: WSK180N04AOS AOB1404L,AOB2140L,AOB2144L.STMicroelectronics STH160N4LF6-2.Nxperian PSMN1R1-40BS.Texas Instruments CKSD190.
Os números de materiais correspondentes de WINSOK MOSFET WSK220N04 son: WSK220N04AOS AOB1404L,AOB2140L,AOB2144L.Onsemi,FAIRCHILD FDB8443.STMicroelectronics STB55NF06L.Potens Semiconductor PDH4970.
Hora de publicación: Dec-01-2023
