-
A diferenza entre MOSFET de canle N e MOSFET de canle P! Axúdache a escoller mellor os fabricantes de MOSFET!
Os deseñadores de circuítos deben ter en conta unha pregunta á hora de escoller MOSFET: deberían escoller MOSFET de canle P ou MOSFET de canle N? Como fabricante, debes querer que os teus produtos compitan con outros comerciantes a prezos máis baixos e todos...Ler máis -
Explicación detallada do diagrama de principio de funcionamento de MOSFET | Análise da estrutura interna do FET
MOSFET é un dos compoñentes máis básicos da industria de semicondutores. Nos circuítos electrónicos, MOSFET úsase xeralmente en circuítos de amplificadores de potencia ou circuítos de fonte de alimentación conmutada e úsase amplamente. A continuación, OLUKEY darache un...Ler máis -
Olukey explica os parámetros de MOSFET para ti!
Como un dos dispositivos máis básicos no campo dos semicondutores, MOSFET é amplamente utilizado tanto en deseño de IC como en aplicacións de circuítos a nivel de placa. Entón, canto sabes sobre os distintos parámetros de MOSFET? Como especialista en medios e baixos...Ler máis -
Olukey: Falemos do papel do MOSFET na arquitectura básica de carga rápida
A estrutura básica da fonte de alimentación de QC de carga rápida usa flyback + lado secundario (secundario) rectificación síncrona SSR. Para os conversores flyback, segundo o método de mostraxe de retroalimentación, pódese dividir en: lado primario (primario...Ler máis -
Canto sabes sobre os parámetros MOSFET? OLUKEY analízao por ti
"MOSFET" é a abreviatura de Metal Oxide Semicoductor Field Effect Transistor. É un dispositivo feito de tres materiais: metal, óxido (SiO2 ou SiN) e semicondutor. MOSFET é un dos dispositivos máis básicos no campo dos semicondutores. ...Ler máis -
Como elixir MOSFET?
Recentemente, cando moitos clientes veñen a Olukey para consultar sobre MOSFET, farán unha pregunta, como elixir un MOSFET adecuado? Respecto a esta pregunta, Olukey responderaa para todos. En primeiro lugar, necesitamos entender o príncipe...Ler máis -
Principio de funcionamento do modo de mellora da canle N MOSFET
(1) O efecto de control de vGS na ID e na canle ① Caso de vGS=0 Pódese ver que hai dúas unións PN entre o dreno d e a fonte s do MOSFET en modo de mellora. Cando a tensión da fonte-porta vGS=0, aínda que o...Ler máis -
A relación entre os envases MOSFET e os parámetros, como elixir os FET con embalaxes axeitados
①Embalaxe enchufable: TO-3P, TO-247, TO-220, TO-220F, TO-251, TO-92; ②Tipo de montaxe en superficie: TO-263, TO-252, SOP-8, SOT-23, DFN5*6, DFN3*3; Diferentes formas de envasado, o correspondente límite de corrente, tensión e efecto de disipación de calor de MO...Ler máis -
Que significan os tres pinos G, S e D do MOSFET empaquetado?
Este é un sensor infravermello piroeléctrico MOSFET empaquetado. O marco rectangular é a xanela de detección. O pin G é o terminal de terra, o pin D é o drenaxe interno do MOSFET e o pin S é a fonte interna do MOSFET. No circuíto,...Ler máis -
A importancia do MOSFET de potencia no desenvolvemento e deseño da placa base
Primeiro de todo, a disposición do socket da CPU é moi importante. Debe haber espazo suficiente para instalar o ventilador da CPU. Se está demasiado preto do bordo da placa base, será difícil instalar o radiador da CPU nalgúns casos nos que o...Ler máis -
Fala brevemente sobre o método de produción dun dispositivo de disipación de calor MOSFET de alta potencia
Plan específico: un dispositivo de disipación de calor MOSFET de alta potencia, incluíndo unha carcasa de estrutura oca e unha placa de circuíto. A placa de circuíto está disposta na carcasa. Un número de MOSFET lado a lado están conectados a ambos os extremos do circuíto...Ler máis -
Paquete FET DFN2X2 de un único canal P 20V-40V modelo arranxo_WINSOK MOSFET
O paquete WINSOK MOSFET DFN2X2-6L, FET de canle P único, os modelos de voltaxe 20V-40V resúmense do seguinte xeito: 1. Modelo: WSD8823DN22 canle P único -20V -3.4A, resistencia interna 60mΩ Modelos correspondentes: AOS:AON2403 ON Semiconductor: FDM ...Ler máis
