MOSFET RS1E281BN RS1E280BN RS1E280GN RS1E301GN RS1E321GN RS1E350BN RS1E350GN PK610SA PK510BA
Visión xeral do produto MOSFET
A tensión BVDSS de ROHM RS1E281BN é de 30 V, o ID actual é de 80 A e a resistencia interna RDSON é de 2,3 mΩ.
A tensión BVDSS de ROHM RS1E280BN é de 30 V, o ID actual é de 80 A e a resistencia interna RDSON é de 2,3 mΩ.
A tensión BVDSS do ROHM RS1E280GN é de 30 V, o ID actual é de 80 A e a resistencia interna RDSON é de 2,6 mΩ.
A tensión BVDSS do ROHM RS1E301GN é de 30 V, o ID actual é de 80 A e a resistencia interna RDSON é de 2,2 mΩ.
A tensión BVDSS de ROHM RS1E321GN é de 30 V, o ID actual é de 80 A e a resistencia interna RDSON é de 2,1 mΩ.
A tensión BVDSS de ROHM RS1E350BN é de 30 V, o ID actual é de 80 A e a resistencia interna RDSON é de 1,7 mΩ.
A tensión BVDSS do ROHM RS1E350GN é de 30 V, o ID actual é de 80 A e a resistencia interna RDSON é de 1,76 mΩ.
A tensión BVDSS do NIKO PK610SA é de 30 V, o ID actual é de 83 A e a resistencia interna RDSON é de 2,8 mΩ.
A tensión BVDSS do NIKO PK510BA é de 30 V, o ID actual é de 86 A e a resistencia interna RDSON é de 3,3 mΩ.
número de material correspondente
A tensión BVDSS de WINSOK WSD30140DN56 FET é de 30 V, o ID actual é de 85 A, a resistencia interna RDSON é de 1,7 mΩ, canle N e o paquete é DFN5 * 6-8.
Campos de aplicación MOSFET
FET de cigarros electrónicos, FET de carga sen fíos, FET de drones, FET médicos, FET de carga de coches, FET de controlador, FET de produtos dixitais, FET de pequenos electrodomésticos, FET de electrónica de consumo, etc.
