WSD100N06GDN56 N-canle 60V 100A DFN5X6-8 MOSFET WINSOK
Visión xeral do produto WINSOK MOSFET
A tensión do MOSFET WSD100N06GDN56 é de 60 V, a corrente é de 100 A, a resistencia é de 3 mΩ, a canle é de canle N e o paquete é DFN5X6-8.
Áreas de aplicación WINSOK MOSFET
Fontes de alimentación médica MOSFET, PDs MOSFET, drones MOSFET, cigarros electrónicos MOSFET, grandes electrodomésticos MOSFET e ferramentas eléctricas MOSFET.
WINSOK MOSFET corresponde a outros números de material da marca
AOS MOSFET AON6264C,AON6264E,AON6266E,AONS6662.STMicroelectronics MOSFET STL13N6F7,STL14N6F7.PANJIT MOSFET PSMQC33N6NS1.POTENS Semiconductor MOSFET PDC692.
Parámetros MOSFET
| Símbolo | Parámetro | Valoración | Unidades | ||
| VDS | Tensión drenaxe-fonte | 60 | V | ||
| VGS | Tensión porta-fonte | ± 20 | V | ||
| ID1,6 | Corrente de drenaxe continua | TC = 25 °C | 100 | A | |
| TC = 100 °C | 65 | ||||
| IDM2 | Corrente de drenaxe pulsada | TC = 25 °C | 240 | A | |
| PD | Disipación de potencia máxima | TC = 25 °C | 83 | W | |
| TC = 100 °C | 50 | ||||
| IAS | Corrente de avalancha, pulso único | 45 | A | ||
| EAS3 | Enerxía de avalancha de pulso único | 101 | mJ | ||
| TJ | Temperatura máxima de unión | 150 | ℃ | ||
| TSTG | Rango de temperatura de almacenamento | -55 a 150 | ℃ | ||
| RθJA1 | Resistencia térmica Unión a ambiente | Estado estacionario | 55 | ℃/W | |
| RθJC1 | Resistencia térmica-unión a carcasa | Estado estacionario | 1.5 | ℃/W | |
| Símbolo | Parámetro | Condicións | Min. | Típ. | Máx. | Unidade | |
| Estática | |||||||
| V(BR)DSS | Tensión de avaría drenaxe-fonte | VGS = 0 V, ID = 250 μA | 60 | V | |||
| IDSS | Corriente de drenaxe de voltaxe de porta cero | VDS = 48 V, VGS = 0 V | 1 | µA | |||
| TJ= 85 °C | 30 | ||||||
| IGSS | Corrente de fuga de porta | VGS = ±20 V, VDS = 0 V | ± 100 | nA | |||
| Sobre as características | |||||||
| VGS(TH) | Tensión límite de porta | VGS = VDS, IDS = 250 µA | 1.2 | 1.8 | 2.5 | V | |
| RDS (activado)2 | Resistencia de estado de drenaxe-fonte | VGS = 10 V, ID = 20 A | 3.0 | 3.6 | mΩ | ||
| VGS = 4,5 V, ID = 15 A | 4.4 | 5.4 | mΩ | ||||
| Cambio | |||||||
| Qg | Cargo total de porta | VDS = 30 V VGS = 10 V ID=20A | 58 | nC | |||
| Qgs | Carga Gate-Sour | 16 | nC | ||||
| Qgd | Carga por drenaxe | 4.0 | nC | ||||
| td (activado) | Tempo de atraso de activación | VGEN=10V VDD = 30 V ID=20A RG=Ω | 18 | ns | |||
| tr | Tempo de subida de activación | 8 | ns | ||||
| td (desactivado) | Tempo de atraso de apagado | 50 | ns | ||||
| tf | Tempo de outono de desactivación | 11 | ns | ||||
| Rg | Gat resistencia | VGS=0V, VDS=0V, f=1MHz | 0,7 | Ω | |||
| Dinámico | |||||||
| Ciss | En capacitancia | VGS=0V VDS=30V f=1MHz | 3458 | pF | |||
| Coss | Capacidade de saída | 1522 | pF | ||||
| Crs | Capacidade de transferencia inversa | 22 | pF | ||||
| Características do díodo drenaxe-fonte e valoracións máximas | |||||||
| IS1,5 | Fonte de corrente continua | VG=VD=0V, corrente de forza | 55 | A | |||
| ISM | Fonte de corrente pulsada 3 | 240 | A | ||||
| VSD2 | Tensión directa do diodo | ISD = 1 A, VGS = 0 V | 0,8 | 1.3 | V | ||
| trr | Tempo de recuperación inversa | ISD= 20A, dlSD/dt=100A/µs | 27 | ns | |||
| Qrr | Cargo de recuperación inversa | 33 | nC | ||||
