WSD2090DN56 N-canle 20V 80A DFN5*6-8 MOSFET WINSOK

WSD2090DN56 N-channel 20V 80A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET Imaxe destacada

Descrición curta:

Número de modelo:WSD2090DN56

BVDSS:20 V

RDSON:2,8 mΩ

ID:80A

Canle:Canle N

Paquete:DFN5*6-8

Produto de verán:A tensión do MOSFET WSD2090DN56 é de 20 V, a corrente é de 80 A, a resistencia é de 2,8 mΩ, a canle é de canle N e o paquete é DFN5 * 6-8.

Aplicacións:Cigarros electrónicos, drons, ferramentas eléctricas, armas de fascia, PD, pequenos electrodomésticos, etc.

Envíanos un correo electrónico PDF

Detalle do produto

Aplicación

Etiquetas de produtos

Descrición xeral

O WSD2090DN56 é o MOSFET N-Ch de trincheira de maior rendemento cunha densidade de células extremadamente alta, que proporciona unha excelente carga RDSON e de porta para a maioría das aplicacións de conversor buck síncrono.O WSD2090DN56 cumpre os requisitos de RoHS e produtos ecolóxicos 100 % EAS garantido coa fiabilidade da función completa aprobada.

características

Tecnoloxía avanzada de trincheiras de alta densidade de células, carga de porta súper baixa, excelente diminución do efecto CdV/dt, 100% garantido por EAS, dispositivo verde dispoñible

Aplicacións

Interruptor, sistema de alimentación, interruptor de carga, cigarros electrónicos, drons, ferramentas eléctricas, pistolas fascia, PD, pequenos electrodomésticos, etc.

número de material correspondente

AOS AON6572

Parámetros importantes

Valoracións máximas absolutas (TC=25℃ salvo que se indique o contrario)

Símbolo	Parámetro	Máx.	Unidades
VDSS	Tensión drenaxe-fonte	20	V
VGSS	Tensión porta-fonte	± 12	V
ID@TC=25℃	Corriente de drenaxe continua, VGS @ 10V1	80	A
ID@TC=100℃	Corriente de drenaxe continua, VGS @ 10V1	59	A
IDM	Nota de corrente de drenaxe pulsada 1	360	A
EAS	Nota de enerxía de avalancha única pulsada 2	110	mJ
PD	Disipación de potencia	81	W
RθJA	Resistencia térmica, unión a carcasa	65	℃/W
RθJC	Resistencia térmica Unión-Caso 1	4	℃/W
TJ, TSTG	Rango de temperatura de funcionamento e almacenamento	-55 a +175	℃

Características eléctricas (TJ=25 ℃, a non ser que se indique o contrario)

Símbolo	Parámetro	Condicións	Min	Típ	Máx	Unidades
BVDSS	Tensión de avaría drenaxe-fonte	VGS=0V, ID=250μA	20	24	---	V
△BVDSS/△TJ	Coeficiente de temperatura BVDSS	Referencia a 25℃, ID=1mA	---	0,018	---	V/℃
VGS(th)	Tensión límite de porta	VDS= VGS, ID=250μA	0,50	0,65	1.0	V
RDS(ON)	Resistencia de drenaxe-fonte estático	VGS=4,5V, ID=30A	---	2.8	4.0	mΩ
RDS(ON)	Resistencia de drenaxe-fonte estático	VGS=2,5V, ID=20A	---	4.0	6.0	mΩ
IDSS	Corriente de drenaxe de voltaxe de porta cero	VDS=20V,VGS=0V	---	---	1	μA
IGSS	Corrente de fuga porta-corpo	VGS=±10V, VDS=0V	---	---	± 100	nA
Ciss	Capacidade de entrada	VDS=10V,VGS=0V,f=1MHZ	---	3200	---	pF
Coss	Capacidade de saída		---	460	---
Crs	Capacidade de transferencia inversa		---	446	---
Qg	Cargo total de porta	VGS=4,5V,VDS=10V,ID=30A	---	11.05	---	nC
Qgs	Cargo de porta-fonte		---	1,73	---
Qgd	Carga por drenaxe		---	3.1	---
tD (activado)	Tempo de atraso de activación	VGS=4,5V, VDS=10V, ID=30ARGEN=1,8Ω	---	9.7	---	ns
tr	Tempo de subida de activación		---	37	---
tD (desactivado)	Tempo de atraso de apagado		---	63	---
tf	Tempo de caída de apagado		---	52	---
VSD	Tensión directa do diodo	IS = 7,6 A, VGS = 0 V	---	---	1.2	V