WSD25280DN56G N-canle 25V 280A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
Visión xeral do produto WINSOK MOSFET
A tensión do MOSFET WSD25280DN56G é de 25 V, a corrente é de 280 A, a resistencia é de 0,7 mΩ, a canle é de canle N e o paquete é DFN5X6-8.
Áreas de aplicación WINSOK MOSFET
Sincrónico de punto de carga de alta frecuencia、Buck Converter、Sistema de alimentación DC-DC en rede、Aplicación de ferramentas eléctricas,E-cigarros MOSFET, MOSFET de carga sen fíos, drones MOSFET, MOSFET de atención médica, cargadores de coche MOSFET, controladores MOSFET, produtos dixitais MOSFET, pequenos electrodomésticos MOSFET, MOSFET de electrónica de consumo.
WINSOK MOSFET corresponde a outros números de material da marca
Nxperian MOSFET PSMN1R-4ULD.
POTENS Semiconductor MOSFET PDC262X.
Parámetros MOSFET
| Símbolo | Parámetro | Valoración | Unidades |
| VDS | Tensión drenaxe-fonte | 25 | V |
| VGS | Porta-Source Tensión | ±20 | V |
| ID@TC= 25℃ | Corrente de drenaxe continua（Silicon Limited）1,7 | 280 | A |
| ID@TC= 70℃ | Corrente de drenaxe continua (Silicon Limited）1,7 | 190 | A |
| IDM | Corrente de drenaxe pulsada2 | 600 | A |
| EAS | Enerxía de avalancha de pulso único3 | 1200 | mJ |
| IAS | Corrente de avalancha | 100 | A |
| PD@TC= 25℃ | Disipación total de potencia4 | 83 | W |
| TSTG | Rango de temperatura de almacenamento | -55 a 150 | ℃ |
| TJ | Rango de temperatura da unión de funcionamento | -55 a 150 | ℃ |
| Símbolo | Parámetro | Condicións | Min. | Típ. | Máx. | Unidade |
| BVDSS | Tensión de avaría drenaxe-fonte | VGS= 0 V, ID= 250 uA | 25 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSSCoeficiente de temperatura | Referencia 25℃, euD= 1 mA | --- | 0,022 | --- | V/℃ |
| RDS(ON) | Resistencia de drenaxe-fonte estático2 | VGS= 10 V, ID= 20A | --- | 0,7 | 0,9 | mΩ |
| VGS= 4,5 V, ID= 20A | --- | 1.4 | 1.9 | |||
| VGS(th) | Tensión límite de porta | VGS=VDS, euD= 250 uA | 1.0 | --- | 2.5 | V |
| △VGS (th) | VGS (th)Coeficiente de temperatura | --- | -6.1 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Corrente de fuga drenaxe-fonte | VDS= 20 V, VGS= 0 V, TJ= 25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS= 20 V, VGS= 0 V, TJ= 55℃ | --- | --- | 5 | |||
| IGSS | Corrente de fuga da fonte | VGS=±20 V, VDS= 0 V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Transcondutividade directa | VDS= 5 V, ID= 10A | --- | 40 | --- | S |
| Rg | Resistencia de porta | VDS= 0 V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 3.8 | 1.5 | Ω |
| Qg | Carga total da porta (4,5 V) | VDS= 15 V, VGS= 4,5 V, ID= 20A | --- | 72 | --- | nC |
| Qgs | Cargo de porta-fonte | --- | 18 | --- | ||
| Qgd | Carga por drenaxe | --- | 24 | --- | ||
| Td (activado) | Tempo de atraso de activación | VDD= 15 V, VGEN= 10 V, RG=1Ω, euD= 10A | --- | 33 | --- | ns |
| Tr | Tempo de subida | --- | 55 | --- | ||
| Td (desactivado) | Tempo de atraso de apagado | --- | 62 | --- | ||
| Tf | Tempo de outono | --- | 22 | --- | ||
| Ciss | Capacidade de entrada | VDS= 15 V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 7752 | --- | pF |
| Coss | Capacidade de saída | --- | 1120 | --- | ||
| Crss | Capacidade de transferencia inversa | --- | 650 | --- |
