WSD30140DN56 N-canle 30V 85A DFN5*6-8 MOSFET WINSOK

produtos

WSD30140DN56 N-canle 30V 85A DFN5*6-8 MOSFET WINSOK

breve descrición:


  • Número de modelo:WSD30140DN56
  • BVDSS:30 V
  • RDSON:1,7 mΩ
  • ID:85A
  • Canle:Canle N
  • Paquete:DFN5*6-8
  • Produto de verán:A tensión do MOSFET WSD30140DN56 é de 30 V, a corrente é de 85 A, a resistencia é de 1,7 mΩ, a canle é de canle N e o paquete é DFN5 * 6-8.
  • Aplicacións:Cigarros electrónicos, cargadores sen fíos, drons, atención médica, cargadores de coches, controladores, produtos dixitais, pequenos electrodomésticos, produtos electrónicos de consumo, etc.
  • Detalle do produto

    Aplicación

    Etiquetas de produtos

    Descrición xeral

    O WSD30140DN56 é o MOSFET de canle N de trincheira de maior rendemento cunha densidade de células moi alta que proporciona unha excelente RDSON e carga de porta para a maioría das aplicacións de conversor buck sincrónico. WSD30140DN56 cumpre cos requisitos de RoHS e produtos ecolóxicos, garantía 100% EAS, aprobada a fiabilidade da función completa.

    Características

    Tecnoloxía avanzada Trench de alta densidade de células, carga de porta ultra baixa, excelente atenuación do efecto CdV/dt, garantía 100% EAS, dispositivos verdes dispoñibles

    Aplicacións

    Sincronización do punto de carga de alta frecuencia, conversores buck, sistemas de alimentación DC-DC en rede, aplicacións de ferramentas eléctricas, cigarros electrónicos, carga sen fíos, drons, atención médica, carga de coches, controladores, produtos dixitais, pequenos electrodomésticos, electrónica de consumo

    número de material correspondente

    AO AON6312, AON6358, AON6360, AON6734, AON6792, AONS36314. EN NTMFS4847N. VISHAY SiRA62DP. ST STL86N3LLH6AG. INFINEON BSC050N03MSG. TI CSD17327Q5A, CSD17327Q5A, CSD17307Q5A. NXP PH2520U. TOSHIBA TPH4R803PL TPH3R203NL. ROHM RS1E281BN, RS1E280BN, RS1E280GN, RS1E301GN, RS1E321GN, RS1E350BN, RS1E350GN. PANJIT PJQ5410. AP AP3D5R0MT. NIKO PK610SA, PK510BA. POTENS PDC3803R

    Parámetros importantes

    Símbolo Parámetro Valoración Unidades
    VDS Tensión drenaxe-fonte 30 V
    VGS Tensión porta-fonte ± 20 V
    ID@TC=25℃ Corriente de drenaxe continua, VGS @ 10V1,7 85 A
    ID@TC=70℃ Corriente de drenaxe continua, VGS @ 10V1,7 65 A
    IDM Corrente de drenaxe pulsada 2 300 A
    PD@TC=25℃ Disipación total de potencia 4 50 W
    TSTG Rango de temperatura de almacenamento -55 a 150
    TJ Rango de temperatura da unión de funcionamento -55 a 150
    Símbolo Parámetro Condicións Min. Típ. Máx. Unidade
    BVDSS Tensión de avaría drenaxe-fonte VGS=0V, ID=250uA 30 --- --- V
    △BVDSS/△TJ Coeficiente de temperatura BVDSS Referencia a 25℃, ID=1mA --- 0,02 --- V/℃
    RDS(ON) Drenaxe-Fonte Estática-Resistencia 2 VGS=10V, ID=20A --- 1.7 2.4
    VGS=4,5V, ID=15A 2.5 3.3
    VGS(th) Tensión límite de porta VGS=VDS, ID=250uA 1.2 1.7 2.5 V
    Corrente de fuga drenaxe-fonte VDS=24V, VGS=0V, TJ=25℃ --- --- 1 uA
    IDSS VDS=24V, VGS=0V, TJ=55℃ --- --- 5
    IGSS Corrente de fuga da fonte VGS=±20V, VDS=0V --- --- ± 100 nA
    gfs Transcondutividade directa VDS=5V, ID=20A --- 90 --- S
    Qg Carga total da porta (4,5 V) VDS=15V, VGS=4,5V, ID=20A --- 26 --- nC
    Qgs Cargo de porta-fonte --- 9.5 ---
    Qgd Carga por drenaxe --- 11.4 ---
    Td (activado) Tempo de atraso de activación VDD=15V, VGEN=10V, RG=3Ω, RL=0,75Ω. --- 11 --- ns
    Tr Tempo de subida --- 6 ---
    Td (desactivado) Tempo de atraso de apagado --- 38.5 ---
    Tf Tempo de outono --- 10 ---
    Ciss Capacidade de entrada VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz --- 3000 --- pF
    Coss Capacidade de saída --- 1280 ---
    Crs Capacidade de transferencia inversa --- 160 ---

  • Anterior:
  • Seguinte:

  • Escribe aquí a túa mensaxe e envíanolo