WSD30150ADN56 N-channel 30V 145A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
Visión xeral do produto WINSOK MOSFET
A tensión do MOSFET WSD30150DN56 é de 30 V, a corrente é de 150 A, a resistencia é de 1,8 mΩ, a canle é de canle N e o paquete é DFN5X6-8.
Áreas de aplicación WINSOK MOSFET
E-cigarros MOSFET, carga sen fíos MOSFET, drones MOSFET, coidados médicos MOSFET, cargadores de coche MOSFET, controladores MOSFET, produtos dixitais MOSFET, pequenos electrodomésticos MOSFET, electrónica de consumo MOSFET.
WINSOK MOSFET corresponde a outros números de material da marca
AOS MOSFET AON6512,AONS3234.
Onsemi, MOSFET FAIRCHILD FDMC81DCCM.
MOSFET NXP PSMN1R7-3YL.
TOSHIBA MOSFET TPH1R43NL.
PANJIT MOSFET PJQ5428.
MOSFET NIKO-SEM PKC26BB,PKE24BB.
POTENS Semiconductor MOSFET PDC392X.
Parámetros MOSFET
| Símbolo | Parámetro | Valoración | Unidades |
| VDS | Tensión drenaxe-fonte | 30 | V |
| VGS | Porta-Source Tensión | ±20 | V |
| ID@TC= 25℃ | Corriente de drenaxe continua, VGS@ 10 V1,7 | 150 | A |
| ID@TC= 100℃ | Corriente de drenaxe continua, VGS@ 10 V1,7 | 83 | A |
| IDM | Corrente de drenaxe pulsada2 | 200 | A |
| EAS | Enerxía de avalancha de pulso único3 | 125 | mJ |
| IAS | Corrente de avalancha | 50 | A |
| PD@TC= 25℃ | Disipación total de potencia4 | 62.5 | W |
| TSTG | Rango de temperatura de almacenamento | -55 a 150 | ℃ |
| TJ | Rango de temperatura da unión de funcionamento | -55 a 150 | ℃ |
| Símbolo | Parámetro | Condicións | Min. | Típ. | Máx. | Unidade |
| BVDSS | Tensión de avaría drenaxe-fonte | VGS= 0 V, ID= 250 uA | 30 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSSCoeficiente de temperatura | Referencia 25℃, euD= 1 mA | --- | 0,02 | --- | V/℃ |
| RDS(ON) | Resistencia de drenaxe-fonte estático2 | VGS= 10 V, ID= 20A | --- | 1.8 | 2.4 | mΩ |
| VGS= 4,5 V, ID= 15A | 2.4 | 3.2 | ||||
| VGS(th) | Tensión límite de porta | VGS=VDS, euD= 250 uA | 1.4 | 1.7 | 2.5 | V |
| △VGS (th) | VGS (th)Coeficiente de temperatura | --- | -6.1 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Corrente de fuga drenaxe-fonte | VDS= 24 V, VGS= 0 V, TJ= 25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS= 24 V, VGS= 0 V, TJ= 55℃ | --- | --- | 5 | |||
| IGSS | Corrente de fuga da fonte | VGS=±20 V, VDS= 0 V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Transcondutividade directa | VDS= 5 V, ID= 10A | --- | 27 | --- | S |
| Rg | Resistencia de porta | VDS= 0 V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 0,8 | 1.5 | Ω |
| Qg | Carga total da porta (4,5 V) | VDS= 15 V, VGS= 4,5 V, ID= 30 A | --- | 26 | --- | nC |
| Qgs | Cargo de porta-fonte | --- | 9.5 | --- | ||
| Qgd | Carga por drenaxe | --- | 11.4 | --- | ||
| Td (activado) | Tempo de atraso de activación | VDD= 15 V, VGEN= 10 V, RG=6Ω, euD=1A, RL=15Ω. | --- | 20 | --- | ns |
| Tr | Tempo de subida | --- | 12 | --- | ||
| Td (desactivado) | Tempo de atraso de apagado | --- | 69 | --- | ||
| Tf | Tempo de outono | --- | 29 | --- | ||
| Ciss | Capacidade de entrada | VDS= 15 V, VGS=0V, f=1MHz | 2560 | 3200 | 3850 | pF |
| Coss | Capacidade de saída | 560 | 680 | 800 | ||
| Crss | Capacidade de transferencia inversa | 260 | 320 | 420 |
