WSD30300DN56G N-canle 30V 300A DFN5X6-8 MOSFET WINSOK
Visión xeral do produto WINSOK MOSFET
A tensión do MOSFET WSD20100DN56 é de 20 V, a corrente é de 90 A, a resistencia é de 1,6 mΩ, a canle é de canle N e o paquete é DFN5X6-8.
Áreas de aplicación WINSOK MOSFET
Cigarros electrónicos MOSFET, drones MOSFET, ferramentas eléctricas MOSFET, armas de fascia MOSFET, PD MOSFET, pequenos electrodomésticos MOSFET.
WINSOK MOSFET corresponde a outros números de material da marca
AOS MOSFET AON6572.
POTENS Semiconductor MOSFET PDC394X.
Parámetros MOSFET
| Símbolo | Parámetro | Valoración | Unidades |
| VDS | Tensión drenaxe-fonte | 20 | V |
| VGS | Tensión porta-fonte | ± 12 | V |
| ID@TC= 25 ℃ | Corrente de drenaxe continua1 | 90 | A |
| ID@TC= 100 ℃ | Corrente de drenaxe continua1 | 48 | A |
| IDM | Corrente de drenaxe pulsada2 | 270 | A |
| EAS | Enerxía de avalancha de pulso único3 | 80 | mJ |
| IAS | Corrente de avalancha | 40 | A |
| PD@TC= 25 ℃ | Disipación total de potencia4 | 83 | W |
| TSTG | Rango de temperatura de almacenamento | -55 a 150 | ℃ |
| TJ | Rango de temperatura da unión de funcionamento | -55 a 150 | ℃ |
| RθJA | Resistencia térmica Unión-ambiente1(t≦10S) | 20 | ℃/W |
| RθJA | Resistencia térmica Unión-ambiente1(Estado estacionario) | 55 | ℃/W |
| RθJC | Caja de unión de resistencia térmica1 | 1.5 | ℃/W |
| Símbolo | Parámetro | Condicións | Min | Típ | Máx | Unidade |
| BVDSS | Tensión de avaría drenaxe-fonte | VGS=0V, ID=250uA | 20 | 23 | --- | V |
| VGS(th) | Tensión límite de porta | VGS=VDS, ID=250uA | 0,5 | 0,68 | 1.0 | V |
| RDS(ON) | Resistencia de drenaxe-fonte estático2 | VGS=10V, ID=20A | --- | 1.6 | 2.0 | mΩ |
| RDS(ON) | Resistencia de drenaxe-fonte estático2 | VGS=4,5V, ID=20A | 1.9 | 2.5 | mΩ | |
| RDS(ON) | Resistencia de drenaxe-fonte estático2 | VGS=2,5V, ID=20A | --- | 2.8 | 3.8 | mΩ |
| IDSS | Corrente de fuga drenaxe-fonte | VDS=16V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=16V, VGS=0V, TJ=125℃ | --- | --- | 5 | |||
| IGSS | Corrente de fuga da fonte | VGS=±10V, VDS=0V | --- | --- | ± 10 | uA |
| Rg | Resistencia de porta | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 1.2 | --- | Ω |
| Qg | Carga total da porta (10 V) | VDS=15V, VGS=10V, ID=20A | --- | 77 | --- | nC |
| Qgs | Cargo de porta-fonte | --- | 8.7 | --- | ||
| Qgd | Carga por drenaxe | --- | 14 | --- | ||
| Td (activado) | Tempo de atraso de activación | VDD=15V, VGS=10V, RG=3, ID=20A | --- | 10.2 | --- | ns |
| Tr | Tempo de subida | --- | 11.7 | --- | ||
| Td (desactivado) | Tempo de atraso de apagado | --- | 56.4 | --- | ||
| Tf | Tempo de outono | --- | 16.2 | --- | ||
| Ciss | Capacidade de entrada | VDS=10V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 4307 | --- | pF |
| Coss | Capacidade de saída | --- | 501 | --- | ||
| Crs | Capacidade de transferencia inversa | --- | 321 | --- | ||
| IS | Fonte de corrente continua1,5 | VG=VD=0V, forza de corrente | --- | --- | 50 | A |
| VSD | Tensión directa do diodo2 | VGS=0V, IS=1A, TJ=25℃ | --- | --- | 1.2 | V |
| trr | Tempo de recuperación inversa | IF=20A, di/dt=100A/µs, TJ= 25℃ | --- | 22 | --- | nS |
| Qrr | Cargo de recuperación inversa | --- | 72 | --- | nC |
