WSD30350DN56G N-canle 30V 350A DFN5X6-8 MOSFET WINSOK

produtos

WSD30350DN56G N-canle 30V 350A DFN5X6-8 MOSFET WINSOK

breve descrición:

Número de peza:WSD30350DN56G

BVDSS:30 V

ID:350A

RDSON:0,48 mΩ 

Canle:Canle N

Paquete:DFN5X6-8


Detalle do produto

Aplicación

Etiquetas de produtos

Visión xeral do produto WINSOK MOSFET

A tensión do MOSFET WSD30350DN56G é de 30 V, a corrente é de 350 A, a resistencia é de 1,8 mΩ, a canle é de canle N e o paquete é DFN5X6-8.

Áreas de aplicación WINSOK MOSFET

E-cigarros MOSFET, MOSFET de carga sen fíos, drones MOSFET, MOSFET de coidados médicos, cargadores de coche MOSFET, controladores MOSFET, produtos dixitais MOSFET, pequenos electrodomésticos MOSFET, MOSFET de electrónica de consumo.

Parámetros MOSFET

Símbolo

Parámetro

Valoración

Unidades

VDS

Tensión drenaxe-fonte

30

V

VGS

Porta-Source Tensión

±20

V

ID@TC= 25

Corrente de drenaxe continuaSilicon Limited1,7

350

A

ID@TC= 70

Corrente de drenaxe continua (Silicon Limited1,7

247

A

IDM

Corrente de drenaxe pulsada2

600

A

EAS

Enerxía de avalancha de pulso único3

1800

mJ

IAS

Corrente de avalancha

100

A

PD@TC= 25

Disipación total de potencia4

104

W

TSTG

Rango de temperatura de almacenamento

-55 a 150

TJ

Rango de temperatura da unión de funcionamento

-55 a 150

 

Símbolo

Parámetro

Condicións

Min.

Típ.

Máx.

Unidade

BVDSS

Tensión de avaría drenaxe-fonte VGS= 0 V, ID= 250 uA

30

---

---

V

BVDSS/△TJ

BVDSSCoeficiente de temperatura Referencia 25, euD= 1 mA

---

0,022

---

V/

RDS(ON)

Resistencia de drenaxe-fonte estático2 VGS= 10 V, ID= 20A

---

0,48

0,62

mΩ
VGS= 4,5 V, ID= 20A

---

0,72

0,95

VGS(th)

Tensión límite de porta VGS=VDS, euD= 250 uA

1.2

1.5

2.5

V

VGS (th)

VGS (th)Coeficiente de temperatura

---

-6.1

---

mV/

IDSS

Corrente de fuga drenaxe-fonte VDS= 24 V, VGS= 0 V, TJ= 25

---

---

1

uA

VDS= 24 V, VGS= 0 V, TJ= 55

---

---

5

IGSS

Corrente de fuga da fonte VGS=±20 V, VDS= 0 V

---

---

±100

nA

gfs

Transcondutividade directa VDS= 5 V, ID= 10A

---

40

---

S

Rg

Resistencia de porta VDS= 0 V, VGS=0V, f=1MHz

---

3.8

1.5

Ω

Qg

Carga total da porta (4,5 V) VDS= 15 V, VGS= 4,5 V, ID= 20A

---

89

---

nC

Qgs

Cargo de porta-fonte

---

37

---

Qgd

Carga por drenaxe

---

20

---

Td (activado)

Tempo de atraso de activación VDD= 15 V, VGEN= 10 V,

RG=1Ω, euD= 10A

---

25

---

ns

Tr

Tempo de subida

---

34

---

Td (desactivado)

Tempo de atraso de apagado

---

61

---

Tf

Tempo de outono

---

18

---

Ciss

Capacidade de entrada VDS= 15 V, VGS=0V, f=1MHz

---

7845

---

pF

Coss

Capacidade de saída

---

4525

---

Crss

Capacidade de transferencia inversa

---

139

---


  • Anterior:
  • Seguinte:

  • Escribe aquí a túa mensaxe e envíanolo