WSD40110DN56G MOSFET WINSOK de canle N 40V 110A DFN5X6-8
Visión xeral do produto WINSOK MOSFET
A tensión do MOSFET WSD4080DN56 é de 40 V, a corrente é de 85 A, a resistencia é de 4,5 mΩ, a canle é de canle N e o paquete é DFN5X6-8.
Áreas de aplicación WINSOK MOSFET
Pequenos electrodomésticos MOSFET, electrodomésticos MOSFET, motores MOSFET.
WINSOK MOSFET corresponde a outros números de material da marca
AOS MOSFET AON623.STMicroelectronics MOSFET STL52DN4LF7AG,STL64DN4F7AG,STL64N4F7AG.PANJIT MOSFET PJQ5442.POTENS Semiconductor MOSFET PDC496X.
Parámetros MOSFET
| Símbolo | Parámetro | Valoración | Unidades |
| VDS | Tensión drenaxe-fonte | 40 | V |
| VGS | Porta-Source Tensión | ±20 | V |
| ID@TC= 25 ℃ | Corriente de drenaxe continua, VGS @ 10 V1 | 85 | A |
| ID@TC= 100 ℃ | Corriente de drenaxe continua, VGS @ 10 V1 | 58 | A |
| IDM | Corrente de drenaxe pulsada2 | 100 | A |
| EAS | Enerxía de avalancha de pulso único3 | 110.5 | mJ |
| IAS | Corrente de avalancha | 47 | A |
| PD@TC= 25 ℃ | Disipación total de potencia4 | 52.1 | W |
| TSTG | Rango de temperatura de almacenamento | -55 a 150 | ℃ |
| TJ | Rango de temperatura da unión de funcionamento | -55 a 150 | ℃ |
| RθJA | Resistencia térmica Unión-Ambiente1 | 62 | ℃/W |
| RθJC | Resistencia térmica Unión-Caja1 | 2.4 | ℃/W |
| Símbolo | Parámetro | Condicións | Min. | Típ. | Máx. | Unidade |
| BVDSS | Tensión de avaría drenaxe-fonte | VGS=0V, ID=250uA | 40 | --- | --- | V |
| RDS(ON) | Resistencia de drenaxe-fonte estático2 | VGS=10V, ID=10A | --- | 4.5 | 6.5 | mΩ |
| VGS=4,5V, ID=5A | --- | 6.4 | 8.5 | |||
| VGS(th) | Tensión límite de porta | VGS=VDS, ID=250uA | 1.0 | --- | 2.5 | V |
| IDSS | Corrente de fuga drenaxe-fonte | VDS=32V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=32V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | 5 | |||
| IGSS | Corrente de fuga da fonte | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ± 100 | nA |
| gfs | Transcondutividade directa | VDS=10V, ID=5A | --- | 27 | --- | S |
| Qg | Carga total da porta (4,5 V) | VDS=20V, VGS=4,5V, ID=10A | --- | 20 | --- | nC |
| Qgs | Cargo de porta-fonte | --- | 5.8 | --- | ||
| Qgd | Carga por drenaxe | --- | 9.5 | --- | ||
| Td (activado) | Tempo de atraso de activación | VDD=15V, VGS=10V RG=3,3Ω ID=1A | --- | 15.2 | --- | ns |
| Tr | Tempo de subida | --- | 8.8 | --- | ||
| Td (desactivado) | Tempo de atraso de apagado | --- | 74 | --- | ||
| Tf | Tempo de outono | --- | 7 | --- | ||
| Ciss | Capacidade de entrada | VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 2354 | --- | pF |
| Coss | Capacidade de saída | --- | 215 | --- | ||
| Crs | Capacidade de transferencia inversa | --- | 175 | --- | ||
| IS | Fonte de corrente continua1,5 | VG=VD=0V, forza de corrente | --- | --- | 70 | A |
| VSD | Tensión directa do diodo2 | VGS=0V, IS=1A, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | V |
