WSD40120DN56 N-canle 40V 120A DFN5X6-8 MOSFET WINSOK
Visión xeral do produto WINSOK MOSFET
A tensión do MOSFET WSD40120DN56 é de 40 V, a corrente é de 120 A, a resistencia é de 1,85 mΩ, a canle é de canle N e o paquete é DFN5X6-8.
Áreas de aplicación WINSOK MOSFET
E-cigarros MOSFET, MOSFET de carga sen fíos, drones MOSFET, MOSFET de coidados médicos, cargadores de coche MOSFET, controladores MOSFET, produtos dixitais MOSFET, pequenos electrodomésticos MOSFET, MOSFET de electrónica de consumo.
WINSOK MOSFET corresponde a outros números de material da marca
AOS MOSFET AON6234,AON6232,AON623.Onsemi,FAIRCHILD MOSFET NVMFS5C442NL.VISHAY MOSFET SiRA52ADP,SiJA52ADP.STMicroelectronics MOSFET STL12N4LF6AG.NXP MOSFET PH484SFIT 544.NIKO-SEM MOSFET PKCSBB.POTENS Semiconductor MOSFET PDC496X.
Parámetros MOSFET
Símbolo | Parámetro | Valoración | Unidades |
VDS | Tensión drenaxe-fonte | 40 | V |
VGS | Porta-Source Tensión | ±20 | V |
ID@TC= 25℃ | Corriente de drenaxe continua, VGS@ 10 V1,7 | 120 | A |
ID@TC= 100℃ | Corriente de drenaxe continua, VGS@ 10 V1,7 | 100 | A |
IDM | Corrente de drenaxe pulsada2 | 400 | A |
EAS | Enerxía de avalancha de pulso único3 | 240 | mJ |
IAS | Corrente de avalancha | 31 | A |
PD@TC= 25℃ | Disipación total de potencia4 | 104 | W |
TSTG | Rango de temperatura de almacenamento | -55 a 150 | ℃ |
TJ | Rango de temperatura da unión de funcionamento | -55 a 150 | ℃ |
Símbolo | Parámetro | Condicións | Min. | Típ. | Máx. | Unidade |
BVDSS | Tensión de avaría drenaxe-fonte | VGS= 0 V, ID= 250 uA | 40 | --- | --- | V |
△BVDSS/△TJ | BVDSSCoeficiente de temperatura | Referencia 25℃, euD= 1 mA | --- | 0,043 | --- | V/℃ |
RDS(ON) | Resistencia de drenaxe-fonte estático2 | VGS=10V, ID= 30 A | --- | 1,85 | 2.4 | mΩ |
RDS(ON) | Resistencia de drenaxe-fonte estático2 | VGS=4,5 V, ID= 20A | --- | 2.5 | 3.3 | mΩ |
VGS(th) | Tensión límite de porta | VGS=VDS, euD= 250 uA | 1.5 | 1.8 | 2.5 | V |
△VGS (th) | VGS (th)Coeficiente de temperatura | --- | -6,94 | --- | mV/℃ | |
IDSS | Corrente de fuga drenaxe-fonte | VDS= 32 V, VGS= 0 V, TJ= 25℃ | --- | --- | 2 | uA |
VDS= 32 V, VGS= 0 V, TJ= 55℃ | --- | --- | 10 | |||
IGSS | Corrente de fuga da fonte | VGS=±20 V, VDS= 0 V | --- | --- | ±100 | nA |
gfs | Transcondutividade directa | VDS= 5 V, ID= 20A | --- | 55 | --- | S |
Rg | Resistencia de porta | VDS= 0 V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 1.1 | 2 | Ω |
Qg | Carga total da porta (10 V) | VDS= 20 V, VGS= 10 V, ID= 10A | --- | 76 | 91 | nC |
Qgs | Cargo de porta-fonte | --- | 12 | 14.4 | ||
Qgd | Carga por drenaxe | --- | 15.5 | 18.6 | ||
Td (activado) | Tempo de atraso de activación | VDD= 30 V, VGEN= 10 V, RG=1Ω, euD=1A,RL=15Ω. | --- | 20 | 24 | ns |
Tr | Tempo de subida | --- | 10 | 12 | ||
Td (desactivado) | Tempo de atraso de apagado | --- | 58 | 69 | ||
Tf | Tempo de outono | --- | 34 | 40 | ||
Ciss | Capacidade de entrada | VDS= 20 V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 4350 | --- | pF |
Coss | Capacidade de saída | --- | 690 | --- | ||
Crss | Capacidade de transferencia inversa | --- | 370 | --- |