WSD4018DN22 P-channel -40V -18A DFN2X2-6L WINSOK MOSFET

produtos

WSD4018DN22 P-channel -40V -18A DFN2X2-6L WINSOK MOSFET

breve descrición:

Número de peza:WSD4018DN22

BVDSS:-40V

ID:-18A

RDSON:26 mΩ 

Canle:Canle P

Paquete:DFN2X2-6L


Detalle do produto

Aplicación

Etiquetas de produtos

Visión xeral do produto WINSOK MOSFET

A tensión do MOSFET WSD4018DN22 é de -40 V, a corrente é de -18 A, a resistencia é de 26 mΩ, a canle é de canle P e o paquete é DFN2X2-6L.

Áreas de aplicación WINSOK MOSFET

Tecnoloxía avanzada de trincheiras de alta densidade de células, carga de porta súper baixa, excelente descenso do efecto Cdv/dt Dispositivo verde dispoñible, equipos de recoñecemento facial MOSFET, MOSFET de cigarro electrónico, MOSFET de pequenos electrodomésticos, MOSFET de cargador de coche.

WINSOK MOSFET corresponde a outros números de material da marca

MOSFET AOS AON2409, MOSFET POTENS PDB3909L

Parámetros MOSFET

Símbolo

Parámetro

Valoración

Unidades

VDS

Tensión drenaxe-fonte

-40

V

VGS

Tensión porta-fonte

± 20

V

ID@Tc= 25 ℃

Corriente de drenaxe continua, VGS@ -10V1

-18

A

ID@Tc= 70 ℃

Corriente de drenaxe continua, VGS@ -10V1

-14.6

A

IDM

300 μS de corrente de drenaxe pulsada, VGS= -4,5 V2

54

A

PD@Tc= 25 ℃

Disipación total de potencia3

19

W

TSTG

Rango de temperatura de almacenamento

-55 a 150

TJ

Rango de temperatura da unión de funcionamento

-55 a 150

Características eléctricas (TJ=25 ℃, a non ser que se indique o contrario)

Símbolo

Parámetro

Condicións

Min.

Típ.

Máx.

Unidade

BVDSS

Tensión de avaría drenaxe-fonte VGS= 0 V, ID= -250 uA

-40

---

---

V

△BVDSS/△TJ

Coeficiente de temperatura BVDSS Referencia a 25℃, ID= -1 mA

---

-0,01

---

V/℃

RDS(ON)

Resistencia de drenaxe-fonte estático2 VGS=-10 V, ID= -8,0 A

---

26

34

VGS=-4,5 V, ID= -6,0 A

---

31

42

VGS(th)

Tensión límite de porta VGS=VDS, euD= -250 uA

-1,0

-1,5

-3,0

V

△ VGS (th)

VGS (th)Coeficiente de temperatura

---

3.13

---

mV/℃

IDSS

Corrente de fuga drenaxe-fonte VDS=-40 V, VGS= 0 V, TJ= 25 ℃

---

---

-1

uA

VDS=-40 V, VGS= 0 V, TJ= 55 ℃

---

---

-5

IGSS

Corrente de fuga da fonte VGS=±20 V, VDS= 0 V

---

---

± 100

nA

Qg

Carga total da porta (-4,5 V) VDS=-20 V, VGS=-10 V, ID= -1,5 A

---

27

---

nC

Qgs

Cargo de porta-fonte

---

2.5

---

Qgd

Carga por drenaxe

---

6.7

---

Td (activado)

Tempo de atraso de activación VDD=-20 V, VGS=-10 V,RG=3Ω, RL=10Ω

---

9.8

---

ns

Tr

Tempo de subida

---

11

---

Td (desactivado)

Tempo de atraso de apagado

---

54

---

Tf

Tempo de outono

---

7.1

---

Ciss

Capacidade de entrada VDS=-20 V, VGS=0V, f=1MHz

---

1560

---

pF

Coss

Capacidade de saída

---

116

---

Crss

Capacidade de transferencia inversa

---

97

---


  • Anterior:
  • Seguinte:

  • Escribe aquí a túa mensaxe e envíanolo