WSD40190DN56G N-channel 40V 190A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
Visión xeral do produto WINSOK MOSFET
A tensión do MOSFET WSD40120DN56G é de 40 V, a corrente é de 120 A, a resistencia é de 1,4 mΩ, a canle é de canle N e o paquete é DFN5X6-8.
Áreas de aplicación WINSOK MOSFET
E-cigarros MOSFET, MOSFET de carga sen fíos, drones MOSFET, MOSFET de coidados médicos, cargadores de coche MOSFET, controladores MOSFET, produtos dixitais MOSFET, pequenos electrodomésticos MOSFET, MOSFET de electrónica de consumo.
WINSOK MOSFET corresponde a outros números de material da marca
AOS MOSFET AON6234,AON6232,AON623.STMicroelectronics MOSFET STL14N4F7AG.POTENS Semiconductor MOSFET PDC496X.
Parámetros MOSFET
| Símbolo | Parámetro | Valoración | Unidades |
| VDS | Tensión drenaxe-fonte | 40 | V |
| VGS | Porta-Source Tensión | ±20 | V |
| ID@TC= 25℃ | Corriente de drenaxe continua, VGS@ 10 V1 | 120 | A |
| ID@TC= 100℃ | Corriente de drenaxe continua, VGS@ 10 V1 | 82 | A |
| IDM | Corrente de drenaxe pulsada2 | 400 | A |
| EAS | Enerxía de avalancha de pulso único3 | 400 | mJ |
| IAS | Corrente de avalancha | 40 | A |
| PD@TC= 25℃ | Disipación total de potencia4 | 125 | W |
| TSTG | Rango de temperatura de almacenamento | -55 a 150 | ℃ |
| TJ | Rango de temperatura da unión de funcionamento | -55 a 150 | ℃ |
| Símbolo | Parámetro | Condicións | Min. | Típ. | Máx. | Unidade |
| BVDSS | Tensión de avaría drenaxe-fonte | VGS= 0 V, ID= 250 uA | 40 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSSCoeficiente de temperatura | Referencia 25℃, euD= 1 mA | --- | 0,043 | --- | V/℃ |
| RDS(ON) | Resistencia de drenaxe-fonte estático2 | VGS=10V, ID= 20A | --- | 1.4 | 1.8 | mΩ |
| RDS(ON) | Resistencia de drenaxe-fonte estático2 | VGS=4,5 V, ID= 20A | --- | 2.0 | 2.6 | mΩ |
| VGS(th) | Tensión límite de porta | VGS=VDS, euD= 250 uA | 1.2 | 1.6 | 2.2 | V |
| △VGS (th) | VGS (th)Coeficiente de temperatura | --- | -6,94 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Corrente de fuga drenaxe-fonte | VDS= 32 V, VGS= 0 V, TJ= 25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS= 32 V, VGS= 0 V, TJ= 55℃ | --- | --- | 5 | |||
| IGSS | Corrente de fuga da fonte | VGS=±20 V, VDS= 0 V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Transcondutividade directa | VDS= 5 V, ID= 20A | --- | 53 | --- | S |
| Rg | Resistencia de porta | VDS= 0 V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 1.0 | --- | Ω |
| Qg | Carga total da porta (10 V) | VDS= 15 V, VGS= 10 V, ID= 20A | --- | 45 | --- | nC |
| Qgs | Cargo de porta-fonte | --- | 12 | --- | ||
| Qgd | Carga por drenaxe | --- | 18.5 | --- | ||
| Td (activado) | Tempo de atraso de activación | VDD= 15 V, VGEN= 10 V, RG= 3,3Ω, euD=20A,RL=15Ω. | --- | 18.5 | --- | ns |
| Tr | Tempo de subida | --- | 9 | --- | ||
| Td (desactivado) | Tempo de atraso de apagado | --- | 58.5 | --- | ||
| Tf | Tempo de outono | --- | 32 | --- | ||
| Ciss | Capacidade de entrada | VDS= 20 V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 3972 | --- | pF |
| Coss | Capacidade de saída | --- | 1119 | --- | ||
| Crss | Capacidade de transferencia inversa | --- | 82 | --- |
