WSD4076DN56 N-channel 40V 76A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

produtos

WSD4076DN56 N-channel 40V 76A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

breve descrición:

Número de peza:WSD4076DN56

BVDSS:40 V

ID:76A

RDSON:6,9 mΩ 

Canle:Canle N

Paquete:DFN5X6-8


Detalle do produto

Aplicación

Etiquetas de produtos

Visión xeral do produto WINSOK MOSFET

A tensión do MOSFET WSD4076DN56 é de 40 V, a corrente é de 76 A, a resistencia é de 6,9 ​​mΩ, a canle é de canle N e o paquete é DFN5X6-8.

Áreas de aplicación WINSOK MOSFET

Pequenos electrodomésticos MOSFET, electrodomésticos MOSFET, motores MOSFET.

WINSOK MOSFET corresponde a outros números de material da marca

STMicroelectronics MOSFET STL52DN4LF7AG,STL64DN4F7AG,STL64N4F7AG.

PANJIT MOSFET PJQ5442.

POTENS Semiconductor MOSFET PDC496X.

Parámetros MOSFET

Símbolo

Parámetro

Valoración

Unidades

VDS

Tensión drenaxe-fonte

40

V

VGS

Porta-Source Tensión

±20

V

ID@TC= 25

Corriente de drenaxe continua, VGS@ 10 V

76

A

ID@TC= 100

Corriente de drenaxe continua, VGS@ 10 V

33

A

IDM

Corrente de drenaxe pulsadaa

125

A

EAS

Enerxía de avalancha de pulso únicob

31

mJ

IAS

Corrente de avalancha

31

A

PD@Ta= 25

Disipación total de potencia

1.7

W

TSTG

Rango de temperatura de almacenamento

-55 a 150

TJ

Rango de temperatura da unión de funcionamento

-55 a 150

 

Símbolo

Parámetro

Condicións

Min.

Típ.

Máx.

Unidade

BVDSS

Tensión de avaría drenaxe-fonte VGS= 0 V, ID= 250 uA

40

---

---

V

BVDSS/△TJ

BVDSSCoeficiente de temperatura Referencia 25, euD= 1 mA

---

0,043

---

V/

RDS(ON)

Resistencia de drenaxe-fonte estático2 VGS=10V, ID= 12A

---

6.9

8.5

mΩ

RDS(ON)

Resistencia de drenaxe-fonte estático2 VGS=4,5 V, ID= 10A

---

10

15

VGS(th)

Tensión límite de porta VGS=VDS, euD= 250 uA

1.5

1.6

2.5

V

VGS(th)

VGS (th)Coeficiente de temperatura

---

-6,94

---

mV/

IDSS

Corrente de fuga drenaxe-fonte VDS= 32 V, VGS= 0 V, TJ= 25

---

---

2

uA

VDS= 32 V, VGS= 0 V, TJ= 55

---

---

10

IGSS

Corrente de fuga da fonte VGS=±20 V, VDS= 0 V

---

---

±100

nA

gfs

Transcondutividade directa VDS= 5 V, ID= 20A

---

18

---

S

Rg

Resistencia de porta VDS= 0 V, VGS=0V, f=1MHz

---

1.7

---

Ω

Qg

Carga total da porta (10 V) VDS= 20 V, VGS= 4,5 V, ID= 12A

---

5.8

---

nC

Qgs

Cargo de porta-fonte

---

3.0

---

Qgd

Carga por drenaxe

---

1.2

---

Td (activado)

Tempo de atraso de activación VDD= 15 V, VGEN= 10 V, RG= 3,3Ω, euD= 1A.

---

12

---

ns

Tr

Tempo de subida

---

5.6

---

Td (desactivado)

Tempo de atraso de apagado

---

20

---

Tf

Tempo de outono

---

11

---

Ciss

Capacidade de entrada VDS= 15 V, VGS=0V, f=1MHz

---

680

---

pF

Coss

Capacidade de saída

---

185

---

Crss

Capacidade de transferencia inversa

---

38

---


  • Anterior:
  • Seguinte:

  • Escribe aquí a túa mensaxe e envíanolo