WSD4098 MOSFET WINSOK de dobre canle N 40V 22A DFN5*6-8

WSD4098 N-Channel dual 40V 22A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET Imaxe destacada

breve descrición:

Este é un banco de enerxía sen fíos magnético que recoñece automaticamente os teléfonos Apple e non require a activación de botóns. Integra protocolos de carga rápida de entrada e saída 2.0/QC3.0/PA2.0/PD3.0/SCP/AFC. É un produto de banco de enerxía sen fíos que é compatible con conversores de aumento/reducción sincrónicos de teléfonos móbiles Apple/Samsung, xestión de carga da batería Li, indicación de enerxía de tubo dixital, carga sen fíos magnética e outras funcións.

Número de modelo:WSD4098

BVDSS:40 V

RDSON:7,8 mΩ

ID:22A

Canle:Dobre canle N

Paquete:DFN5*6-8

Produto de verán:A tensión do MOSFET WSD4098 é de 40 V, a corrente é de 22 A, a resistencia é de 7,8 mΩ, a canle é de dobre canle N e o paquete é DFN5 * 6-8.

Aplicacións:Cigarros electrónicos, carga sen fíos, motores, drons, atención médica, cargadores de coche, controladores, produtos dixitais, pequenos electrodomésticos, produtos electrónicos de consumo.

Envíanos un correo electrónico PDF

Detalle do produto

Aplicación

Etiquetas de produtos

Descrición xeral

O WSD4098DN56 é o MOSFET N-Ch dual de maior rendemento cunha densidade de células extremadamente alta, que proporciona unha excelente carga RDSON e de porta para a maioría das aplicacións de conversor buck síncrono. O WSD4098DN56 cumpre os requisitos de RoHS e produtos ecolóxicos 100 % EAS garantido cunha fiabilidade de función completa aprobada.

Características

Tecnoloxía avanzada de trincheiras de alta densidade de células, Carga de porta súper baixa, Excelente diminución do efecto CdV/dt, 100% garantido por EAS, Dispositivo verde dispoñible

Aplicacións

Sincrónico de punto de carga de alta frecuencia, conversor Buck para MB/NB/UMPC/VGA, sistema de alimentación DC-DC de rede, interruptor de carga, cigarrillos electrónicos, carga sen fíos, motores, drones, atención médica, cargadores de coche, controladores, dixital produtos, pequenos electrodomésticos, electrónica de consumo.

número de material correspondente

AOS AON6884

Parámetros importantes

Símbolo	Parámetro		Valoración	Unidade
Valoracións comúns
VDSS	Tensión drenaxe-fonte		40	V
VGSS	Tensión porta-fonte		± 20	V
TJ	Temperatura máxima de unión		150	°C
TSTG	Rango de temperatura de almacenamento		-55 a 150	°C
IS	Corrente directa de diodo continuo	TA=25°C	11.4	A
ID	Corrente de drenaxe continua	TA=25°C	22	A
ID	Corrente de drenaxe continua			A
		TA=70°C	22
DM b	Corrente de drenaxe de pulso probada	TA=25°C	88	A
PD	Disipación de potencia máxima	T. = 25 °C	25	W
PD	Disipación de potencia máxima	TC = 70 °C	10	W
RqJL	Resistencia térmica-unión a chumbo	Estado estacionario	5	°C/W
RqJA	Resistencia térmica-unión ao ambiente	t £ 10s	45	°C/W
RqJA	Resistencia térmica-unión ao ambiente	Estado estacionario b	90	°C/W
I AS d	Corrente de avalancha, pulso único	L = 0,5 mH	28	A
E AS d	Enerxía de avalancha, pulso único	L = 0,5 mH	39.2	mJ

Símbolo	Parámetro	Condicións da proba		Min.	Típ.	Máx.	Unidade
Características estáticas
BVDSS	Tensión de avaría drenaxe-fonte	VGS=0V, IDS=250mA		40	-	-	V
IDSS	Corrente de drenaxe de voltaxe de porta cero	VDS=32V, VGS=0V		-	-	1	mA
IDSS	Corrente de drenaxe de voltaxe de porta cero						mA
			TJ = 85 °C	-	-	30
VGS(th)	Tensión límite de porta	VDS=VGS, IDS=250mA		1.2	1.8	2.5	V
IGSS	Corrente de fuga de porta	VGS=±20V, VDS=0V		-	-	± 100	nA
R DS(ON) e	Resistencia de estado de drenaxe-fonte	VGS=10V, IDS=14A		-	6.8	7.8	m W
R DS(ON) e	Resistencia de estado de drenaxe-fonte	VGS = 4,5 V, IDS = 12 A		-	9.0	11	m W
Características do diodo
V SD e	Tensión directa do diodo	ISD=1A, VGS=0V		-	0,75	1.1	V
trr	Tempo de recuperación inversa	ISD=20A, dlSD/dt=100A/µs		-	23	-	ns
Qrr	Cargo de recuperación inversa	ISD=20A, dlSD/dt=100A/µs		-	13	-	nC
Características dinámicas f
RG	Resistencia de porta	VGS=0V,VDS=0V,F=1MHz		-	2.5	-	W
Ciss	Capacidade de entrada	VGS=0V, VDS = 20 V, Frecuencia = 1,0 MHz		-	1370	1781	pF
Coss	Capacidade de saída			-	317	-
Crs	Capacidade de transferencia inversa			-	96	-
td (ON)	Tempo de atraso de activación	VDD = 20 V, RL=20W, IDS=1A, VGEN=10V, RG=6W		-	13.8	-	ns
tr	Tempo de subida de activación			-	8	-
td (DESACTIVADO)	Tempo de atraso de apagado			-	30	-
tf	Tempo de outono de desactivación			-	21	-
Características de carga de porta f
Qg	Cargo total de porta	VDS=20V, VGS=10V, IDS=6A		-	23	28	nC
Qg	Cargo total de porta	VDS=20V, VGS=4,5V, IDS=6A		-	22	-
Qgth	Limiar de carga			-	2.6	-
Qgs	Cargo de porta-fonte			-	4.7	-
Qgd	Carga por drenaxe			-	3	-