WSD4280DN22 Dobre canle P -15V -4.6A DFN2X2-6L WINSOK MOSFET
Visión xeral do produto WINSOK MOSFET
A tensión do MOSFET WSD4280DN22 é de -15 V, a corrente é de -4,6 A, a resistencia é de 47 mΩ, a canle é de dobre canle P e o paquete é DFN2X2-6L.
Áreas de aplicación WINSOK MOSFET
Interruptor de bloqueo bidireccional; Aplicacións de conversión DC-DC; Carga de batería de litio; MOSFET de cigarro electrónico, MOSFET de carga sen fíos, MOSFET de carga de coche, MOSFET controlador, MOSFET de produto dixital, MOSFET de pequenos electrodomésticos, MOSFET de electrónica de consumo.
WINSOK MOSFET corresponde a outros números de material da marca
PANJIT MOSFET PJQ2815
Parámetros MOSFET
| Símbolo | Parámetro | Valoración | Unidades |
| VDS | Tensión drenaxe-fonte | -15 | V |
| VGS | Tensión porta-fonte | ± 8 | V |
| ID@Tc= 25 ℃ | Corriente de drenaxe continua, VGS= -4,5 V1 | -4.6 | A |
| IDM | 300 μS de corrente de drenaxe pulsada (VGS=-4,5 V) | -15 | A |
| PD | Reducción de potencia de disipación por encima de TA = 25 °C (Nota 2) | 1.9 | W |
| TSTG, TJ | Rango de temperatura de almacenamento | -55 a 150 | ℃ |
| RθJA | Resistencia térmica Unión-ambiente1 | 65 | ℃/W |
| RθJC | Resistencia térmica Unión-Caja1 | 50 | ℃/W |
Características eléctricas (TJ=25 ℃, a non ser que se indique o contrario)
| Símbolo | Parámetro | Condicións | Min. | Típ. | Máx. | Unidade |
| BVDSS | Tensión de avaría drenaxe-fonte | VGS= 0 V, ID= -250 uA | -15 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | Coeficiente de temperatura BVDSS | Referencia a 25℃, ID= -1 mA | --- | -0,01 | --- | V/℃ |
| RDS(ON) | Resistencia de drenaxe-fonte estático2 | VGS=-4,5 V, ID=-1A | --- | 47 | 61 | mΩ |
| VGS=-2,5 V, ID=-1A | --- | 61 | 80 | |||
| VGS=-1,8 V, ID=-1A | --- | 90 | 150 | |||
| VGS(th) | Tensión límite de porta | VGS=VDS, euD= -250 uA | -0,4 | -0,62 | -1.2 | V |
| △ VGS (th) | VGS (th)Coeficiente de temperatura | --- | 3.13 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Corrente de fuga drenaxe-fonte | VDS=-10 V, VGS= 0 V, TJ= 25 ℃ | --- | --- | -1 | uA |
| VDS=-10 V, VGS= 0 V, TJ= 55 ℃ | --- | --- | -5 | |||
| IGSS | Corrente de fuga da fonte | VGS=±12 V, VDS= 0 V | --- | --- | ± 100 | nA |
| gfs | Transcondutividade directa | VDS=-5 V, ID=-1A | --- | 10 | --- | S |
| Rg | Resistencia de porta | VDS= 0 V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 2 | --- | Ω |
| Qg | Carga total da porta (-4,5 V) | VDS=-10 V, VGS=-4,5 V, ID= -4,6 A | --- | 9.5 | --- | nC |
| Qgs | Cargo de porta-fonte | --- | 1.4 | --- | ||
| Qgd | Carga por drenaxe | --- | 2.3 | --- | ||
| Td (activado) | Tempo de atraso de activación | VDD=-10 V,VGS=-4,5 V, RG= 1Ω ID= -3,9A, | --- | 15 | --- | ns |
| Tr | Tempo de subida | --- | 16 | --- | ||
| Td (desactivado) | Tempo de atraso de apagado | --- | 30 | --- | ||
| Tf | Tempo de outono | --- | 10 | --- | ||
| Ciss | Capacidade de entrada | VDS=-10 V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 781 | --- | pF |
| Coss | Capacidade de saída | --- | 98 | --- | ||
| Crss | Capacidade de transferencia inversa | --- | 96 | --- |
