WSD45N10GDN56 N-canle 100V 45A DFN5X6-8 MOSFET WINSOK

produtos

WSD45N10GDN56 N-canle 100V 45A DFN5X6-8 MOSFET WINSOK

breve descrición:

Número de peza:WSD45N10GDN56

BVDSS:100 V

ID:45A

RDSON:14,5 mΩ

Canle:Canle N

Paquete:DFN5X6-8


Detalle do produto

Aplicación

Etiquetas de produtos

Visión xeral do produto WINSOK MOSFET

A tensión do MOSFET WSD45N10GDN56 é de 100 V, a corrente é de 45 A, a resistencia é de 14,5 mΩ, a canle é de canle N e o paquete é DFN5X6-8.

Áreas de aplicación WINSOK MOSFET

E-cigarros MOSFET, carga sen fíos MOSFET, motores MOSFET, drones MOSFET, coidados médicos MOSFET, cargadores de coche MOSFET, controladores MOSFET, produtos dixitais MOSFET, pequenos electrodomésticos MOSFET, electrónica de consumo MOSFET.

WINSOK MOSFET corresponde a outros números de material da marca

AOS MOSFET AON6226,AON6294,AON6298,AONS6292,AONS6692,AONS66923.PANJIT MOSFET PJQ5476AL.POTENS Semiconductor MOSFET PDC966X.

Parámetros MOSFET

Símbolo

Parámetro

Valoración

Unidades

VDS

Tensión drenaxe-fonte

100

V

VGS

Porta-Source Tensión

±20

V

ID@TC= 25

Corriente de drenaxe continua, VGS@ 10 V

45

A

ID@TC= 100

Corriente de drenaxe continua, VGS@ 10 V

33

A

ID@TA= 25

Corriente de drenaxe continua, VGS@ 10 V

12

A

ID@TA= 70

Corriente de drenaxe continua, VGS@ 10 V

9.6

A

IDMa

Corrente de drenaxe pulsada

130

A

EASb

Enerxía de avalancha de pulso único

169

mJ

IASb

Corrente de avalancha

26

A

PD@TC= 25

Disipación total de potencia

95

W

PD@TA= 25

Disipación total de potencia

5.0

W

TSTG

Rango de temperatura de almacenamento

-55 a 150

TJ

Rango de temperatura da unión de funcionamento

-55 a 150

 

Símbolo

Parámetro

Condicións

Min.

Típ.

Máx.

Unidade

BVDSS

Tensión de avaría drenaxe-fonte VGS= 0 V, ID= 250 uA

100

---

---

V

BVDSS/△TJ

Coeficiente de temperatura BVDSS Referencia 25, euD= 1 mA

---

0,0

---

V/

RDS(ON)d

Resistencia de drenaxe-fonte estático2 VGS= 10 V, ID= 26A

---

14.5

17.5

mΩ

VGS(th)

Tensión límite de porta VGS=VDS, euD= 250 uA

2.0

3.0

4.0

V

VGS (th)

VGS (th)Coeficiente de temperatura

---

-5   mV/

IDSS

Corrente de fuga drenaxe-fonte VDS= 80 V, VGS= 0 V, TJ= 25

---

- 1

uA

VDS= 80 V, VGS= 0 V, TJ= 55

---

- 30

IGSS

Corrente de fuga da fonte VGS=±20 V, VDS= 0 V

---

- ±100

nA

Rxe

Resistencia de porta VDS= 0 V, VGS=0V, f=1MHz

---

1.0

---

Ω

Qge

Carga total da porta (10 V) VDS= 50 V, VGS= 10 V, ID= 26A

---

42

59

nC

Qgse

Cargo de porta-fonte

---

12

--

Qgde

Carga por drenaxe

---

12

---

Td (activado)e

Tempo de atraso de activación VDD= 30 V, VGEN= 10 V, RG=6Ω

ID=1A,RL=30Ω

---

19

35

ns

Tre

Tempo de subida

---

9

17

Td (desactivado)e

Tempo de atraso de apagado

---

36

65

Tfe

Tempo de outono

---

22

40

Cisse

Capacidade de entrada VDS= 30 V, VGS=0V, f=1MHz

---

1800

---

pF

Cosse

Capacidade de saída

---

215

---

Crsse

Capacidade de transferencia inversa

---

42

---


  • Anterior:
  • Seguinte:

  • Escribe aquí a túa mensaxe e envíanolo