WSD45N10GDN56 N-canle 100V 45A DFN5X6-8 MOSFET WINSOK
Visión xeral do produto WINSOK MOSFET
A tensión do MOSFET WSD45N10GDN56 é de 100 V, a corrente é de 45 A, a resistencia é de 14,5 mΩ, a canle é de canle N e o paquete é DFN5X6-8.
Áreas de aplicación WINSOK MOSFET
E-cigarros MOSFET, carga sen fíos MOSFET, motores MOSFET, drones MOSFET, coidados médicos MOSFET, cargadores de coche MOSFET, controladores MOSFET, produtos dixitais MOSFET, pequenos electrodomésticos MOSFET, electrónica de consumo MOSFET.
WINSOK MOSFET corresponde a outros números de material da marca
AOS MOSFET AON6226,AON6294,AON6298,AONS6292,AONS6692,AONS66923.PANJIT MOSFET PJQ5476AL.POTENS Semiconductor MOSFET PDC966X.
Parámetros MOSFET
Símbolo | Parámetro | Valoración | Unidades |
VDS | Tensión drenaxe-fonte | 100 | V |
VGS | Porta-Source Tensión | ±20 | V |
ID@TC= 25℃ | Corriente de drenaxe continua, VGS@ 10 V | 45 | A |
ID@TC= 100℃ | Corriente de drenaxe continua, VGS@ 10 V | 33 | A |
ID@TA= 25℃ | Corriente de drenaxe continua, VGS@ 10 V | 12 | A |
ID@TA= 70℃ | Corriente de drenaxe continua, VGS@ 10 V | 9.6 | A |
IDMa | Corrente de drenaxe pulsada | 130 | A |
EASb | Enerxía de avalancha de pulso único | 169 | mJ |
IASb | Corrente de avalancha | 26 | A |
PD@TC= 25℃ | Disipación total de potencia | 95 | W |
PD@TA= 25℃ | Disipación total de potencia | 5.0 | W |
TSTG | Rango de temperatura de almacenamento | -55 a 150 | ℃ |
TJ | Rango de temperatura da unión de funcionamento | -55 a 150 | ℃ |
Símbolo | Parámetro | Condicións | Min. | Típ. | Máx. | Unidade |
BVDSS | Tensión de avaría drenaxe-fonte | VGS= 0 V, ID= 250 uA | 100 | --- | --- | V |
△BVDSS/△TJ | Coeficiente de temperatura BVDSS | Referencia 25℃, euD= 1 mA | --- | 0,0 | --- | V/℃ |
RDS(ON)d | Resistencia de drenaxe-fonte estático2 | VGS= 10 V, ID= 26A | --- | 14.5 | 17.5 | mΩ |
VGS(th) | Tensión límite de porta | VGS=VDS, euD= 250 uA | 2.0 | 3.0 | 4.0 | V |
△VGS (th) | VGS (th)Coeficiente de temperatura | --- | -5 | mV/℃ | ||
IDSS | Corrente de fuga drenaxe-fonte | VDS= 80 V, VGS= 0 V, TJ= 25℃ | --- | - | 1 | uA |
VDS= 80 V, VGS= 0 V, TJ= 55℃ | --- | - | 30 | |||
IGSS | Corrente de fuga da fonte | VGS=±20 V, VDS= 0 V | --- | - | ±100 | nA |
Rxe | Resistencia de porta | VDS= 0 V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 1.0 | --- | Ω |
Qge | Carga total da porta (10 V) | VDS= 50 V, VGS= 10 V, ID= 26A | --- | 42 | 59 | nC |
Qgse | Cargo de porta-fonte | --- | 12 | -- | ||
Qgde | Carga por drenaxe | --- | 12 | --- | ||
Td (activado)e | Tempo de atraso de activación | VDD= 30 V, VGEN= 10 V, RG=6Ω ID=1A,RL=30Ω | --- | 19 | 35 | ns |
Tre | Tempo de subida | --- | 9 | 17 | ||
Td (desactivado)e | Tempo de atraso de apagado | --- | 36 | 65 | ||
Tfe | Tempo de outono | --- | 22 | 40 | ||
Cisse | Capacidade de entrada | VDS= 30 V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 1800 | --- | pF |
Cosse | Capacidade de saída | --- | 215 | --- | ||
Crsse | Capacidade de transferencia inversa | --- | 42 | --- |