WSD6040DN56 N-channel 60V 36A DFN5X6-8 MOSFET WINSOK
Visión xeral do produto WINSOK MOSFET
A tensión do MOSFET WSD6040DN56 é de 60 V, a corrente é de 36 A, a resistencia é de 14 mΩ, a canle é de canle N e o paquete é DFN5X6-8.
Áreas de aplicación WINSOK MOSFET
E-cigarros MOSFET, carga sen fíos MOSFET, motores MOSFET, drones MOSFET, coidados médicos MOSFET, cargadores de coche MOSFET, controladores MOSFET, produtos dixitais MOSFET, pequenos electrodomésticos MOSFET, electrónica de consumo MOSFET.
WINSOK MOSFET corresponde a outros números de material da marca
AOS MOSFET AON6264C,AON6264E,AON6266E,AONS6662.STMicroelectronics MOSFET STL8DN6LF6AG.PANJIT MOSFET PSMQC12N6LS1.POTENS Semiconductor MOSFET PDC6964X.
Parámetros MOSFET
| Símbolo | Parámetro | Valoración | Unidades | ||
| VDS | Tensión drenaxe-fonte | 60 | V | ||
| VGS | Tensión porta-fonte | ± 20 | V | ||
| ID | Corrente de drenaxe continua | TC = 25 °C | 36 | A | |
| TC = 100 °C | 22 | ||||
| ID | Corrente de drenaxe continua | TA=25°C | 8.4 | A | |
| TA=100°C | 6.8 | ||||
| IDMa | Corrente de drenaxe pulsada | TC = 25 °C | 140 | A | |
| PD | Disipación de potencia máxima | TC = 25 °C | 37.8 | W | |
| TC = 100 °C | 15.1 | ||||
| PD | Disipación de potencia máxima | TA=25°C | 2.08 | W | |
| TA=70°C | 1.33 | ||||
| IAS c | Corrente de avalancha, pulso único | L = 0,5 mH | 16 | A | |
| EASc | Enerxía de avalancha de pulso único | L = 0,5 mH | 64 | mJ | |
| IS | Corrente directa de diodo continuo | TC = 25 °C | 18 | A | |
| TJ | Temperatura máxima de unión | 150 | ℃ | ||
| TSTG | Rango de temperatura de almacenamento | -55 a 150 | ℃ | ||
| RθJAb | Resistencia térmica Unión a ambiente | Estado estacionario | 60 | ℃/W | |
| RθJC | Resistencia térmica-unión a carcasa | Estado estacionario | 3.3 | ℃/W | |
| Símbolo | Parámetro | Condicións | Min. | Típ. | Máx. | Unidade | |
| Estática | |||||||
| V(BR)DSS | Tensión de avaría drenaxe-fonte | VGS = 0 V, ID = 250 μA | 60 | V | |||
| IDSS | Corrente de drenaxe de voltaxe de porta cero | VDS = 48 V, VGS = 0 V | 1 | µA | |||
| TJ= 85 °C | 30 | ||||||
| IGSS | Corrente de fuga de porta | VGS = ±20 V, VDS = 0 V | ± 100 | nA | |||
| Sobre as características | |||||||
| VGS(TH) | Tensión límite de porta | VGS = VDS, IDS = 250 µA | 1 | 1.6 | 2.5 | V | |
| RDS (activado)d | Resistencia de estado de drenaxe-fonte | VGS = 10 V, ID = 25 A | 14 | 17.5 | mΩ | ||
| VGS = 4,5 V, ID = 20 A | 19 | 22 | mΩ | ||||
| Cambio | |||||||
| Qg | Cargo total de porta | VDS = 30 V VGS = 10 V ID=25A | 42 | nC | |||
| Qgs | Carga Gate-Sour | 6.4 | nC | ||||
| Qgd | Carga por drenaxe | 9.6 | nC | ||||
| td (activado) | Tempo de atraso de activación | VGEN=10V VDD = 30 V ID=1A RG=6Ω RL=30Ω | 17 | ns | |||
| tr | Tempo de subida de activación | 9 | ns | ||||
| td (desactivado) | Tempo de atraso de apagado | 58 | ns | ||||
| tf | Tempo de outono de desactivación | 14 | ns | ||||
| Rg | Gat resistencia | VGS=0V, VDS=0V, f=1MHz | 1.5 | Ω | |||
| Dinámico | |||||||
| Ciss | En capacitancia | VGS=0V VDS=30V f=1MHz | 2100 | pF | |||
| Coss | Capacidade de saída | 140 | pF | ||||
| Crs | Capacidade de transferencia inversa | 100 | pF | ||||
| Características do díodo drenaxe-fonte e valoracións máximas | |||||||
| IS | Fonte de corrente continua | VG=VD=0V, corrente de forza | 18 | A | |||
| ISM | Fonte de corrente pulsada 3 | 35 | A | ||||
| VSDd | Tensión directa do diodo | ISD = 20 A, VGS = 0 V | 0,8 | 1.3 | V | ||
| trr | Tempo de recuperación inversa | ISD= 25A, dlSD/dt=100A/µs | 27 | ns | |||
| Qrr | Cargo de recuperación inversa | 33 | nC | ||||
