WSD6060DN56 N-channel 60V 65A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

Descrición curta:

Número de peza:WSD6060DN56

BVDSS:60 V

ID:65A

RDSON:7,5 mΩ

Canle:Canle N

Paquete:DFN5X6-8

Envíanos un correo electrónico PDF

Detalle do produto

Aplicación

Etiquetas de produtos

Visión xeral do produto WINSOK MOSFET

A tensión do MOSFET WSD6060DN56 é de 60 V, a corrente é de 65 A, a resistencia é de 7,5 mΩ, a canle é de canle N e o paquete é DFN5X6-8.

Áreas de aplicación WINSOK MOSFET

E-cigarros MOSFET, carga sen fíos MOSFET, motores MOSFET, drones MOSFET, coidados médicos MOSFET, cargadores de coche MOSFET, controladores MOSFET, produtos dixitais MOSFET, pequenos electrodomésticos MOSFET, electrónica de consumo MOSFET.

WINSOK MOSFET corresponde a outros números de material da marca

STMicroelectronics MOSFET STL5DN6F7.PANJIT MOSFET PSMQC73N6NS1.POTENS Semiconductor MOSFET PDC696X.

Parámetros MOSFET

Símbolo	Parámetro		Valoración	Unidade
Valoracións comúns
VDSS	Tensión drenaxe-fonte		60	V
VGSS	Tensión porta-fonte		± 20	V
T_J	Temperatura máxima de unión		150	°C
TSTG	Rango de temperatura de almacenamento		-55 a 150	°C
I_S	Corrente directa de diodo continuo	T_c= 25 °C	30	A
ID	Corrente de drenaxe continua	T_c= 25 °C	65	A
ID	Corrente de drenaxe continua	T_c= 70 °C	42	A
DM b	Corrente de drenaxe de pulso probada	T_c= 25 °C	250	A
P_D	Disipación de potencia máxima	T_c= 25 °C	62.5	W
P_D	Disipación de potencia máxima	T_C= 70 °C	38	W
R_qJL	Resistencia térmica-unión a chumbo	Estado estacionario	2.1	°C/W
RqJA	Resistencia térmica-unión ao ambiente	t £ 10s	45	°C/W
RqJA	Resistencia térmica-unión ao ambiente	Estado estacionario^b	50	°C/W
EU AS^d	Corrente de avalancha, pulso único	L = 0,5 mH	18	A
E AS d	Enerxía de avalancha, pulso único	L = 0,5 mH	81	mJ

Símbolo	Parámetro	Condicións da proba		Min.	Típ.	Máx.	Unidade
Características estáticas
BV_DSS	Tensión de avaría drenaxe-fonte	V_GS= 0 V, I_DS= 250mA		60	-	-	V
IDSS	Corriente de drenaxe de voltaxe de porta cero	V_DS= 48 V, V_GS= 0 V		-	-	1	mA
IDSS	Corriente de drenaxe de voltaxe de porta cero						mA
			T_J= 85 °C	-	-	30
VGS(th)	Tensión límite de porta	V_DS=V_GS, eu_DS= 250mA		1.2	1.5	2.5	V
IGSS	Corrente de fuga de porta	V_GS= ± 20 V, V_DS= 0 V		-	-	± 100	nA
R DS(ON) 3	Resistencia de estado de drenaxe-fonte	V_GS= 10 V, I_DS= 20A		-	7.5	10	m W
R DS(ON) 3	Resistencia de estado de drenaxe-fonte	V_GS= 4,5 V, I_DS= 15 A		-	10	15	m W
Características do diodo
V SD	Tensión directa do diodo	I_SD= 1A, V_GS= 0 V		-	0,75	1.2	V
t_rr	Tempo de recuperación inversa	I_SD= 20A, dl_SD/dt=100A/µs		-	42	-	ns
Q_rr	Cargo de recuperación inversa	I_SD= 20A, dl_SD/dt=100A/µs		-	36	-	nC
Características dinámicas^3,4
R_G	Resistencia de porta	V_GS= 0 V, V_DS= 0 V, F = 1 MHz		-	1.5	-	W
C_iss	Capacidade de entrada	V_GS= 0 V, V_DS= 30 V, F = 1,0 MHz Ω		-	1340	-	pF
C_oss	Capacidade de saída			-	270	-
C_rss	Capacidade de transferencia inversa			-	40	-
td (ON)	Tempo de atraso de activación	VDD=30V, IDS=1A, VGEN=10V, RG=6Ω.		-	15	-	ns
t_r	Tempo de subida de activación			-	6	-
td (DESACTIVADO)	Tempo de atraso de apagado			-	33	-
t_f	Tempo de outono de desactivación			-	30	-
Características de carga de porta ^3,4
Q_g	Cargo total de porta	V_DS= 30 V, V_GS= 4,5 V, I_DS= 20A		-	13	-	nC
Q_g	Cargo total de porta	V_DS= 30 V, V_GS= 10 V, I_DS= 20A		-	27	-
Q_gth	Limiar de carga			-	4.1	-
Q_gs	Cargo de porta-fonte			-	5	-
Q_gd	Carga por drenaxe			-	4.2	-