WSD6070DN56 N-channel 60V 80A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
Visión xeral do produto WINSOK MOSFET
A tensión do MOSFET WSD6070DN56 é de 60 V, a corrente é de 80 A, a resistencia é de 7,3 mΩ, a canle é de canle N e o paquete é DFN5X6-8.
Áreas de aplicación WINSOK MOSFET
E-cigarros MOSFET, carga sen fíos MOSFET, motores MOSFET, drones MOSFET, coidados médicos MOSFET, cargadores de coche MOSFET, controladores MOSFET, produtos dixitais MOSFET, pequenos electrodomésticos MOSFET, electrónica de consumo MOSFET.
WINSOK MOSFET corresponde a outros números de material da marca
POTENS Semiconductor MOSFET PDC696X.
Parámetros MOSFET
| Símbolo | Parámetro | Valoración | Unidades |
| VDS | Tensión drenaxe-fonte | 60 | V |
| VGS | Porta-Source Tensión | ±20 | V |
| TJ | Temperatura máxima de unión | 150 | °C |
| ID | Rango de temperatura de almacenamento | -55 a 150 | °C |
| IS | Diodo de corrente directa continua, TC= 25 °C | 80 | A |
| ID | Corriente de drenaxe continua, VGS= 10 V, TC= 25 °C | 80 | A |
| Corriente de drenaxe continua, VGS= 10 V, TC= 100 °C | 66 | A | |
| IDM | Corrente de drenaxe pulsada, TC= 25 °C | 300 | A |
| PD | Disipación de potencia máxima, TC= 25 °C | 150 | W |
| Disipación de potencia máxima, TC= 100 °C | 75 | W | |
| RθJA | Resistencia térmica-unión ao ambiente ,t =10s ̀ | 50 | °C/W |
| Resistencia térmica-unión ao ambiente, estado estacionario | 62.5 | °C/W | |
| RqJC | Resistencia térmica-unión a carcasa | 1 | °C/W |
| IAS | Corrente de avalancha, pulso único, L=0,5 mH | 30 | A |
| EAS | Enerxía de avalancha, pulso único, L=0,5 mH | 225 | mJ |
| Símbolo | Parámetro | Condicións | Min. | Típ. | Máx. | Unidade |
| BVDSS | Tensión de avaría drenaxe-fonte | VGS= 0 V, ID= 250 uA | 60 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSSCoeficiente de temperatura | Referencia 25℃, euD= 1 mA | --- | 0,043 | --- | V/℃ |
| RDS(ON) | Resistencia de drenaxe-fonte estático2 | VGS=10V, ID= 40 A | --- | 7.0 | 9.0 | mΩ |
| VGS(th) | Tensión límite de porta | VGS=VDS, euD= 250 uA | 2.0 | 3.0 | 4.0 | V |
| △VGS(th) | VGS (th)Coeficiente de temperatura | --- | -6,94 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Corrente de fuga drenaxe-fonte | VDS= 48 V, VGS= 0 V, TJ= 25℃ | --- | --- | 2 | uA |
| VDS= 48 V, VGS= 0 V, TJ= 55℃ | --- | --- | 10 | |||
| IGSS | Corrente de fuga da fonte | VGS=±20 V, VDS= 0 V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Transcondutividade directa | VDS= 5 V, ID= 20A | --- | 50 | --- | S |
| Rg | Resistencia de porta | VDS= 0 V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 1.0 | --- | Ω |
| Qg | Carga total da porta (10 V) | VDS= 30 V, VGS= 10 V, ID= 40 A | --- | 48 | --- | nC |
| Qgs | Cargo de porta-fonte | --- | 17 | --- | ||
| Qgd | Carga por drenaxe | --- | 12 | --- | ||
| Td (activado) | Tempo de atraso de activación | VDD= 30 V, VGEN= 10 V, RG=1Ω, euD=1A,RL=15Ω. | --- | 16 | --- | ns |
| Tr | Tempo de subida | --- | 10 | --- | ||
| Td (desactivado) | Tempo de atraso de apagado | --- | 40 | --- | ||
| Tf | Tempo de outono | --- | 35 | --- | ||
| Ciss | Capacidade de entrada | VDS= 30 V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 2680 | --- | pF |
| Coss | Capacidade de saída | --- | 386 | --- | ||
| Crss | Capacidade de transferencia inversa | --- | 160 | --- |
