WSD60N10GDN56 N-canle 100V 60A DFN5X6-8 MOSFET WINSOK
Visión xeral do produto WINSOK MOSFET
A tensión do MOSFET WSD60N10GDN56 é de 100 V, a corrente é de 60 A, a resistencia é de 8,5 mΩ, a canle é de canle N e o paquete é DFN5X6-8.
Áreas de aplicación WINSOK MOSFET
E-cigarros MOSFET, carga sen fíos MOSFET, motores MOSFET, drones MOSFET, coidados médicos MOSFET, cargadores de coche MOSFET, controladores MOSFET, produtos dixitais MOSFET, pequenos electrodomésticos MOSFET, electrónica de consumo MOSFET.
Campos de aplicación MOSFET WINSOK MOSFET corresponde a outros números de material de marca
AOS MOSFET AON6226,AON6294,AON6298,AONS6292,AONS6692,AONS66923.Onsemi,FAIRCHILD MOSFET NTMFS6B14N.VISHAY MOSFET SiR84DP,SiR87ADP.INFINEON,IRTOSPHANSFET3 MOSFET3,IRTOSPHANSFET6B14N. 8R8ANH.PANJIT MOSFET PJQ5478A.NIKO-SEM MOSFET P81BKA.POTENS Semiconductor MOSFET PDC92X.
Parámetros MOSFET
| Símbolo | Parámetro | Valoración | Unidades |
| VDS | Tensión drenaxe-fonte | 100 | V |
| VGS | Tensión porta-fonte | ± 20 | V |
| ID@TC= 25 ℃ | Corrente de drenaxe continua | 60 | A |
| IDP | Corrente de drenaxe pulsada | 210 | A |
| EAS | Enerxía de avalancha, pulso único | 100 | mJ |
| PD@TC= 25 ℃ | Disipación total de potencia | 125 | W |
| TSTG | Rango de temperatura de almacenamento | -55 a 150 | ℃ |
| TJ | Rango de temperatura da unión de funcionamento | -55 a 150 | ℃ |
| Símbolo | Parámetro | Condicións | Min. | Típ. | Máx. | Unidade |
| BVDSS | Tensión de avaría drenaxe-fonte | VGS= 0 V, ID= 250 uA | 100 | --- | --- | V |
| Resistencia de drenaxe-fonte estático | VGS = 10 V, ID = 10 A. | --- | 8.5 | 10. 0 | mΩ | |
| RDS(ON) | VGS = 4,5 V, ID = 10 A. | --- | 9.5 | 12. 0 | mΩ | |
| VGS(th) | Tensión límite de porta | VGS=VDS, euD= 250 uA | 1.0 | --- | 2.5 | V |
| IDSS | Corrente de fuga drenaxe-fonte | VDS= 80 V, VGS= 0 V, TJ= 25 ℃ | --- | --- | 1 | uA |
| IGSS | Corrente de fuga da fonte | VGS=±20 V, VDS= 0 V | --- | --- | ± 100 | nA |
| Qg | Carga total da porta (10 V) | VDS= 50 V, VGS= 10 V, ID= 25A | --- | 49.9 | --- | nC |
| Qgs | Cargo de porta-fonte | --- | 6.5 | --- | ||
| Qgd | Carga por drenaxe | --- | 12.4 | --- | ||
| Td (activado) | Tempo de atraso de activación | VDD= 50 V, VGS= 10 V,RG= 2,2Ω, ID= 25A | --- | 20.6 | --- | ns |
| Tr | Tempo de subida | --- | 5 | --- | ||
| Td (desactivado) | Tempo de atraso de apagado | --- | 51.8 | --- | ||
| Tf | Tempo de outono | --- | 9 | --- | ||
| Ciss | Capacidade de entrada | VDS= 50 V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 2604 | --- | pF |
| Coss | Capacidade de saída | --- | 362 | --- | ||
| Crss | Capacidade de transferencia inversa | --- | 6.5 | --- | ||
| IS | Fonte de corrente continua | VG=VD=0V, forza de corrente | --- | --- | 60 | A |
| ISP | Fonte de corrente pulsada | --- | --- | 210 | A | |
| VSD | Tensión directa do diodo | VGS= 0 V, IS= 12A, TJ= 25 ℃ | --- | --- | 1.3 | V |
| trr | Tempo de recuperación inversa | IF=12A,dI/dt=100A/µs,TJ= 25 ℃ | --- | 60.4 | --- | nS |
| Qrr | Cargo de recuperación inversa | --- | 106.1 | --- | nC |
