WSD60N12GDN56 N-canle 120V 70A DFN5X6-8 MOSFET WINSOK
Visión xeral do produto WINSOK MOSFET
A tensión do MOSFET WSD60N12GDN56 é de 120 V, a corrente é de 70 A, a resistencia é de 10 mΩ, a canle é de canle N e o paquete é DFN5X6-8.
Áreas de aplicación WINSOK MOSFET
Equipo médico MOSFET, drones MOSFET, fontes de alimentación PD MOSFET, fontes de alimentación LED MOSFET, equipos industriais MOSFET.
Campos de aplicación MOSFET WINSOK MOSFET corresponde a outros números de material de marca
AOS MOSFET AON6226,AON6294,AON6298,AONS6292,AONS6692,AONS66923.PANJIT MOSFET PSMQC76N12LS1.POTENS Semiconductor MOSFET PDC974X.
Parámetros MOSFET
| Símbolo | Parámetro | Valoración | Unidades |
| VDS | Tensión drenaxe-fonte | 120 | V |
| VGS | Tensión porta-fonte | ± 20 | V |
| ID@TC= 25 ℃ | Corrente de drenaxe continua | 70 | A |
| IDP | Corrente de drenaxe pulsada | 150 | A |
| EAS | Enerxía de avalancha, pulso único | 53.8 | mJ |
| PD@TC= 25 ℃ | Disipación total de potencia | 140 | W |
| TSTG | Rango de temperatura de almacenamento | -55 a 150 | ℃ |
| TJ | Rango de temperatura da unión de funcionamento | -55 a 150 | ℃ |
| Símbolo | Parámetro | Condicións | Min. | Típ. | Máx. | Unidade |
| BVDSS | Tensión de avaría drenaxe-fonte | VGS= 0 V, ID= 250 uA | 120 | --- | --- | V |
| Resistencia de drenaxe-fonte estático | VGS = 10 V, ID = 10 A. | --- | 10 | 15 | mΩ | |
| RDS(ON) | VGS = 4,5 V, ID = 10 A. | --- | 18 | 25 | mΩ | |
| VGS(th) | Tensión límite de porta | VGS=VDS, euD= 250 uA | 1.2 | --- | 2.5 | V |
| IDSS | Corrente de fuga drenaxe-fonte | VDS= 80 V, VGS= 0 V, TJ= 25 ℃ | --- | --- | 1 | uA |
| IGSS | Corrente de fuga da fonte | VGS=±20 V, VDS= 0 V | --- | --- | ± 100 | nA |
| Qg | Carga total da porta (10 V) | VDS= 50 V, VGS= 10 V, ID= 25A | --- | 33 | --- | nC |
| Qgs | Cargo de porta-fonte | --- | 5.6 | --- | ||
| Qgd | Carga por drenaxe | --- | 7.2 | --- | ||
| Td (activado) | Tempo de atraso de activación | VDD= 50 V, VGS= 10 V, RG= 2Ω, ID= 25A | --- | 22 | --- | ns |
| Tr | Tempo de subida | --- | 10 | --- | ||
| Td (desactivado) | Tempo de atraso de apagado | --- | 85 | --- | ||
| Tf | Tempo de outono | --- | 112 | --- | ||
| Ciss | Capacidade de entrada | VDS= 50 V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 2640 | --- | pF |
| Coss | Capacidade de saída | --- | 330 | --- | ||
| Crss | Capacidade de transferencia inversa | --- | 11 | --- | ||
| IS | Fonte de corrente continua | VG=VD=0V, forza de corrente | --- | --- | 50 | A |
| ISP | Fonte de corrente pulsada | --- | --- | 150 | A | |
| VSD | Tensión directa do diodo | VGS= 0 V, IS= 12A, TJ= 25 ℃ | --- | --- | 1.3 | V |
| trr | Tempo de recuperación inversa | IF=25A,dI/dt=100A/µs,TJ= 25 ℃ | --- | 62 | --- | nS |
| Qrr | Cargo de recuperación inversa | --- | 135 | --- | nC |
