WSD75100DN56 N-channel 75V 100A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
Visión xeral do produto WINSOK MOSFET
A tensión do MOSFET WSD75100DN56 é de 75 V, a corrente é de 100 A, a resistencia é de 5,3 mΩ, a canle é de canle N e o paquete é DFN5X6-8.
Áreas de aplicación WINSOK MOSFET
E-cigarros MOSFET, MOSFET de carga sen fíos, drones MOSFET, MOSFET de coidados médicos, cargadores de coche MOSFET, controladores MOSFET, produtos dixitais MOSFET, pequenos electrodomésticos MOSFET, MOSFET de electrónica de consumo.
WINSOK MOSFET corresponde a outros números de material da marca
AOS MOSFET AON6276, AON6278, AON628, AON6282, AON6448.ONSEMI, Fairchild Mosfet NVMFS6H824N.Stmicroelectronics Mosfet STL1N8F7.Infineon, IR MOSFET BSC42NETS3G, BSC36NETR, IR MOSFET BSCOTS3G. DC7966X.
Parámetros MOSFET
| Símbolo | Parámetro | Valoración | Unidades |
| VDS | Tensión drenaxe-fonte | 75 | V |
| VGS | Porta-Source Tensión | ±25 | V |
| TJ | Temperatura máxima de unión | 150 | °C |
| ID | Rango de temperatura de almacenamento | -55 a 150 | °C |
| IS | Diodo de corrente directa continua, TC= 25 °C | 50 | A |
| ID | Corriente de drenaxe continua, VGS= 10 V, TC= 25 °C | 100 | A |
| Corriente de drenaxe continua, VGS= 10 V, TC= 100 °C | 73 | A | |
| IDM | Corrente de drenaxe pulsada, TC= 25 °C | 400 | A |
| PD | Disipación de potencia máxima, TC= 25 °C | 155 | W |
| Disipación de potencia máxima, TC= 100 °C | 62 | W | |
| RθJA | Resistencia térmica-unión ao ambiente ,t =10s ̀ | 20 | °C |
| Resistencia térmica-unión ao ambiente, estado estacionario | 60 | °C | |
| RqJC | Resistencia térmica-unión a carcasa | 0,8 | °C |
| IAS | Corrente de avalancha, pulso único, L=0,5 mH | 30 | A |
| EAS | Enerxía de avalancha, pulso único, L=0,5 mH | 225 | mJ |
| Símbolo | Parámetro | Condicións | Min. | Típ. | Máx. | Unidade |
| BVDSS | Tensión de avaría drenaxe-fonte | VGS= 0 V, ID= 250 uA | 75 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSSCoeficiente de temperatura | Referencia 25℃, euD= 1 mA | --- | 0,043 | --- | V/℃ |
| RDS(ON) | Resistencia de drenaxe-fonte estático2 | VGS=10V, ID= 25A | --- | 5.3 | 6.4 | mΩ |
| VGS(th) | Tensión límite de porta | VGS=VDS, euD= 250 uA | 2.0 | 3.0 | 4.0 | V |
| △VGS (th) | VGS (th)Coeficiente de temperatura | --- | -6,94 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Corrente de fuga drenaxe-fonte | VDS= 48 V, VGS= 0 V, TJ= 25℃ | --- | --- | 2 | uA |
| VDS= 48 V, VGS= 0 V, TJ= 55℃ | --- | --- | 10 | |||
| IGSS | Corrente de fuga da fonte | VGS=±20 V, VDS= 0 V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Transcondutividade directa | VDS= 5 V, ID= 20A | --- | 50 | --- | S |
| Rg | Resistencia de porta | VDS= 0 V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 1.0 | 2 | Ω |
| Qg | Carga total da porta (10 V) | VDS= 20 V, VGS= 10 V, ID= 40 A | --- | 65 | 85 | nC |
| Qgs | Cargo de porta-fonte | --- | 20 | --- | ||
| Qgd | Carga por drenaxe | --- | 17 | --- | ||
| Td (activado) | Tempo de atraso de activación | VDD= 30 V, VGEN= 10 V, RG=1Ω, euD=1A,RL=15Ω. | --- | 27 | 49 | ns |
| Tr | Tempo de subida | --- | 14 | 26 | ||
| Td (desactivado) | Tempo de atraso de apagado | --- | 60 | 108 | ||
| Tf | Tempo de outono | --- | 37 | 67 | ||
| Ciss | Capacidade de entrada | VDS= 20 V, VGS=0V, f=1MHz | 3450 | 3500 | 4550 | pF |
| Coss | Capacidade de saída | 245 | 395 | 652 | ||
| Crss | Capacidade de transferencia inversa | 100 | 195 | 250 |
