WSD75N12GDN56 N-canle 120V 75A DFN5X6-8 MOSFET WINSOK
Visión xeral do produto WINSOK MOSFET
A tensión do MOSFET WSD75N12GDN56 é de 120 V, a corrente é de 75 A, a resistencia é de 6 mΩ, a canle é de canle N e o paquete é DFN5X6-8.
Áreas de aplicación WINSOK MOSFET
Equipos médicos MOSFET, drones MOSFET, fontes de alimentación PD MOSFET, fontes de alimentación LED MOSFET, equipos industriais MOSFET.
Campos de aplicación MOSFET WINSOK MOSFET corresponde a outros números de material de marca
AOS MOSFET AON6226,AON6294,AON6298,AONS6292,AONS6692,AONS66923.PANJIT MOSFET PSMQC76N12LS1.
Parámetros MOSFET
| Símbolo | Parámetro | Valoración | Unidades |
| VDSS | Tensión de drenaxe a fonte | 120 | V |
| VGS | Tensión de porta a fonte | ± 20 | V |
| ID | 1 Corrente de drenaxe continua (Tc=25℃) | 75 | A |
| ID | 1 Corrente de drenaxe continua (Tc=70 ℃) | 70 | A |
| IDM | Corrente de drenaxe pulsada | 320 | A |
| IAR | Corrente de avalancha de pulso único | 40 | A |
| EASa | Enerxía de avalancha dun só pulso | 240 | mJ |
| PD | Disipación de potencia | 125 | W |
| TJ, Tstg | Intervalo de temperatura de almacenamento e unión de funcionamento | -55 a 150 | ℃ |
| TL | Temperatura máxima para soldar | 260 | ℃ |
| RθJC | Resistencia térmica, unión a carcasa | 1.0 | ℃/W |
| RθJA | Resistencia térmica, unión ao ambiente | 50 | ℃/W |
| Símbolo | Parámetro | Condicións da proba | Min. | Típ. | Máx. | Unidades |
| VDSS | Tensión de avaría de drenaxe a fonte | VGS=0V, ID=250µA | 120 | -- | -- | V |
| IDSS | Corrente de fuga de drenaxe á fonte | VDS = 120 V, VGS = 0 V | -- | -- | 1 | µA |
| IGSS(F) | Fuga directa da porta á fonte | VGS = + 20 V | -- | -- | 100 | nA |
| IGSS(R) | Fuga inversa da porta á fonte | VGS = -20 V | -- | -- | -100 | nA |
| VGS(TH) | Tensión límite de porta | VDS=VGS, ID = 250µA | 2.5 | 3.0 | 3.5 | V |
| RDS(ON)1 | Resistencia de drenaxe a fonte | VGS=10V, ID=20A | -- | 6.0 | 6.8 | mΩ |
| gFS | Transcondutividade directa | VDS=5V, ID=50A | 130 | -- | S | |
| Ciss | Capacidade de entrada | VGS = 0 V VDS = 50 V f =1,0 MHz | -- | 4282 | -- | pF |
| Coss | Capacidade de saída | -- | 429 | -- | pF | |
| Crs | Capacidade de transferencia inversa | -- | 17 | -- | pF | |
| Rg | Resistencia de porta | -- | 2.5 | -- | Ω | |
| td (ON) | Tempo de atraso de activación | ID = 20 A VDS = 50 V VGS = 10 V RG = 5 Ω | -- | 20 | -- | ns |
| tr | Tempo de subida | -- | 11 | -- | ns | |
| td (DESACTIVADO) | Tempo de atraso de apagado | -- | 55 | -- | ns | |
| tf | Tempo de outono | -- | 28 | -- | ns | |
| Qg | Cargo total de porta | VGS = 0~10V VDS = 50VID = 20A | -- | 61.4 | -- | nC |
| Qgs | Cargo de orixe da porta | -- | 17.4 | -- | nC | |
| Qgd | Carga de drenaxe de porta | -- | 14.1 | -- | nC | |
| IS | Corrente directa do diodo | TC = 25 °C | -- | -- | 100 | A |
| ISM | Corrente de pulso de diodo | -- | -- | 320 | A | |
| VSD | Tensión directa do diodo | IS = 6,0 A, VGS = 0 V | -- | -- | 1.2 | V |
| trr | Tempo de recuperación inversa | IS=20A, VDD=50V dIF/dt=100A/μs | -- | 100 | -- | ns |
| Qrr | Cargo de recuperación inversa | -- | 250 | -- | nC |
