WSD80100DN56 N-channel 80V 100A DFN5X6-8 MOSFET WINSOK

produtos

WSD80100DN56 N-channel 80V 100A DFN5X6-8 MOSFET WINSOK

breve descrición:

Número de peza:WSD80100DN56

BVDSS:80 V

ID:100A

RDSON:6,1 mΩ

Canle:Canle N

Paquete:DFN5X6-8


Detalle do produto

Aplicación

Etiquetas de produtos

Visión xeral do produto WINSOK MOSFET

A tensión do MOSFET WSD80100DN56 é de 80 V, a corrente é de 100 A, a resistencia é de 6,1 mΩ, a canle é de canle N e o paquete é DFN5X6-8.

Áreas de aplicación WINSOK MOSFET

Drones MOSFET, motores MOSFET, electrónica automotriz MOSFET, grandes electrodomésticos MOSFET.

WINSOK MOSFET corresponde a outros números de material da marca

AOS MOSFET AON6276,AONS62814T.STMicroelectronics MOSFET STL1N8F7.POTENS Semiconductor MOSFET PDC7966X.

Parámetros MOSFET

Símbolo

Parámetro

Valoración

Unidades

VDS

Tensión drenaxe-fonte

80

V

VGS

Porta-Source Tensión

±20

V

TJ

Temperatura máxima de unión

150

°C

ID

Rango de temperatura de almacenamento

-55 a 150

°C

ID

Corriente de drenaxe continua, VGS= 10 V, TC= 25 °C

100

A

Corriente de drenaxe continua, VGS= 10 V, TC= 100 °C

80

A

IDM

Corrente de drenaxe pulsada, TC= 25 °C

380

A

PD

Disipación de potencia máxima, TC= 25 °C

200

W

RqJC

Resistencia térmica-unión a carcasa

0,8

°C

EAS

Enerxía de avalancha, pulso único, L=0,5 mH

800

mJ

 

Símbolo

Parámetro

Condicións

Min.

Típ.

Máx.

Unidade

BVDSS

Tensión de avaría drenaxe-fonte VGS= 0 V, ID= 250 uA

80

---

---

V

BVDSS/△TJ

BVDSSCoeficiente de temperatura Referencia 25, euD= 1 mA

---

0,043

---

V/

RDS(ON)

Resistencia de drenaxe-fonte estático2 VGS=10V, ID= 40 A

---

6.1

8.5

mΩ

VGS(th)

Tensión límite de porta VGS=VDS, euD= 250 uA

2.0

3.0

4.0

V

VGS (th)

VGS (th)Coeficiente de temperatura

---

-6,94

---

mV/

IDSS

Corrente de fuga drenaxe-fonte VDS= 48 V, VGS= 0 V, TJ= 25

---

---

2

uA

VDS= 48 V, VGS= 0 V, TJ= 55

---

---

10

IGSS

Corrente de fuga da fonte VGS=±20 V, VDS= 0 V

---

---

±100

nA

gfs

Transcondutividade directa VDS= 5 V, ID= 20A

80

---

---

S

Qg

Carga total da porta (10 V) VDS= 30 V, VGS= 10 V, ID= 30 A

---

125

---

nC

Qgs

Cargo de porta-fonte

---

24

---

Qgd

Carga por drenaxe

---

30

---

Td (activado)

Tempo de atraso de activación VDD= 30 V, VGS= 10 V,

RG= 2,5Ω, euD=2A,RL=15Ω.

---

20

---

ns

Tr

Tempo de subida

---

19

---

Td (desactivado)

Tempo de atraso de apagado

---

70

---

Tf

Tempo de outono

---

30

---

Ciss

Capacidade de entrada VDS= 25 V, VGS=0V, f=1MHz

---

4900

---

pF

Coss

Capacidade de saída

---

410

---

Crss

Capacidade de transferencia inversa

---

315

---


  • Anterior:
  • Seguinte:

  • Escribe aquí a túa mensaxe e envíanolo