WSD80120DN56 N-canle 85V 120A DFN5X6-8 MOSFET WINSOK
Visión xeral do produto WINSOK MOSFET
A tensión do MOSFET WSD80120DN56 é de 85 V, a corrente é de 120 A, a resistencia é de 3,7 mΩ, a canle é de canle N e o paquete é DFN5X6-8.
Áreas de aplicación WINSOK MOSFET
MOSFET de tensión médica, equipos fotográficos MOSFET, drones MOSFET, control industrial MOSFET, 5G MOSFET, MOSFET de electrónica automotriz.
WINSOK MOSFET corresponde a outros números de material da marca
AOS MOSFET AON6276,AONS62814T.STMicroelectronics MOSFET STL13N8F7,STL135N8F7AG.
Parámetros MOSFET
| Símbolo | Parámetro | Valoración | Unidades |
| VDS | Tensión drenaxe-fonte | 85 | V |
| VGS | Porta-Source Tensión | ±25 | V |
| ID@TC= 25℃ | Corriente de drenaxe continua, VGS@ 10 V | 120 | A |
| ID@TC= 100℃ | Corriente de drenaxe continua, VGS@ 10 V | 96 | A |
| IDM | Corrente de drenaxe pulsada..TC= 25 °C | 384 | A |
| EAS | Enerxía de avalancha, pulso único, L=0,5 mH | 320 | mJ |
| IAS | Corrente de avalancha, pulso único, L=0,5 mH | 180 | A |
| PD@TC= 25℃ | Disipación total de potencia | 104 | W |
| PD@TC= 100℃ | Disipación total de potencia | 53 | W |
| TSTG | Rango de temperatura de almacenamento | -55 a 175 | ℃ |
| TJ | Rango de temperatura da unión de funcionamento | 175 | ℃ |
| Símbolo | Parámetro | Condicións | Min. | Típ. | Máx. | Unidade |
| BVDSS | Tensión de avaría drenaxe-fonte | VGS= 0 V, ID= 250 uA | 85 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSSCoeficiente de temperatura | Referencia 25℃, euD= 1 mA | --- | 0,096 | --- | V/℃ |
| RDS(ON) | Resistencia de drenaxe-fonte estático | VGS= 10 V, ID= 50 A | --- | 3.7 | 4.8 | mΩ |
| VGS(th) | Tensión límite de porta | VGS=VDS, euD= 250 uA | 2.0 | 3.0 | 4.0 | V |
| △VGS (th) | VGS (th)Coeficiente de temperatura | --- | -5.5 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Corrente de fuga drenaxe-fonte | VDS= 85 V, VGS= 0 V, TJ= 25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS= 85 V, VGS= 0 V, TJ= 55℃ | --- | --- | 10 | |||
| IGSS | Corrente de fuga da fonte | VGS=±25 V, VDS= 0 V | --- | --- | ±100 | nA |
| Rg | Resistencia de porta | VDS= 0 V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 3.2 | --- | Ω |
| Qg | Carga total da porta (10 V) | VDS= 50 V, VGS= 10 V, ID= 10A | --- | 54 | --- | nC |
| Qgs | Cargo de porta-fonte | --- | 17 | --- | ||
| Qgd | Carga por drenaxe | --- | 11 | --- | ||
| Td (activado) | Tempo de atraso de activación | VDD= 50 V, VGS= 10 V, RG=1Ω,RL=1Ω,IDS=10A. | --- | 21 | --- | ns |
| Tr | Tempo de subida | --- | 18 | --- | ||
| Td (desactivado) | Tempo de atraso de apagado | --- | 36 | --- | ||
| Tf | Tempo de outono | --- | 10 | --- | ||
| Ciss | Capacidade de entrada | VDS= 40 V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 3750 | --- | pF |
| Coss | Capacidade de saída | --- | 395 | --- | ||
| Crss | Capacidade de transferencia inversa | --- | 180 | --- |
