MOSFET WINSOK WSF4022 de dobre canle N 40V 20A TO-252-4L

produtos

MOSFET WINSOK WSF4022 de dobre canle N 40V 20A TO-252-4L

Descrición curta:


  • Número de modelo:WSF4022
  • BVDSS:40 V
  • RDSON:21 mΩ
  • ID:20A
  • Canle:Dobre canle N
  • Paquete:TO-252-4L
  • Produto de verán:A tensión do MOSFET WSF30150 é de 40 V, a corrente é de 20 A, a resistencia é de 21 mΩ, a canle é de dobre canle N e o paquete é TO-252-4L.
  • Aplicacións:Cigarros electrónicos, carga sen fíos, motores, fontes de alimentación de emerxencia, drons, atención médica, cargadores de coches, controladores, produtos dixitais, pequenos electrodomésticos, produtos electrónicos de consumo.
  • Detalle do produto

    Aplicación

    Etiquetas de produtos

    Descrición xeral

    O WSF4022 é o MOSFET N-Ch dobre de trincheira de maior rendemento cunha densidade de células extremadamente alta, que proporciona unha excelente carga de RDSON e de porta para a maioría das aplicacións de conversor buck síncrono. O WSF4022 cumpre os requisitos de RoHS e produtos ecolóxicos 100% EAS garantido cunha función completa. fiabilidade aprobada.

    características

    Para Fan Pre-driver H-Bridge, control de motor, rectificación síncrona, cigarros electrónicos, carga sen fíos, motores, fontes de alimentación de emerxencia, drons, atención médica, cargadores de coche, controladores, produtos dixitais, pequenos electrodomésticos, produtos electrónicos de consumo.

    Aplicacións

    Para Fan Pre-driver H-Bridge, control de motor, rectificación síncrona, cigarros electrónicos, carga sen fíos, motores, fontes de alimentación de emerxencia, drons, atención médica, cargadores de coche, controladores, produtos dixitais, pequenos electrodomésticos, produtos electrónicos de consumo.

    número de material correspondente

    AOS

    Parámetros importantes

    Símbolo Parámetro   Valoración Unidades
    VDS Tensión drenaxe-fonte   40 V
    VGS Tensión porta-fonte   ± 20 V
    ID Corrente de descarga (continua) *CA TC = 25 °C 20* A
    ID Corrente de descarga (continua) *CA TC = 100 °C 20* A
    ID Corrente de descarga (continua) *CA TA=25°C 12.2 A
    ID Corrente de descarga (continua) *CA TA=70°C 10.2 A
    IDMa Corrente de drenaxe pulsada TC = 25 °C 80* A
    EASb Enerxía de avalancha de pulso único L = 0,5 mH 25 mJ
    IAS b Corrente de avalancha L = 0,5 mH 17.8 A
    PD Disipación de potencia máxima TC = 25 °C 39.4 W
    PD Disipación de potencia máxima TC = 100 °C 19.7 W
    PD Disipación de potencia TA=25°C 6.4 W
    PD Disipación de potencia TA=70°C 4.2 W
    TJ Rango de temperatura da unión de funcionamento   175
    TSTG Temperatura de funcionamento/Temperatura de almacenamento   -55~175
    RθJA b Resistencia térmica Unión-Ambiente Estado estacionario c 60 ℃/W
    RθJC Resistencia térmica Unión a carcasa   3.8 ℃/W
    Símbolo Parámetro Condicións Min. Típ. Máx. Unidade
    Estática      
    V(BR)DSS Tensión de avaría drenaxe-fonte VGS = 0 V, ID = 250 μA 40     V
    IDSS Corriente de drenaxe de voltaxe de porta cero VDS = 32 V, VGS = 0 V     1 µA
    IDSS Corriente de drenaxe de voltaxe de porta cero VDS = 32 V, VGS = 0 V, TJ = 85 °C     30 µA
    IGSS Corrente de fuga de porta VGS = ±20 V, VDS = 0 V     ± 100 nA
    VGS(th) Tensión límite de porta VGS = VDS, IDS = 250 µA 1.1 1.6 2.5 V
    RDS (activado) d Resistencia de estado de drenaxe-fonte VGS = 10 V, ID = 10 A   16 21
    VGS = 4,5 V, ID = 5 A   18 25
    Encargado de Porta      
    Qg Cargo total de porta VDS=20V,VGS=4,5V, ID=10A   7.5   nC
    Qgs Cargo de porta-fonte   3.24   nC
    Qgd Carga por drenaxe   2,75   nC
    Dinámica      
    Ciss Capacidade de entrada VGS=0V, VDS=20V, f=1MHz   815   pF
    Coss Capacidade de saída   95   pF
    Crs Capacidade de transferencia inversa   60   pF
    td (activado) Tempo de atraso de activación VDD=20V, VGEN=10V,

    IDS=1A,RG=6Ω,RL=20Ω.

      7.8   ns
    tr Tempo de subida de activación   6.9   ns
    td (desactivado) Tempo de atraso de apagado   22.4   ns
    tf Tempo de outono de desactivación   4.8   ns
    Diodo      
    VSDd Tensión directa do diodo ISD=1A, VGS=0V   0,75 1.1 V
    trr Capacidade de entrada IDS=10A, dlSD/dt=100A/µs   13   ns
    Qrr Capacidade de saída   8.7   nC

  • Anterior:
  • Seguinte:

  • Escribe aquí a túa mensaxe e envíanolo

    Produtocategorías