WSF4022 MOSFET WINSOK de dobre canle N 40V 20A TO-252-4L
Descrición xeral
O WSF4022 é o MOSFET N-Ch dobre de trincheira de maior rendemento cunha densidade de células extremadamente alta, que proporciona unha excelente carga RDSON e de porta para a maioría das aplicacións de conversor buck síncrono. O WSF4022 cumpre os requisitos de RoHS e produtos ecolóxicos 100% EAS garantido cunha función completa. fiabilidade aprobada.
Características
Para Fan Pre-driver H-Bridge, control de motor, rectificación síncrona, cigarros electrónicos, carga sen fíos, motores, fontes de alimentación de emerxencia, drons, atención médica, cargadores de coche, controladores, produtos dixitais, pequenos electrodomésticos, produtos electrónicos de consumo.
Aplicacións
Para Fan Pre-driver H-Bridge, control de motor, rectificación síncrona, cigarros electrónicos, carga sen fíos, motores, fontes de alimentación de emerxencia, drons, atención médica, cargadores de coche, controladores, produtos dixitais, pequenos electrodomésticos, produtos electrónicos de consumo.
número de material correspondente
AOS
Parámetros importantes
Símbolo | Parámetro | Valoración | Unidades | |
VDS | Tensión drenaxe-fonte | 40 | V | |
VGS | Tensión porta-fonte | ± 20 | V | |
ID | Corrente de descarga (continua) *CA | TC = 25 °C | 20* | A |
ID | Corrente de descarga (continua) *CA | TC = 100 °C | 20* | A |
ID | Corrente de descarga (continua) *CA | TA=25°C | 12.2 | A |
ID | Corrente de descarga (continua) *CA | TA=70°C | 10.2 | A |
IDMa | Corrente de drenaxe pulsada | TC = 25 °C | 80* | A |
EASb | Enerxía de avalancha de pulso único | L = 0,5 mH | 25 | mJ |
IAS b | Corrente de avalancha | L = 0,5 mH | 17.8 | A |
PD | Disipación de potencia máxima | TC = 25 °C | 39.4 | W |
PD | Disipación de potencia máxima | TC = 100 °C | 19.7 | W |
PD | Disipación de potencia | TA=25°C | 6.4 | W |
PD | Disipación de potencia | TA=70°C | 4.2 | W |
TJ | Rango de temperatura da unión de funcionamento | 175 | ℃ | |
TSTG | Temperatura de funcionamento/Temperatura de almacenamento | -55~175 | ℃ | |
RθJA b | Resistencia térmica Unión-Ambiente | Estado estacionario c | 60 | ℃/W |
RθJC | Resistencia térmica Unión a carcasa | 3.8 | ℃/W |
Símbolo | Parámetro | Condicións | Min. | Típ. | Máx. | Unidade |
Estática | ||||||
V(BR)DSS | Tensión de avaría drenaxe-fonte | VGS = 0 V, ID = 250 μA | 40 | V | ||
IDSS | Corrente de drenaxe de voltaxe de porta cero | VDS = 32 V, VGS = 0 V | 1 | µA | ||
IDSS | Corrente de drenaxe de voltaxe de porta cero | VDS = 32 V, VGS = 0 V, TJ = 85 °C | 30 | µA | ||
IGSS | Corrente de fuga de porta | VGS = ±20 V, VDS = 0 V | ± 100 | nA | ||
VGS(th) | Tensión límite de porta | VGS = VDS, IDS = 250 µA | 1.1 | 1.6 | 2.5 | V |
RDS (activado) d | Resistencia de estado de drenaxe-fonte | VGS = 10 V, ID = 10 A | 16 | 21 | mΩ | |
VGS = 4,5 V, ID = 5 A | 18 | 25 | mΩ | |||
Encargado de Porta | ||||||
Qg | Cargo total de porta | VDS=20V,VGS=4,5V, ID=10A | 7.5 | nC | ||
Qgs | Cargo de porta-fonte | 3.24 | nC | |||
Qgd | Carga por drenaxe | 2,75 | nC | |||
Dinámica | ||||||
Ciss | Capacidade de entrada | VGS=0V, VDS=20V, f=1MHz | 815 | pF | ||
Coss | Capacidade de saída | 95 | pF | |||
Crs | Capacidade de transferencia inversa | 60 | pF | |||
td (activado) | Tempo de atraso de activación | VDD=20V, VGEN=10V, IDS=1A,RG=6Ω,RL=20Ω. | 7.8 | ns | ||
tr | Tempo de subida de activación | 6.9 | ns | |||
td (desactivado) | Tempo de atraso de apagado | 22.4 | ns | |||
tf | Tempo de outono de desactivación | 4.8 | ns | |||
Diodo | ||||||
VSDd | Tensión directa do diodo | ISD=1A, VGS=0V | 0,75 | 1.1 | V | |
trr | Capacidade de entrada | IDS=10A, dlSD/dt=100A/µs | 13 | ns | ||
Qrr | Capacidade de saída | 8.7 | nC |