WSF6012 N&P-Channel 60V/-60V 20A/-15A TO-252-4L WINSOK MOSFET
Descrición xeral
O MOSFET WSF6012 é un dispositivo de alto rendemento cun deseño de alta densidade celular.Proporciona unha excelente carga RDSON e de porta adecuadas para a maioría das aplicacións de conversor buck sincrónico.Ademais, cumpre os requisitos de RoHS e produtos ecolóxicos e inclúe unha garantía EAS do 100 % para unha funcionalidade e fiabilidade completas.
características
Tecnoloxía avanzada de trincheiras con alta densidade de células, carga de porta súper baixa, excelente descenso do efecto CdV/dt, garantía EAS do 100 % e opcións de dispositivos respectuosas co medio ambiente.
Aplicacións
Convertidor Buck síncrono de punto de carga de alta frecuencia, sistema de alimentación DC-DC de rede, interruptor de carga, cigarros electrónicos, carga sen fíos, motores, fontes de alimentación de emerxencia, drons, asistencia sanitaria, cargadores de coches, controladores, dispositivos dixitais, pequenos electrodomésticos, e electrónica de consumo.
número de material correspondente
AOS AOD603A,
Parámetros importantes
| Símbolo | Parámetro | Valoración | Unidades | |
| Canle N | Canle P | |||
| VDS | Tensión drenaxe-fonte | 60 | -60 | V |
| VGS | Tensión porta-fonte | ± 20 | ± 20 | V |
| ID@TC=25℃ | Corriente de drenaxe continua, VGS @ 10V1 | 20 | -15 | A |
| ID@TC=70℃ | Corriente de drenaxe continua, VGS @ 10V1 | 15 | -10 | A |
| IDM | Corrente de drenaxe pulsada 2 | 46 | -36 | A |
| EAS | Enerxía de avalancha de pulso único 3 | 200 | 180 | mJ |
| IAS | Corrente de avalancha | 59 | -50 | A |
| PD@TC=25℃ | Disipación total de potencia 4 | 34.7 | 34.7 | W |
| TSTG | Rango de temperatura de almacenamento | -55 a 150 | -55 a 150 | ℃ |
| TJ | Rango de temperatura da unión de funcionamento | -55 a 150 | -55 a 150 | ℃ |
| Símbolo | Parámetro | Condicións | Min. | Típ. | Máx. | Unidade |
| BVDSS | Tensión de avaría drenaxe-fonte | VGS=0V, ID=250uA | 60 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | Coeficiente de temperatura BVDSS | Referencia a 25℃, ID=1mA | --- | 0,063 | --- | V/℃ |
| RDS(ON) | Drenaxe-Fonte Estática-Resistencia 2 | VGS=10V, ID=8A | --- | 28 | 37 | mΩ |
| VGS=4,5V, ID=5A | --- | 37 | 45 | |||
| VGS(th) | Tensión límite de porta | VGS=VDS, ID=250uA | 1 | --- | 2.5 | V |
| △VGS(th) | Coeficiente de temperatura VGS(th). | --- | -5.24 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Corrente de fuga drenaxe-fonte | VDS=48V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=48V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | 5 | |||
| IGSS | Corrente de fuga da fonte | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ± 100 | nA |
| gfs | Transcondutividade directa | VDS=5V, ID=8A | --- | 21 | --- | S |
| Rg | Resistencia de porta | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 3.0 | 4.5 | Ω |
| Qg | Carga total da porta (4,5 V) | VDS=48V, VGS=4,5V, ID=8A | --- | 12.6 | 20 | nC |
| Qgs | Cargo de porta-fonte | --- | 3.5 | --- | ||
| Qgd | Carga por drenaxe | --- | 6.3 | --- | ||
| Td (activado) | Tempo de atraso de activación | VDD=30V, VGS=4,5V, RG=3,3Ω, ID=1A | --- | 8 | --- | ns |
| Tr | Tempo de subida | --- | 14.2 | --- | ||
| Td (desactivado) | Tempo de atraso de apagado | --- | 24.6 | --- | ||
| Tf | Tempo de outono | --- | 4.6 | --- | ||
| Ciss | Capacidade de entrada | VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 670 | --- | pF |
| Coss | Capacidade de saída | --- | 70 | --- | ||
| Crs | Capacidade de transferencia inversa | --- | 35 | --- |
