WSF70P02 P-Channel -20V -70A TO-252 WINSOK MOSFET

Descrición curta:

Número de modelo:WSF70P02

BVDSS:-20V

RDSON:6,8 mΩ

ID:-70A

Canle:Canle P

Paquete:TO-252

Produto de verán:O MOSFET WSF70P02 ten unha tensión de -20 V, unha corrente de -70 A, unha resistencia de 6,8 mΩ, unha canle P e un paquete TO-252.

Aplicacións:Cigarros electrónicos, cargadores sen fíos, motores, reservas de enerxía, drons, asistencia sanitaria, cargadores de coches, controladores, produtos electrónicos, electrodomésticos e bens de consumo.

Envíanos un correo electrónico PDF

Detalle do produto

Aplicación

Etiquetas de produtos

Descrición xeral

O MOSFET WSF70P02 é o dispositivo de trincheira de canle P de alto rendemento cunha alta densidade de células.Ofrece unha excelente carga RDSON e de porta para a maioría das aplicacións de conversor de dólares sincrónicos.O dispositivo cumpre os requisitos de RoHS e produtos ecolóxicos, está 100 % garantido por EAS e foi aprobado para a fiabilidade da función total.

características

Tecnoloxía avanzada Trench con alta densidade de células, carga de porta súper baixa, excelente redución do efecto CdV/dt, garantía 100% EAS e opcións para dispositivos respectuosos co medio ambiente.

Aplicacións

Sincrónico de punto de carga de alta frecuencia, conversor Buck para MB/NB/UMPC/VGA, sistema de alimentación DC-DC de rede, interruptor de carga, cigarrillos electrónicos, carga sen fíos, motores, fontes de alimentación de emerxencia, drones, atención médica, cargadores de coche , controladores, produtos dixitais, pequenos electrodomésticos, electrónica de consumo.

número de material correspondente

AOS

Parámetros importantes

Símbolo	Parámetro	Valoración		Unidades
		10s	Estado estacionario
VDS	Tensión drenaxe-fonte	-20		V
VGS	Tensión porta-fonte	± 12		V
ID@TC=25℃	Corriente de drenaxe continua, VGS @ -10V1	-70		A
ID@TC=100℃	Corriente de drenaxe continua, VGS @ -10V1	-36		A
IDM	Corrente de drenaxe pulsada 2	-200		A
EAS	Enerxía de avalancha de pulso único 3	360		mJ
IAS	Corrente de avalancha	-55,4		A
PD@TC=25℃	Disipación total de potencia 4	80		W
TSTG	Rango de temperatura de almacenamento	-55 a 150		℃
TJ	Rango de temperatura da unión de funcionamento	-55 a 150		℃

Símbolo	Parámetro	Condicións	Min.	Típ.	Máx.	Unidade
BVDSS	Tensión de avaría drenaxe-fonte	VGS=0V, ID=-250uA	-20	---	---	V
△BVDSS/△TJ	Coeficiente de temperatura BVDSS	Referencia a 25℃, ID=-1mA	---	-0,018	---	V/℃
RDS(ON)	Drenaxe-Fonte Estática-Resistencia 2	VGS=-4,5 V, ID=-15 A	---	6.8	9.0	mΩ
RDS(ON)	Drenaxe-Fonte Estática-Resistencia 2					mΩ
		VGS=-2,5 V, ID=-10 A	---	8.2	11
VGS(th)	Tensión límite de porta	VGS=VDS, ID=-250uA	-0,4	-0,6	-1.2	V
		VGS=VDS, ID=-250uA
△VGS(th)	Coeficiente de temperatura VGS(th).		---	2,94	---	mV/℃
IDSS	Corrente de fuga drenaxe-fonte	VDS=-20V, VGS=0V, TJ=25℃	---	---	1	uA
IDSS	Corrente de fuga drenaxe-fonte					uA
		VDS=-20V, VGS=0V, TJ=55℃	---	---	5
IGSS	Corrente de fuga da fonte	VGS=±12V, VDS=0V	---	---	± 100	nA
gfs	Transcondutividade directa	VDS=-5V, ID=-10A	---	45	---	S
Qg	Carga total da porta (-4,5 V)	VDS=-15V, VGS=-4,5V, ID=-10A	---	63	---	nC
Qgs	Cargo de porta-fonte		---	9.1	---
Qgd	Carga por drenaxe		---	13	---
Td (activado)	Tempo de atraso de activación	VDD=-10 V, VGS=-4,5 V, RG=3,3Ω, ID=-10A	---	16	---	ns
Tr	Tempo de subida		---	77	---
Td (desactivado)	Tempo de atraso de apagado		---	195	---
Tf	Tempo de outono		---	186	---
Ciss	Capacidade de entrada	VDS=-10V, VGS=0V, f=1MHz	---	5783	---	pF
Coss	Capacidade de saída		---	520	---
Crs	Capacidade de transferencia inversa		---	445	---