WSF70P02 P-Channel -20V -70A TO-252 WINSOK MOSFET
Descrición xeral
O MOSFET WSF70P02 é o dispositivo de trincheira de canle P de alto rendemento cunha alta densidade de células. Ofrece unha excelente carga RDSON e de porta para a maioría das aplicacións de conversor de dólares sincrónicos. O dispositivo cumpre os requisitos de RoHS e produtos ecolóxicos, está 100 % garantido por EAS e foi aprobado para a fiabilidade da función total.
Características
Tecnoloxía avanzada Trench con alta densidade de células, carga de porta súper baixa, excelente redución do efecto CdV/dt, garantía 100% EAS e opcións para dispositivos respectuosos co medio ambiente.
Aplicacións
Sincrónico de punto de carga de alta frecuencia, conversor Buck para MB/NB/UMPC/VGA, sistema de alimentación DC-DC en rede, interruptor de carga, cigarrillos electrónicos, carga sen fíos, motores, fontes de alimentación de emerxencia, drones, atención médica, cargadores de coche , controladores, produtos dixitais, pequenos electrodomésticos, electrónica de consumo.
número de material correspondente
AOS
Parámetros importantes
| Símbolo | Parámetro | Valoración | Unidades | |
| 10s | Estado estacionario | |||
| VDS | Tensión drenaxe-fonte | -20 | V | |
| VGS | Tensión porta-fonte | ± 12 | V | |
| ID@TC=25℃ | Corriente de drenaxe continua, VGS @ -10V1 | -70 | A | |
| ID@TC=100℃ | Corriente de drenaxe continua, VGS @ -10V1 | -36 | A | |
| IDM | Corrente de drenaxe pulsada 2 | -200 | A | |
| EAS | Enerxía de avalancha de pulso único 3 | 360 | mJ | |
| IAS | Corrente de avalancha | -55,4 | A | |
| PD@TC=25℃ | Disipación total de potencia 4 | 80 | W | |
| TSTG | Rango de temperatura de almacenamento | -55 a 150 | ℃ | |
| TJ | Rango de temperatura da unión de funcionamento | -55 a 150 | ℃ | |
| Símbolo | Parámetro | Condicións | Min. | Típ. | Máx. | Unidade |
| BVDSS | Tensión de avaría drenaxe-fonte | VGS=0V, ID=-250uA | -20 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | Coeficiente de temperatura BVDSS | Referencia a 25℃, ID=-1mA | --- | -0,018 | --- | V/℃ |
| RDS(ON) | Drenaxe-Fonte Estática-Resistencia 2 | VGS=-4,5 V, ID=-15 A | --- | 6.8 | 9.0 | mΩ |
| VGS=-2,5 V, ID=-10 A | --- | 8.2 | 11 | |||
| VGS(th) | Tensión límite de porta | VGS=VDS, ID=-250uA | -0,4 | -0,6 | -1.2 | V |
| △VGS(th) | Coeficiente de temperatura VGS(th). | --- | 2,94 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Corrente de fuga drenaxe-fonte | VDS=-20V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=-20V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | 5 | |||
| IGSS | Corrente de fuga da fonte | VGS=±12V, VDS=0V | --- | --- | ± 100 | nA |
| gfs | Transcondutividade directa | VDS=-5V, ID=-10A | --- | 45 | --- | S |
| Qg | Carga total da porta (-4,5 V) | VDS=-15V, VGS=-4,5V, ID=-10A | --- | 63 | --- | nC |
| Qgs | Cargo de porta-fonte | --- | 9.1 | --- | ||
| Qgd | Carga por drenaxe | --- | 13 | --- | ||
| Td (activado) | Tempo de atraso de activación | VDD=-10 V, VGS=-4,5 V, RG=3,3Ω, ID=-10A | --- | 16 | --- | ns |
| Tr | Tempo de subida | --- | 77 | --- | ||
| Td (desactivado) | Tempo de atraso de apagado | --- | 195 | --- | ||
| Tf | Tempo de outono | --- | 186 | --- | ||
| Ciss | Capacidade de entrada | VDS=-10V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 5783 | --- | pF |
| Coss | Capacidade de saída | --- | 520 | --- | ||
| Crs | Capacidade de transferencia inversa | --- | 445 | --- |
