WSM320N04G MOSFET WINSOK de canle N 40V 320A TOLL-8L
Descrición xeral
O WSM320N04G é un MOSFET de alto rendemento que utiliza un deseño de trincheira e ten unha densidade celular moi alta.Ten unha excelente carga RDSON e de porta e é axeitado para a maioría das aplicacións de conversor buck sincrónico.O WSM320N04G cumpre os requisitos de RoHS e produtos ecolóxicos e está garantido para ter 100 % EAS e fiabilidade de función total.
características
Tecnoloxía avanzada Trench de alta densidade de células, á vez que presenta unha baixa carga de porta para un rendemento óptimo.Ademais, conta cunha excelente diminución do efecto CdV/dt, unha garantía EAS 100% e unha opción ecolóxica.
Aplicacións
Convertidor Buck síncrono de punto de carga de alta frecuencia, sistema de alimentación DC-DC en rede, aplicación de ferramentas eléctricas, cigarros electrónicos, carga sen fíos, drons, medicina, carga de coches, controladores, produtos dixitais, pequenos electrodomésticos e produtos electrónicos de consumo.
Parámetros importantes
| Símbolo | Parámetro | Valoración | Unidades | |
| VDS | Tensión drenaxe-fonte | 40 | V | |
| VGS | Tensión porta-fonte | ± 20 | V | |
| ID@TC=25℃ | Corriente de drenaxe continua, VGS @ 10V1,7 | 320 | A | |
| ID@TC=100℃ | Corriente de drenaxe continua, VGS @ 10V1,7 | 192 | A | |
| IDM | Corrente de drenaxe pulsada 2 | 900 | A | |
| EAS | Enerxía de avalancha de pulso único 3 | 980 | mJ | |
| IAS | Corrente de avalancha | 70 | A | |
| PD@TC=25℃ | Disipación total de potencia 4 | 250 | W | |
| TSTG | Rango de temperatura de almacenamento | -55 a 175 | ℃ | |
| TJ | Rango de temperatura da unión de funcionamento | -55 a 175 | ℃ |
| Símbolo | Parámetro | Condicións | Min. | Típ. | Máx. | Unidade |
| BVDSS | Tensión de avaría drenaxe-fonte | VGS=0V, ID=250uA | 40 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | Coeficiente de temperatura BVDSS | Referencia a 25℃, ID=1mA | --- | 0,050 | --- | V/℃ |
| RDS(ON) | Drenaxe-Fonte Estática-Resistencia 2 | VGS=10V, ID=25A | --- | 1.2 | 1.5 | mΩ |
| RDS(ON) | Drenaxe-Fonte Estática-Resistencia 2 | VGS=4,5V, ID=20A | --- | 1.7 | 2.5 | mΩ |
| VGS(th) | Tensión límite de porta | VGS=VDS, ID=250uA | 1.2 | 1.7 | 2.6 | V |
| △VGS(th) | Coeficiente de temperatura VGS(th). | --- | -6,94 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Corrente de fuga drenaxe-fonte | VDS=40V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=40V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | 10 | |||
| IGSS | Corrente de fuga da fonte | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ± 100 | nA |
| gfs | Transcondutividade directa | VDS=5V, ID=50A | --- | 160 | --- | S |
| Rg | Resistencia de porta | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 1.0 | --- | Ω |
| Qg | Carga total da porta (10 V) | VDS=20V, VGS=10V, ID=25A | --- | 130 | --- | nC |
| Qgs | Cargo de porta-fonte | --- | 43 | --- | ||
| Qgd | Carga por drenaxe | --- | 83 | --- | ||
| Td (activado) | Tempo de atraso de activación | VDD=20V, VGEN=4,5V, RG=2,7Ω, ID=1A. | --- | 30 | --- | ns |
| Tr | Tempo de subida | --- | 115 | --- | ||
| Td (desactivado) | Tempo de atraso de apagado | --- | 95 | --- | ||
| Tf | Tempo de outono | --- | 80 | --- | ||
| Ciss | Capacidade de entrada | VDS=20V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 8100 | --- | pF |
| Coss | Capacidade de saída | --- | 1200 | --- | ||
| Crs | Capacidade de transferencia inversa | --- | 800 | --- |
