WSM340N10G MOSFET WINSOK de canle N 100V 340A TOLL-8L

WSM340N10G N-channel 100V 340A TOLL-8L WINSOK MOSFET Imaxe destacada

breve descrición:

Número de modelo:WSM340N10G

BVDSS:100 V

RDSON:1,6 mΩ

ID:340A

Canle:Canle N

Paquete:PEAXE-8L

Produto de verán:A tensión do MOSFET WSM340N10G é de 100 V, a corrente é de 340 A, a resistencia é de 1,6 mΩ, a canle é de canle N e o paquete é TOLL-8L.

Aplicacións:Equipos médicos, drons, fontes de alimentación PD, fontes de alimentación LED, equipos industriais, etc.

Enviar consulta PDF

Detalle do produto

Aplicación

Etiquetas de produtos

Descrición xeral

O WSM340N10G é o MOSFET N-Ch de trincheira de maior rendemento cunha densidade de células extremadamente alta, que proporciona unha excelente carga RDSON e de porta para a maioría das aplicacións de conversor buck síncrono. O WSM340N10G cumpre os requisitos de RoHS e produtos ecolóxicos, 100 % EAS garantido cunha fiabilidade de función completa aprobada.

Características

Tecnoloxía avanzada de trincheiras de alta densidade de células, carga de porta súper baixa, excelente descenso do efecto CdV/dt, 100% garantido por EAS, dispositivo verde dispoñible.

Aplicacións

Rectificación síncrona, conversor DC/DC, interruptor de carga, equipos médicos, drons, fontes de alimentación PD, fontes de alimentación LED, equipos industriais, etc.

Parámetros importantes

Valoracións máximas absolutas

Símbolo	Parámetro	Valoración	Unidades
VDS	Tensión drenaxe-fonte	100	V
VGS	Tensión porta-fonte	± 20	V
ID@TC=25℃	Corriente de drenaxe continua, VGS @ 10 V	340	A
ID@TC=100℃	Corriente de drenaxe continua, VGS @ 10 V	230	A
IDM	Corrente de drenaxe pulsada..TC=25°C	1150	A
EAS	Enerxía de avalancha, pulso único, L=0,5 mH	1800	mJ
IAS	Corrente de avalancha, pulso único, L=0,5 mH	120	A
PD@TC=25℃	Disipación total de potencia	375	W
PD@TC=100℃	Disipación total de potencia	187	W
TSTG	Rango de temperatura de almacenamento	-55 a 175	℃
TJ	Rango de temperatura da unión de funcionamento	175	℃

Características eléctricas (TJ=25℃, a non ser que se indique o contrario)

Símbolo	Parámetro	Condicións	Min.	Típ.	Máx.	Unidade
BVDSS	Tensión de avaría drenaxe-fonte	VGS=0V, ID=250uA	100	---	---	V
△BVDSS/△TJ	Coeficiente de temperatura BVDSS	Referencia a 25℃, ID=1mA	---	0,096	---	V/℃
RDS(ON)	Resistencia de drenaxe-fonte estático	VGS=10V,ID=50A	---	1.6	2.3	mΩ
VGS(th)	Tensión límite de porta	VGS=VDS, ID=250uA	2.0	3.0	4.0	V
△VGS(th)	Coeficiente de temperatura VGS(th).	VGS=VDS, ID=250uA	---	-5.5	---	mV/℃
IDSS	Corrente de fuga drenaxe-fonte	VDS=85V, VGS=0V, TJ=25℃	---	---	1	uA
IDSS	Corrente de fuga drenaxe-fonte	VDS=85V, VGS=0V, TJ=55℃	---	---	10	uA
IGSS	Corrente de fuga da fonte-porta	VGS=±25V, VDS=0V	---	---	± 100	nA
Rg	Resistencia de porta	VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz	---	1.0	---	Ω
Qg	Carga total da porta (10 V)	VDS=50V, VGS=10V, ID=50A	---	260	---	nC
Qgs	Cargo de porta-fonte		---	80	---
Qgd	Carga por drenaxe		---	60	---
Td (activado)	Tempo de atraso de activación	VDD=50V, VGS=10V,RG=1Ω,RL=1Ω,IDS=1A.	---	88	---	ns
Tr	Tempo de subida		---	50	---
Td (desactivado)	Tempo de atraso de apagado		---	228	---
Tf	Tempo de outono		---	322	---
Ciss	Capacidade de entrada	VDS=40V, VGS=0V, f=1MHz	---	13900	---	pF
Coss	Capacidade de saída		---	6160	---
Crs	Capacidade de transferencia inversa		---	220	---