WSP4016 MOSFET WINSOK de canle N 40V 15.5A SOP-8
Descrición xeral
O WSP4016 é o MOSFET N-ch de trincheira de maior rendemento cunha densidade de células extremadamente alta, que proporciona excelentes cargas RDSON e de porta para a maioría das aplicacións de conversor buck síncrono. O WSP4016 cumpre co requisito de RoHS e Green Product, 100% EAS garantido cunha fiabilidade de función completa aprobada.
Características
Tecnoloxía avanzada de trincheira de alta densidade de células, carga de porta súper baixa, excelente diminución do efecto CdV/dt, 100% garantido por EAS, dispositivo verde dispoñible.
Aplicacións
Conversores de refuerzo de LED brancos, sistemas automotivos, circuítos industriais de conversión CC/CC, electrónica automotriz, luces LED, audio, produtos dixitais, pequenos electrodomésticos, produtos electrónicos de consumo, placas de protección, etc.
número de material correspondente
AO AOSP66406, ON FDS8842NZ, VISHAY Si4840BDY, PANJIT PJL9420, Sinopower SM4037NHK, NIKO PV608BA,
DINTEK DTM5420.
Parámetros importantes
| Símbolo | Parámetro | Valoración | Unidades |
| VDS | Tensión drenaxe-fonte | 40 | V |
| VGS | Tensión porta-fonte | ± 20 | V |
| ID@TC=25℃ | Corriente de drenaxe continua, VGS @ 10V1 | 15.5 | A |
| ID@TC=70℃ | Corriente de drenaxe continua, VGS @ 10V1 | 8.4 | A |
| IDM | Corrente de drenaxe pulsada 2 | 30 | A |
| PD@TA=25℃ | Potencia disipada total TA=25°C | 2.08 | W |
| PD@TA=70℃ | Potencia disipada total TA=70°C | 1.3 | W |
| TSTG | Rango de temperatura de almacenamento | -55 a 150 | ℃ |
| TJ | Rango de temperatura da unión de funcionamento | -55 a 150 | ℃ |
Características eléctricas (TJ=25 ℃, a non ser que se indique o contrario)
| Símbolo | Parámetro | Condicións | Min. | Típ. | Máx. | Unidade |
| BVDSS | Tensión de avaría drenaxe-fonte | VGS=0V, ID=250uA | 40 | --- | --- | V |
| RDS(ON) | Drenaxe-Fonte Estática-Resistencia 2 | VGS=10V, ID=7A | --- | 8.5 | 11.5 | mΩ |
| VGS=4,5V, ID=5A | --- | 11 | 14.5 | |||
| VGS(th) | Tensión límite de porta | VGS=VDS, ID=250uA | 1.0 | 1.8 | 2.5 | V |
| IDSS | Corrente de fuga drenaxe-fonte | VDS=32V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=32V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | 25 | |||
| IGSS | Corrente de fuga da fonte | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ± 100 | nA |
| gfs | Transcondutividade directa | VDS=5V, ID=15A | --- | 31 | --- | S |
| Qg | Carga total da porta (4,5 V) | VDS=20V,VGS=10V,ID=7A | --- | 20 | 30 | nC |
| Qgs | Cargo de porta-fonte | --- | 3.9 | --- | ||
| Qgd | Carga por drenaxe | --- | 3 | --- | ||
| Td (activado) | Tempo de atraso de activación | VDD=20V,VGEN=10V,RG=1Ω, ID=1A, RL=20Ω. | --- | 12.6 | --- | ns |
| Tr | Tempo de subida | --- | 10 | --- | ||
| Td (desactivado) | Tempo de atraso de apagado | --- | 23.6 | --- | ||
| Tf | Tempo de outono | --- | 6 | --- | ||
| Ciss | Capacidade de entrada | VDS=20V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 1125 | --- | pF |
| Coss | Capacidade de saída | --- | 132 | --- | ||
| Crs | Capacidade de transferencia inversa | --- | 70 | --- |
Nota:
1.Proba de pulso: PWCiclo de traballo <= 300 us<= 2 %.
2.Garantido polo deseño, non suxeito a probas de produción.
