WSP4099 P-Channel dual -40V -6.5A SOP-8 WINSOK MOSFET
Descrición xeral
O WSP4099 é un potente MOSFET P-ch de trincheira cunha alta densidade de células. Ofrece unha excelente carga RDSON e de porta, o que o fai axeitado para a maioría das aplicacións de conversor buck sincrónico. Cumpre os estándares RoHS e GreenProduct e ten unha garantía 100% EAS coa aprobación de fiabilidade da función completa.
Características
Tecnoloxía avanzada de trincheiras con alta densidade de células, carga de porta ultra baixa, excelente desintegración do efecto CdV/dt e unha garantía 100% EAS son todas as características dos nosos dispositivos ecolóxicos que están facilmente dispoñibles.
Aplicacións
Convertidor Buck síncrono de punto de carga de alta frecuencia para MB/NB/UMPC/VGA, sistema de alimentación DC-DC de rede, interruptor de carga, cigarros electrónicos, carga sen fíos, motores, drones, atención médica, cargadores de coche, controladores, produtos dixitais , pequenos electrodomésticos e electrónicos de consumo.
número de material correspondente
EN FDS4685,VISHAY Si4447ADY,TOSHIBA TPC8227-H,PANJIT PJL9835A，Sinopower SM4405BSK,dintek DTM4807,ruichips RU40S4H.
Parámetros importantes
| Símbolo | Parámetro | Valoración | Unidades |
| VDS | Tensión drenaxe-fonte | -40 | V |
| VGS | Tensión porta-fonte | ± 20 | V |
| ID@TC=25℃ | Corriente de drenaxe continua, -VGS @ -10V1 | -6,5 | A |
| ID@TC=100℃ | Corriente de drenaxe continua, -VGS @ -10V1 | -4,5 | A |
| IDM | Corrente de drenaxe pulsada 2 | -22 | A |
| EAS | Enerxía de avalancha de pulso único 3 | 25 | mJ |
| IAS | Corrente de avalancha | -10 | A |
| PD@TC=25℃ | Disipación total de potencia 4 | 2.0 | W |
| TSTG | Rango de temperatura de almacenamento | -55 a 150 | ℃ |
| TJ | Rango de temperatura da unión de funcionamento | -55 a 150 | ℃ |
| Símbolo | Parámetro | Condicións | Min. | Típ. | Máx. | Unidade |
| BVDSS | Tensión de avaría drenaxe-fonte | VGS=0V, ID=-250uA | -40 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | Coeficiente de temperatura BVDSS | Referencia a 25℃, ID=-1mA | --- | -0,02 | --- | V/℃ |
| RDS(ON) | Drenaxe-Fonte Estática-Resistencia 2 | VGS=-10V, ID=-6,5A | --- | 30 | 38 | mΩ |
| VGS=-4,5 V, ID=-4,5 A | --- | 46 | 62 | |||
| VGS(th) | Tensión límite de porta | VGS=VDS, ID=-250uA | -1,5 | -2,0 | -2,5 | V |
| △VGS(th) | Coeficiente de temperatura VGS(th). | --- | 3,72 | --- | V/℃ | |
| IDSS | Corrente de fuga drenaxe-fonte | VDS=-32V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=-32V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | 5 | |||
| IGSS | Corrente de fuga da fonte | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ± 100 | nA |
| gfs | Transcondutividade directa | VDS=-5V, ID=-4A | --- | 8 | --- | S |
| Qg | Carga total da porta (-4,5 V) | VDS=-20V, VGS=-4,5V, ID=-6,5A | --- | 7.5 | --- | nC |
| Qgs | Cargo de porta-fonte | --- | 2.4 | --- | ||
| Qgd | Carga por drenaxe | --- | 3.5 | --- | ||
| Td (activado) | Tempo de atraso de activación | VDD=-15V, VGS=-10V, RG=6Ω, ID=-1A,RL=20Ω | --- | 8.7 | --- | ns |
| Tr | Tempo de subida | --- | 7 | --- | ||
| Td (desactivado) | Tempo de atraso de apagado | --- | 31 | --- | ||
| Tf | Tempo de outono | --- | 17 | --- | ||
| Ciss | Capacidade de entrada | VDS=-15V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 668 | --- | pF |
| Coss | Capacidade de saída | --- | 98 | --- | ||
| Crs | Capacidade de transferencia inversa | --- | 72 | --- |
