WSP4447 P-Channel -40V -11A SOP-8 WINSOK MOSFET

Descrición curta:

Número de modelo:WSP4447

BVDSS:-40V

RDSON:13 mΩ

ID:-11A

Canle:Canle P

Paquete:SOP-8

Produto de verán:A tensión do MOSFET WSP4447 é de -40 V, a corrente é de -11 A, a resistencia é de 13 mΩ, a canle é P-Channel e o paquete é SOP-8.

Aplicacións:Cigarros electrónicos, cargadores sen fíos, motores, drons, dispositivos médicos, cargadores de automóbiles, controladores, produtos dixitais, pequenos electrodomésticos e produtos electrónicos de consumo.

Envíanos un correo electrónico PDF

Detalle do produto

Aplicación

Etiquetas de produtos

Descrición xeral

O WSP4447 é un MOSFET de alto rendemento que utiliza tecnoloxía trincheira e ten unha alta densidade de células.Ofrece unha excelente carga RDSON e de porta, o que o fai axeitado para o seu uso na maioría das aplicacións de conversor buck sincrónico.O WSP4447 cumpre os estándares RoHS e produtos ecolóxicos e inclúe unha garantía 100 % EAS para unha fiabilidade total.

características

A tecnoloxía avanzada Trench permite unha maior densidade de células, o que resulta nun dispositivo verde con carga de porta súper baixa e un excelente descenso do efecto CdV/dt.

Aplicacións

Convertidor de alta frecuencia para unha variedade de produtos electrónicos
Este conversor está deseñado para alimentar de forma eficiente unha ampla gama de dispositivos, incluíndo portátiles, consolas de xogos, equipos de rede, cigarros electrónicos, cargadores sen fíos, motores, drons, dispositivos médicos, cargadores de coches, controladores, produtos dixitais, pequenos electrodomésticos e consumidores. electrónica.

número de material correspondente

AOS AO4425 AO4485, ON FDS4675, VISHAY Si4401FDY, ST STS10P4LLF6, TOSHIBA TPC8133, PANJIT PJL9421, Sinopower SM4403PSK, RUICHIPS RU40L10H.

Parámetros importantes

Símbolo	Parámetro	Valoración	Unidades
VDS	Tensión drenaxe-fonte	-40	V
VGS	Tensión porta-fonte	± 20	V
ID@TA=25℃	Corriente de drenaxe continua, VGS @ -10V1	-11	A
ID@TA=70℃	Corriente de drenaxe continua, VGS @ -10V1	-9,0	A
IDM a	Corriente de drenaxe pulsada de 300 µs (VGS=-10 V)	-44	A
EAS b	Enerxía de avalancha, pulso único (L=0,1 mH)	54	mJ
IAS b	Corrente de avalancha, pulso único (L=0,1 mH)	-33	A
PD@TA=25℃	Disipación total de potencia 4	2.0	W
TSTG	Rango de temperatura de almacenamento	-55 a 150	℃
TJ	Rango de temperatura da unión de funcionamento	-55 a 150	℃

Símbolo	Parámetro	Condicións	Min.	Típ.	Máx.	Unidade
BVDSS	Tensión de avaría drenaxe-fonte	VGS=0V, ID=-250uA	-40	---	---	V
△BVDSS/△TJ	Coeficiente de temperatura BVDSS	Referencia a 25℃, ID=-1mA	---	-0,018	---	V/℃
RDS(ON)	Drenaxe-Fonte Estática-Resistencia 2	VGS=-10V, ID=-13A	---	13	16	mΩ
RDS(ON)	Drenaxe-Fonte Estática-Resistencia 2					mΩ
		VGS=-4,5V, ID=-5A	---	18	26
VGS(th)	Tensión límite de porta	VGS=VDS, ID=-250uA	-1.4	-1,9	-2.4	V
		VGS=VDS, ID=-250uA
△VGS(th)	Coeficiente de temperatura VGS(th).		---	5.04	---	mV/℃
IDSS	Corrente de fuga drenaxe-fonte	VDS=-32V, VGS=0V, TJ=25℃	---	---	-1	uA
IDSS	Corrente de fuga drenaxe-fonte					uA
		VDS=-32V, VGS=0V, TJ=55℃	---	---	-5
IGSS	Corrente de fuga da fonte	VGS=±20V, VDS=0V	---	---	± 100	nA
gfs	Transcondutividade directa	VDS=-5V, ID=-10A	---	18	---	S
Qg	Carga total da porta (-4,5 V)	VDS=-20V, VGS=-10V, ID=-11A	---	32	---	nC
Qgs	Cargo de porta-fonte		---	5.2	---
Qgd	Carga por drenaxe		---	8	---
Td (activado)	Tempo de atraso de activación	VDD=-20V, VGS=-10V, RG=6Ω, ID=-1A,RL=20Ω	---	14	---	ns
Tr	Tempo de subida		---	12	---
Td (desactivado)	Tempo de atraso de apagado		---	41	---
Tf	Tempo de outono		---	22	---
Ciss	Capacidade de entrada	VDS=-15V, VGS=0V, f=1MHz	---	1500	---	pF
Coss	Capacidade de saída		---	235	---
Crs	Capacidade de transferencia inversa		---	180	---