WSP4447 P-Channel -40V -11A SOP-8 WINSOK MOSFET
Descrición xeral
O WSP4447 é un MOSFET de alto rendemento que utiliza tecnoloxía trincheira e ten unha alta densidade de células. Ofrece unha excelente carga RDSON e de porta, polo que é axeitado para o seu uso na maioría das aplicacións de conversor de dólares sincrónicos. O WSP4447 cumpre os estándares RoHS e produtos ecolóxicos e inclúe unha garantía 100 % EAS para unha fiabilidade total.
Características
A tecnoloxía avanzada Trench permite unha maior densidade de células, o que resulta nun dispositivo verde con carga de porta súper baixa e un excelente descenso do efecto CdV/dt.
Aplicacións
Convertidor de alta frecuencia para unha variedade de produtos electrónicos
Este conversor está deseñado para alimentar de forma eficiente unha ampla gama de dispositivos, incluíndo portátiles, consolas de xogos, equipos de rede, cigarros electrónicos, cargadores sen fíos, motores, drons, dispositivos médicos, cargadores de coches, controladores, produtos dixitais, pequenos electrodomésticos e consumidores. electrónica.
número de material correspondente
AOS AO4425 AO4485, ON FDS4675, VISHAY Si4401FDY, ST STS10P4LLF6, TOSHIBA TPC8133, PANJIT PJL9421, Sinopower SM4403PSK, RUICHIPS RU40L10H.
Parámetros importantes
| Símbolo | Parámetro | Valoración | Unidades |
| VDS | Tensión drenaxe-fonte | -40 | V |
| VGS | Tensión porta-fonte | ± 20 | V |
| ID@TA=25℃ | Corriente de drenaxe continua, VGS @ -10V1 | -11 | A |
| ID@TA=70℃ | Corriente de drenaxe continua, VGS @ -10V1 | -9,0 | A |
| IDM a | Corriente de drenaxe pulsada de 300 µs (VGS=-10V) | -44 | A |
| EAS b | Enerxía de avalancha, pulso único (L=0,1 mH) | 54 | mJ |
| IAS b | Corrente de avalancha, pulso único (L=0,1 mH) | -33 | A |
| PD@TA=25℃ | Disipación total de potencia 4 | 2.0 | W |
| TSTG | Rango de temperatura de almacenamento | -55 a 150 | ℃ |
| TJ | Rango de temperatura da unión de funcionamento | -55 a 150 | ℃ |
| Símbolo | Parámetro | Condicións | Min. | Típ. | Máx. | Unidade |
| BVDSS | Tensión de avaría drenaxe-fonte | VGS=0V, ID=-250uA | -40 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | Coeficiente de temperatura BVDSS | Referencia a 25℃, ID=-1mA | --- | -0,018 | --- | V/℃ |
| RDS(ON) | Drenaxe-Fonte Estática-Resistencia 2 | VGS=-10V, ID=-13A | --- | 13 | 16 | mΩ |
| VGS=-4,5V, ID=-5A | --- | 18 | 26 | |||
| VGS(th) | Tensión límite de porta | VGS=VDS, ID=-250uA | -1.4 | -1,9 | -2.4 | V |
| △VGS(th) | Coeficiente de temperatura VGS(th). | --- | 5.04 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Corrente de fuga drenaxe-fonte | VDS=-32V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | -1 | uA |
| VDS=-32V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | -5 | |||
| IGSS | Corrente de fuga da fonte | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ± 100 | nA |
| gfs | Transcondutividade directa | VDS=-5V, ID=-10A | --- | 18 | --- | S |
| Qg | Carga total da porta (-4,5 V) | VDS=-20V, VGS=-10V, ID=-11A | --- | 32 | --- | nC |
| Qgs | Cargo de porta-fonte | --- | 5.2 | --- | ||
| Qgd | Carga por drenaxe | --- | 8 | --- | ||
| Td (activado) | Tempo de atraso de activación | VDD=-20V, VGS=-10V, RG=6Ω, ID=-1A,RL=20Ω | --- | 14 | --- | ns |
| Tr | Tempo de subida | --- | 12 | --- | ||
| Td (desactivado) | Tempo de atraso de apagado | --- | 41 | --- | ||
| Tf | Tempo de outono | --- | 22 | --- | ||
| Ciss | Capacidade de entrada | VDS=-15V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 1500 | --- | pF |
| Coss | Capacidade de saída | --- | 235 | --- | ||
| Crs | Capacidade de transferencia inversa | --- | 180 | --- |
