WSP6067A MOSFET WINSOK de canle N&P 60V/-60V 7A/-5A SOP-8
Descrición xeral
Os MOSFET WSP6067A son os máis avanzados para a tecnoloxía trincheira P-ch, cunha densidade de células moi alta. Ofrecen un excelente rendemento tanto en termos de RDSON como de carga de porta, axeitados para a maioría dos conversores sincrónicos. Estes MOSFET cumpren os criterios de RoHS e Green Product, con 100% EAS que garante a total fiabilidade funcional.
Características
A tecnoloxía avanzada permite a formación de fosas de células de alta densidade, o que resulta nunha carga de porta súper baixa e unha decadencia superior do efecto CdV/dt. Os nosos dispositivos veñen cunha garantía 100% EAS e son respectuosos co medio ambiente.
Aplicacións
Convertidor Buck síncrono de punto de carga de alta frecuencia, sistema de alimentación DC-DC en rede, interruptor de carga, cigarros electrónicos, carga sen fíos, motores, drons, equipos médicos, cargadores de coches, controladores, dispositivos electrónicos, pequenos electrodomésticos e produtos electrónicos de consumo .
número de material correspondente
AOS
Parámetros importantes
| Símbolo | Parámetro | Valoración | Unidades | |
| Canle N | Canle P | |||
| VDS | Tensión drenaxe-fonte | 60 | -60 | V |
| VGS | Tensión porta-fonte | ± 20 | ± 20 | V |
| ID@TC=25℃ | Corriente de drenaxe continua, VGS @ 10V1 | 7.0 | -5,0 | A |
| ID@TC=100℃ | Corriente de drenaxe continua, VGS @ 10V1 | 4.0 | -2,5 | A |
| IDM | Corrente de drenaxe pulsada 2 | 28 | -20 | A |
| EAS | Enerxía de avalancha de pulso único 3 | 22 | 28 | mJ |
| IAS | Corrente de avalancha | 21 | -24 | A |
| PD@TC=25℃ | Disipación total de potencia 4 | 2.0 | 2.0 | W |
| TSTG | Rango de temperatura de almacenamento | -55 a 150 | -55 a 150 | ℃ |
| TJ | Rango de temperatura da unión de funcionamento | -55 a 150 | -55 a 150 | ℃ |
| Símbolo | Parámetro | Condicións | Min. | Típ. | Máx. | Unidade |
| BVDSS | Tensión de avaría drenaxe-fonte | VGS=0V, ID=250uA | 60 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | Coeficiente de temperatura BVDSS | Referencia a 25℃, ID=1mA | --- | 0,063 | --- | V/℃ |
| RDS(ON) | Drenaxe-Fonte Estática-Resistencia 2 | VGS=10V, ID=5A | --- | 38 | 52 | mΩ |
| VGS=4,5V, ID=4A | --- | 55 | 75 | |||
| VGS(th) | Tensión límite de porta | VGS=VDS, ID=250uA | 1 | 2 | 3 | V |
| △VGS(th) | Coeficiente de temperatura VGS(th). | --- | -5.24 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Corrente de fuga drenaxe-fonte | VDS=48V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=48V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | 5 | |||
| IGSS | Corrente de fuga da fonte | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ± 100 | nA |
| gfs | Transcondutividade directa | VDS=5V, ID=4A | --- | 28 | --- | S |
| Rg | Resistencia de porta | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 2.8 | 4.3 | Ω |
| Qg | Carga total da porta (4,5 V) | VDS=48V, VGS=4,5V, ID=4A | --- | 19 | 25 | nC |
| Qgs | Cargo de porta-fonte | --- | 2.6 | --- | ||
| Qgd | Carga por drenaxe | --- | 4.1 | --- | ||
| Td (activado) | Tempo de atraso de activación | VDD=30V, VGS=10V, RG=3,3Ω, ID=1A | --- | 3 | --- | ns |
| Tr | Tempo de subida | --- | 34 | --- | ||
| Td (desactivado) | Tempo de atraso de apagado | --- | 23 | --- | ||
| Tf | Tempo de outono | --- | 6 | --- | ||
| Ciss | Capacidade de entrada | VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 1027 | --- | pF |
| Coss | Capacidade de saída | --- | 65 | --- | ||
| Crs | Capacidade de transferencia inversa | --- | 45 | --- |
