WSR200N08 MOSFET WINSOK de canle N 80V 200A TO-220-3L
Descrición xeral
O WSR200N08 é o MOSFET N-Ch de trincheira de maior rendemento cunha densidade de células extremadamente alta, que proporciona unha excelente carga RDSON e de porta para a maioría das aplicacións de conversor buck síncrono. O WSR200N08 cumpre os requisitos de RoHS e produtos ecolóxicos, 100% EAS garantido coa fiabilidade da función completa aprobada.
Características
Tecnoloxía avanzada de trincheiras de alta densidade de células, carga de porta súper baixa, excelente descenso do efecto CdV/dt, 100% garantido por EAS, dispositivo verde dispoñible.
Aplicacións
Aplicación de conmutación, xestión de enerxía para sistemas inversores, cigarros electrónicos, carga sen fíos, motores, BMS, fontes de alimentación de emerxencia, drons, médicos, carga de coches, controladores, impresoras 3D, produtos dixitais, pequenos electrodomésticos, electrónica de consumo, etc.
número de material correspondente
AO AOT480L, ON FDP032N08B, ST STP130N8F7 STP140N8F7, TOSHIBA TK72A08N1 TK72E08N1, etc.
Parámetros importantes
Características eléctricas (TJ=25℃, a non ser que se indique o contrario)
Símbolo | Parámetro | Valoración | Unidades |
VDS | Tensión drenaxe-fonte | 80 | V |
VGS | Tensión porta-fonte | ± 25 | V |
ID@TC=25℃ | Corriente de drenaxe continua, VGS @ 10V1 | 200 | A |
ID@TC=100℃ | Corriente de drenaxe continua, VGS @ 10V1 | 144 | A |
IDM | Corrente de drenaxe pulsada2,TC=25°C | 790 | A |
EAS | Enerxía de avalancha, pulso único, L=0,5 mH | 1496 | mJ |
IAS | Corrente de avalancha, pulso único, L=0,5 mH | 200 | A |
PD@TC=25℃ | Disipación total de potencia 4 | 345 | W |
PD@TC=100℃ | Disipación total de potencia 4 | 173 | W |
TSTG | Rango de temperatura de almacenamento | -55 a 175 | ℃ |
TJ | Rango de temperatura da unión de funcionamento | 175 | ℃ |
Símbolo | Parámetro | Condicións | Min. | Típ. | Máx. | Unidade |
BVDSS | Tensión de avaría drenaxe-fonte | VGS=0V, ID=250uA | 80 | --- | --- | V |
△BVDSS/△TJ | Coeficiente de temperatura BVDSS | Referencia a 25℃, ID=1mA | --- | 0,096 | --- | V/℃ |
RDS(ON) | Drenaxe-Fonte Estática-Resistencia 2 | VGS = 10 V, ID = 100 A | --- | 2.9 | 3.5 | mΩ |
VGS(th) | Tensión límite de porta | VGS=VDS, ID=250uA | 2.0 | 3.0 | 4.0 | V |
△VGS(th) | Coeficiente de temperatura VGS(th). | --- | -5.5 | --- | mV/℃ | |
IDSS | Corrente de fuga drenaxe-fonte | VDS=80V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
VDS=80V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | 10 | |||
IGSS | Corrente de fuga da fonte | VGS=±25V, VDS=0V | --- | --- | ± 100 | nA |
Rg | Resistencia de porta | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 3.2 | --- | Ω |
Qg | Carga total da porta (10 V) | VDS=80V, VGS=10V, ID=30A | --- | 197 | --- | nC |
Qgs | Cargo de porta-fonte | --- | 31 | --- | ||
Qgd | Carga por drenaxe | --- | 75 | --- | ||
Td (activado) | Tempo de atraso de activación | VDD=50V, VGS=10V,RG=3Ω, ID=30A | --- | 28 | --- | ns |
Tr | Tempo de subida | --- | 18 | --- | ||
Td (desactivado) | Tempo de atraso de apagado | --- | 42 | --- | ||
Tf | Tempo de outono | --- | 54 | --- | ||
Ciss | Capacidade de entrada | VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 8154 | --- | pF |
Coss | Capacidade de saída | --- | 1029 | --- | ||
Crs | Capacidade de transferencia inversa | --- | 650 | --- |