WST2011 P-Channel dual -20V -3.2A SOT-23-6L WINSOK MOSFET
Descrición xeral
Os MOSFET WST2011 son os transistores P-ch máis avanzados dispoñibles, cunha densidade de células inigualable. Ofrecen un rendemento excepcional, cunha baixa carga de RDSON e de porta, o que os fai ideais para pequenas aplicacións de conmutación de enerxía e interruptor de carga. Ademais, o WST2011 cumpre os estándares RoHS e Green Product e conta coa aprobación de fiabilidade de funcións completas.
Características
A tecnoloxía avanzada Trench permite unha maior densidade de células, o que resulta nun dispositivo verde con carga de porta súper baixa e un excelente descenso do efecto CdV/dt.
Aplicacións
A conmutación de pequena potencia síncrona de punto de carga de alta frecuencia é adecuada para o seu uso en MB/NB/UMPC/VGA, redes de sistemas de alimentación DC-DC, interruptores de carga, cigarros electrónicos, controladores, produtos dixitais, pequenos electrodomésticos e produtos electrónicos de consumo. .
número de material correspondente
EN FDC634P,VISHAY Si3443DDV,NXP PMDT670UPE,
Parámetros importantes
| Símbolo | Parámetro | Valoración | Unidades | |
| 10s | Estado estacionario | |||
| VDS | Tensión drenaxe-fonte | -20 | V | |
| VGS | Tensión porta-fonte | ± 12 | V | |
| ID@TA=25℃ | Corriente de drenaxe continua, VGS @ -4.5V1 | -3.6 | -3.2 | A |
| ID@TA=70℃ | Corriente de drenaxe continua, VGS @ -4.5V1 | -2.6 | -2.4 | A |
| IDM | Corrente de drenaxe pulsada 2 | -12 | A | |
| PD@TA=25℃ | Disipación total de potencia 3 | 1.7 | 1.4 | W |
| PD@TA=70℃ | Disipación total de potencia 3 | 1.2 | 0,9 | W |
| TSTG | Rango de temperatura de almacenamento | -55 a 150 | ℃ | |
| TJ | Rango de temperatura da unión de funcionamento | -55 a 150 | ℃ | |
| Símbolo | Parámetro | Condicións | Min. | Típ. | Máx. | Unidade |
| BVDSS | Tensión de avaría drenaxe-fonte | VGS=0V, ID=-250uA | -20 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | Coeficiente de temperatura BVDSS | Referencia a 25℃, ID=-1mA | --- | -0,011 | --- | V/℃ |
| RDS(ON) | Drenaxe-Fonte Estática-Resistencia 2 | VGS=-4,5V, ID=-2A | --- | 80 | 85 | mΩ |
| VGS=-2,5V, ID=-1A | --- | 95 | 115 | |||
| VGS(th) | Tensión límite de porta | VGS=VDS, ID=-250uA | -0,5 | -1,0 | -1,5 | V |
| △VGS(th) | Coeficiente de temperatura VGS(th). | --- | 3,95 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Corrente de fuga drenaxe-fonte | VDS=-16V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | -1 | uA |
| VDS=-16V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | -5 | |||
| IGSS | Corrente de fuga da fonte | VGS=±12V, VDS=0V | --- | --- | ± 100 | nA |
| gfs | Transcondutividade directa | VDS=-5V, ID=-2A | --- | 8.5 | --- | S |
| Qg | Carga total da porta (-4,5 V) | VDS=-15V, VGS=-4,5V, ID=-2A | --- | 3.3 | 11.3 | nC |
| Qgs | Cargo de porta-fonte | --- | 1.1 | 1.7 | ||
| Qgd | Carga por drenaxe | --- | 1.1 | 2.9 | ||
| Td (activado) | Tempo de atraso de activación | VDD=-15V, VGS=-4,5V, RG=3,3Ω, ID=-2A | --- | 7.2 | --- | ns |
| Tr | Tempo de subida | --- | 9.3 | --- | ||
| Td (desactivado) | Tempo de atraso de apagado | --- | 15.4 | --- | ||
| Tf | Tempo de outono | --- | 3.6 | --- | ||
| Ciss | Capacidade de entrada | VDS=-15V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 750 | --- | pF |
| Coss | Capacidade de saída | --- | 95 | --- | ||
| Crs | Capacidade de transferencia inversa | --- | 68 | --- |
