WST8205 MOSFET WINSOK de dobre canle N 20V 5.8A SOT-23-6L
Descrición xeral
O WST8205 é un MOSFET N-Ch de trincheira de alto rendemento cunha densidade de células extremadamente alta, que proporciona unha excelente carga RDSON e de porta para a maioría das pequenas aplicacións de conmutación de enerxía e carga. O WST8205 cumpre os requisitos de RoHS e produtos ecolóxicos coa aprobación de fiabilidade funcional total.
Características
A nosa tecnoloxía avanzada incorpora características innovadoras que diferencian este dispositivo dos outros no mercado. Con trincheiras de alta densidade de células, esta tecnoloxía permite unha maior integración de compoñentes, o que leva a un rendemento e eficiencia mellorados. Unha vantaxe notable deste dispositivo é a súa carga de porta extremadamente baixa. Como resultado, require unha enerxía mínima para cambiar entre os seus estados de acendido e apagado, o que resulta nun consumo de enerxía reducido e unha eficiencia xeral mellorada. Esta característica de baixa carga de porta faino unha opción ideal para aplicacións que esixen conmutación de alta velocidade e control preciso. Ademais, o noso dispositivo destaca na redución dos efectos Cdv/dt. Cdv/dt, ou a taxa de cambio da tensión de drenaxe a fonte ao longo do tempo, pode causar efectos indesexables, como picos de tensión e interferencias electromagnéticas. Ao minimizar eficazmente estes efectos, o noso dispositivo garante un funcionamento fiable e estable, mesmo en ambientes esixentes e dinámicos. Ademais da súa destreza técnica, este dispositivo tamén é respectuoso co medio ambiente. Está deseñado pensando na sustentabilidade, tendo en conta factores como a eficiencia energética e a lonxevidade. Ao funcionar coa máxima eficiencia enerxética, este dispositivo minimiza a súa pegada de carbono e contribúe a un futuro máis ecolóxico. En resumo, o noso dispositivo combina tecnoloxía avanzada con fosas de alta densidade de células, carga de porta extremadamente baixa e excelente redución dos efectos Cdv/dt. Co seu deseño ecolóxico, non só ofrece un rendemento e unha eficiencia superiores, senón que tamén se aliña coa crecente necesidade de solucións sostibles no mundo actual.
Aplicacións
Sincrónico de punto de carga de alta frecuencia Pequena conmutación de enerxía para redes MB/NB/UMPC/VGA Sistema de alimentación DC-DC, electrónica automotriz, luces LED, audio, produtos dixitais, pequenos electrodomésticos, produtos electrónicos de consumo, placas protectoras.
número de material correspondente
AOS AO6804A,NXP PMDT290UNE,PANJIT PJS6816,Sinopower SM2630DSC,dintek DTS5440,DTS8205,DTS5440,DTS8205,RU8205C6.
Parámetros importantes
Símbolo | Parámetro | Valoración | Unidades |
VDS | Tensión drenaxe-fonte | 20 | V |
VGS | Tensión porta-fonte | ± 12 | V |
ID@Tc=25℃ | Corriente de drenaxe continua, VGS @ 4.5V1 | 5.8 | A |
ID@Tc=70℃ | Corriente de drenaxe continua, VGS @ 4.5V1 | 3.8 | A |
IDM | Corrente de drenaxe pulsada 2 | 16 | A |
PD@TA=25℃ | Disipación total de potencia 3 | 2.1 | W |
TSTG | Rango de temperatura de almacenamento | -55 a 150 | ℃ |
TJ | Rango de temperatura da unión de funcionamento | -55 a 150 | ℃ |
Símbolo | Parámetro | Condicións | Min. | Típ. | Máx. | Unidade |
BVDSS | Tensión de avaría drenaxe-fonte | VGS=0V, ID=250uA | 20 | --- | --- | V |
△BVDSS/△TJ | Coeficiente de temperatura BVDSS | Referencia a 25℃, ID=1mA | --- | 0,022 | --- | V/℃ |
RDS(ON) | Drenaxe-Fonte Estática-Resistencia 2 | VGS=4,5V, ID=5,5A | --- | 24 | 28 | mΩ |
VGS=2,5V, ID=3,5A | --- | 30 | 45 | |||
VGS(th) | Tensión límite de porta | VGS=VDS, ID=250uA | 0,5 | 0,7 | 1.2 | V |
△VGS(th) | Coeficiente de temperatura VGS(th). | --- | -2,33 | --- | mV/℃ | |
IDSS | Corrente de fuga drenaxe-fonte | VDS=16V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
VDS=16V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | 5 | |||
IGSS | Corrente de fuga da fonte | VGS=±12V, VDS=0V | --- | --- | ± 100 | nA |
gfs | Transcondutividade directa | VDS=5V, ID=5A | --- | 25 | --- | S |
Rg | Resistencia de porta | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 1.5 | 3 | Ω |
Qg | Carga total da porta (4,5 V) | VDS=10V, VGS=4,5V, ID=5,5A | --- | 8.3 | 11.9 | nC |
Qgs | Cargo de porta-fonte | --- | 1.4 | 2.0 | ||
Qgd | Carga por drenaxe | --- | 2.2 | 3.2 | ||
Td (activado) | Tempo de atraso de activación | VDD=10V, VGEN=4,5V, RG=6Ω ID=5A, RL=10Ω | --- | 5.7 | 11.6 | ns |
Tr | Tempo de subida | --- | 34 | 63 | ||
Td (desactivado) | Tempo de atraso de apagado | --- | 22 | 46 | ||
Tf | Tempo de outono | --- | 9.0 | 18.4 | ||
Ciss | Capacidade de entrada | VDS=10V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 625 | 889 | pF |
Coss | Capacidade de saída | --- | 69 | 98 | ||
Crs | Capacidade de transferencia inversa | --- | 61 | 88 |