WST8205 MOSFET WINSOK de dobre canle N 20V 5.8A SOT-23-6L

produtos

WST8205 MOSFET WINSOK de dobre canle N 20V 5.8A SOT-23-6L

breve descrición:


  • Número de modelo:WST8205
  • BVDSS:20 V
  • RDSON:24 mΩ
  • ID:5.8A
  • Canle:Dobre canle N
  • Paquete:SOT-23-6L
  • Produto de verán:O MOSFET WST8205 funciona a 20 voltios, sostén 5,8 amperios de corrente e ten unha resistencia de 24 miliohmios. O MOSFET consiste nunha canle N dual e está empaquetado en SOT-23-6L.
  • Aplicacións:Electrónica para automóbiles, luces LED, audio, produtos dixitais, pequenos electrodomésticos, produtos electrónicos de consumo, placas protectoras.
  • Detalle do produto

    Aplicación

    Etiquetas de produtos

    Descrición xeral

    O WST8205 é un MOSFET N-Ch de trincheira de alto rendemento cunha densidade de células extremadamente alta, que proporciona unha excelente carga RDSON e de porta para a maioría das pequenas aplicacións de conmutación de enerxía e carga. O WST8205 cumpre os requisitos de RoHS e produtos ecolóxicos coa aprobación de fiabilidade funcional total.

    Características

    A nosa tecnoloxía avanzada incorpora características innovadoras que diferencian este dispositivo dos outros no mercado. Con trincheiras de alta densidade de células, esta tecnoloxía permite unha maior integración de compoñentes, o que leva a un rendemento e eficiencia mellorados. Unha vantaxe notable deste dispositivo é a súa carga de porta extremadamente baixa. Como resultado, require unha enerxía mínima para cambiar entre os seus estados de acendido e apagado, o que resulta nun consumo de enerxía reducido e unha eficiencia xeral mellorada. Esta característica de baixa carga de porta faino unha opción ideal para aplicacións que esixen conmutación de alta velocidade e control preciso. Ademais, o noso dispositivo destaca na redución dos efectos Cdv/dt. Cdv/dt, ou a taxa de cambio da tensión de drenaxe a fonte ao longo do tempo, pode causar efectos indesexables, como picos de tensión e interferencias electromagnéticas. Ao minimizar eficazmente estes efectos, o noso dispositivo garante un funcionamento fiable e estable, mesmo en ambientes esixentes e dinámicos. Ademais da súa destreza técnica, este dispositivo tamén é respectuoso co medio ambiente. Está deseñado pensando na sustentabilidade, tendo en conta factores como a eficiencia energética e a lonxevidade. Ao funcionar coa máxima eficiencia enerxética, este dispositivo minimiza a súa pegada de carbono e contribúe a un futuro máis ecolóxico. En resumo, o noso dispositivo combina tecnoloxía avanzada con fosas de alta densidade de células, carga de porta extremadamente baixa e excelente redución dos efectos Cdv/dt. Co seu deseño ecolóxico, non só ofrece un rendemento e unha eficiencia superiores, senón que tamén se aliña coa crecente necesidade de solucións sostibles no mundo actual.

    Aplicacións

    Sincrónico de punto de carga de alta frecuencia Pequena conmutación de enerxía para redes MB/NB/UMPC/VGA Sistema de alimentación DC-DC, electrónica automotriz, luces LED, audio, produtos dixitais, pequenos electrodomésticos, produtos electrónicos de consumo, placas protectoras.

    número de material correspondente

    AOS AO6804A,NXP PMDT290UNE,PANJIT PJS6816,Sinopower SM2630DSC,dintek DTS5440,DTS8205,DTS5440,DTS8205,RU8205C6.

    Parámetros importantes

    Símbolo Parámetro Valoración Unidades
    VDS Tensión drenaxe-fonte 20 V
    VGS Tensión porta-fonte ± 12 V
    ID@Tc=25℃ Corriente de drenaxe continua, VGS @ 4.5V1 5.8 A
    ID@Tc=70℃ Corriente de drenaxe continua, VGS @ 4.5V1 3.8 A
    IDM Corrente de drenaxe pulsada 2 16 A
    PD@TA=25℃ Disipación total de potencia 3 2.1 W
    TSTG Rango de temperatura de almacenamento -55 a 150
    TJ Rango de temperatura da unión de funcionamento -55 a 150
    Símbolo Parámetro Condicións Min. Típ. Máx. Unidade
    BVDSS Tensión de avaría drenaxe-fonte VGS=0V, ID=250uA 20 --- --- V
    △BVDSS/△TJ Coeficiente de temperatura BVDSS Referencia a 25℃, ID=1mA --- 0,022 --- V/℃
    RDS(ON) Drenaxe-Fonte Estática-Resistencia 2 VGS=4,5V, ID=5,5A --- 24 28
           
        VGS=2,5V, ID=3,5A --- 30 45  
    VGS(th) Tensión límite de porta VGS=VDS, ID=250uA 0,5 0,7 1.2 V
               
    △VGS(th) Coeficiente de temperatura VGS(th).   --- -2,33 --- mV/℃
    IDSS Corrente de fuga drenaxe-fonte VDS=16V, VGS=0V, TJ=25℃ --- --- 1 uA
           
        VDS=16V, VGS=0V, TJ=55℃ --- --- 5  
    IGSS Corrente de fuga da fonte VGS=±12V, VDS=0V --- --- ± 100 nA
    gfs Transcondutividade directa VDS=5V, ID=5A --- 25 --- S
    Rg Resistencia de porta VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz --- 1.5 3 Ω
    Qg Carga total da porta (4,5 V) VDS=10V, VGS=4,5V, ID=5,5A --- 8.3 11.9 nC
    Qgs Cargo de porta-fonte --- 1.4 2.0
    Qgd Carga por drenaxe --- 2.2 3.2
    Td (activado) Tempo de atraso de activación VDD=10V, VGEN=4,5V, RG=6Ω

    ID=5A, RL=10Ω

    --- 5.7 11.6 ns
    Tr Tempo de subida --- 34 63
    Td (desactivado) Tempo de atraso de apagado --- 22 46
    Tf Tempo de outono --- 9.0 18.4
    Ciss Capacidade de entrada VDS=10V, VGS=0V, f=1MHz --- 625 889 pF
    Coss Capacidade de saída --- 69 98
    Crs Capacidade de transferencia inversa --- 61 88

  • Anterior:
  • Seguinte:

  • Escribe aquí a túa mensaxe e envíanolo