-
Olukey: Falemos do papel do MOSFET na arquitectura básica de carga rápida
A estrutura básica da fonte de alimentación de QC de carga rápida usa flyback + lado secundario (secundario) rectificación síncrona SSR. Para os conversores flyback, segundo o método de mostraxe de retroalimentación, pódese dividir en: lado primario (primario...Ler máis -
Canto sabes sobre os parámetros MOSFET? OLUKEY analízao por ti
"MOSFET" é a abreviatura de Metal Oxide Semicoductor Field Effect Transistor. É un dispositivo feito de tres materiais: metal, óxido (SiO2 ou SiN) e semicondutor. MOSFET é un dos dispositivos máis básicos no campo dos semicondutores. ...Ler máis -
Como elixir MOSFET?
Recentemente, cando moitos clientes veñen a Olukey para consultar sobre MOSFET, farán unha pregunta, como elixir un MOSFET adecuado? Respecto a esta pregunta, Olukey responderaa para todos. En primeiro lugar, necesitamos entender o príncipe...Ler máis -
Principio de funcionamento do modo de mellora da canle N MOSFET
(1) O efecto de control de vGS na ID e na canle ① Caso de vGS=0 Pódese ver que hai dúas unións PN entre o dreno d e a fonte s do MOSFET en modo de mellora. Cando a tensión da fonte-porta vGS=0, aínda que o...Ler máis -
A relación entre os envases MOSFET e os parámetros, como elixir os FET con embalaxes axeitados
①Embalaxe enchufable: TO-3P, TO-247, TO-220, TO-220F, TO-251, TO-92; ②Tipo de montaxe en superficie: TO-263, TO-252, SOP-8, SOT-23, DFN5*6, DFN3*3; Diferentes formas de envasado, o correspondente límite de corrente, tensión e efecto de disipación de calor de MO...Ler máis -
Que significan os tres pinos G, S e D do MOSFET empaquetado?
Este é un sensor infravermello piroeléctrico MOSFET empaquetado. O marco rectangular é a xanela de detección. O pin G é o terminal de terra, o pin D é o drenaxe interno do MOSFET e o pin S é a fonte interna do MOSFET. No circuíto,...Ler máis -
A importancia do MOSFET de potencia no desenvolvemento e deseño da placa base
Primeiro de todo, a disposición do socket da CPU é moi importante. Debe haber espazo suficiente para instalar o ventilador da CPU. Se está demasiado preto do bordo da placa base, será difícil instalar o radiador da CPU nalgúns casos nos que o...Ler máis -
Fala brevemente sobre o método de produción dun dispositivo de disipación de calor MOSFET de alta potencia
Plan específico: un dispositivo de disipación de calor MOSFET de alta potencia, incluíndo unha carcasa de estrutura oca e unha placa de circuíto. A placa de circuíto está disposta na carcasa. Un número de MOSFET lado a lado están conectados a ambos os extremos do circuíto...Ler máis -
Paquete FET DFN2X2 de un único canal P 20V-40V modelo arranxo_WINSOK MOSFET
O paquete WINSOK MOSFET DFN2X2-6L, FET de canle P único, os modelos de voltaxe 20V-40V resúmense do seguinte xeito: 1. Modelo: WSD8823DN22 canle P único -20V -3.4A, resistencia interna 60mΩ Modelos correspondentes: AOS:AON2403 ON Semiconductor: FDM ...Ler máis -
Explicación detallada do principio de funcionamento do MOSFET de alta potencia
Os MOSFET de alta potencia (transistores de efecto de campo de semicondutores de óxido metálico) xogan un papel importante na enxeñería electrónica moderna. Este dispositivo converteuse nun compoñente indispensable na electrónica de potencia e nas aplicacións de alta potencia debido a i...Ler máis -
Comprender o principio de funcionamento do MOSFET e aplicar os compoñentes electrónicos de forma máis eficiente
Comprender os principios operativos dos MOSFET (transistores de efecto de campo de óxido metálico-semicondutor) é fundamental para utilizar eficazmente estes compoñentes electrónicos de alta eficiencia. Os MOSFET son elementos indispensables na electrónica...Ler máis -
Comprenda MOSFET nun artigo
Os dispositivos semicondutores de potencia son amplamente utilizados na industria, o consumo, o militar e outros campos e teñen unha posición estratéxica elevada. Vexamos a imaxe xeral dos dispositivos de potencia a partir dunha imaxe: ...Ler máis
