Características dos MOSFET mellorados

PoderMOSFET O "MOSFET" é un transistor de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico en inglés. Het wordt gebruikt for vermogen eindtrap apparaat, of sleutel door het metaal material, SiO2 of SiN in halfgeleidermaterialen gemaakt van drie grondstoffen. Om het duidelijk te zeggen, macht MOSFET betekent dat het een grote werkende stroom can output, en ze zijn ingedeeld in vele manieren, waarin in the function of verliesniveau can worden oververdeeld in verbeterde type in the licht depletie type, volgens word in the channel over. tipo N-kanaal en tipo P-kanaal.

Power MOSFET's worden over het algemeen gebruikt for schakelende voedingscircuits. Over het algemeen kiezenFabricación MOSFET de parámetro RDS(ON) om de aan-uitkarakteristieke impedantie te definiëren; RDS(ON) é ook een kritieke apparaatkarakteristiek para ORing FET-toepassingen. A guía de información de datos defínese RDS(ON) en relación con todas as camas de gate, VGS, e as portas de vermogensschakelaar vloeit, o RDS(ON) é un parámetro estadístico relacionado para a unidade de porta.

Als un MOSFET-fabrikant een schakelende voeding wil ontwikkelen met minimale ontwerpspecificaties en kosten, is a lage uitschakelkarakteristieke impedantie een must. Bij het ontwerp van een voeding moet elke schakelende voeding vaak meerdere ORingMOSFET parallel laten werken en moeten meerdere apparaten worden gebruikt om de stroom naar de belasting te leiden. Ademais, os usuarios máis importantes de MOSFET en serie son de RDS(ON) redefinidos e redefinidos.

Naast RDS(ON), no proceso de selección de MOSFET, cómpre buscar uns parámetros MOSFET distintos. Ao mesmo tempo, os usuarios poden letten a SOA-grafiek in Data Information Guide, correlación entre os drainstroom e drain-bron bedrijfsspanning beschrijft. Para a definición de SOA de voedingsspanning en stroom waarbij de MOSFET velig kan werken.

Para os tipos de condicións de carga anteriores, despois de estimar (ou medir) a maior tensión de funcionamento e deixar unha marxe do 20% ao 30%, pode especificar o valor VDS de corrente nominal necesaria do MOSFET. Aquí hai que dicir que, a fin de mellorar o custo máis forte e as características máis suaves, pode escoller os díodos e indutores actuais da serie de corrente alterna no peche da composición do bucle de control de corrente, liberar a enerxía cinética de corrente indutiva para manter o MOSFET. corrente nominal é clara, a corrente pódese deducir. Pero aquí hai que ter en conta dous parámetros: un é o valor da corrente en funcionamento continuo e o valor máis alto do pico de corrente de pulso único (Spike e Surge), estes dous parámetros para decidir canto debe escoller o valor nominal do valor actual.