Directrices para a selección de paquetes MOSFET

En segundo lugar, o tamaño das limitacións do sistema

Algúns sistemas electrónicos están limitados polo tamaño da PCB e polo interno altura, scomo sistemas de comunicación, fonte de alimentación modular debido ás limitacións de altura adoitan usar o paquete DFN5 * 6, DFN3 * 3; nalgunha fonte de alimentación ACDC, o uso de deseño ultrafino ou debido ás limitacións da carcasa, a montaxe do paquete TO220 dos pés MOSFET de potencia inseridos directamente na raíz das limitacións de altura non pode usar o paquete TO247. Algúns deseños ultrafinos dobrando directamente os pinos do dispositivo planos, este proceso de produción de deseño farase complexo.

En terceiro lugar, o proceso de produción da empresa

TO220 ten dous tipos de paquetes: paquete de metal nu e paquete de plástico completo, a resistencia térmica do paquete de metal espido é pequena, a capacidade de disipación de calor é forte, pero no proceso de produción, cómpre engadir unha caída de illamento, o proceso de produción é complexo e custoso. mentres que a resistencia térmica do paquete de plástico completo é grande, a capacidade de disipación da calor é débil, pero o proceso de produción é sinxelo.

Co fin de reducir o proceso artificial de bloqueo de parafusos, nos últimos anos, algúns sistemas electrónicos que usan clips para alimentarMOSFET fixado no disipador de calor, para que a aparición da tradicional TO220 parte da parte superior da eliminación de buratos na nova forma de encapsulamento, pero tamén para reducir a altura do dispositivo.

En cuarto lugar, o control de custos

Nalgunhas aplicacións moi sensibles aos custos, como placas base e placas de escritorio, adoitan usarse os MOSFET de potencia en paquetes DPAK debido ao baixo custo destes paquetes. Polo tanto, ao elixir un paquete MOSFET de potencia, combinado co estilo da súa empresa e as características do produto, e considere os factores anteriores.

En quinto lugar, seleccione a tensión de resistencia BVDSS na maioría dos casos, porque o deseño da entrada voltage da electrónica sistema é relativamente fixo, a empresa seleccionou un provedor específico dalgún número de material, a tensión nominal do produto tamén é fixa.

A tensión de ruptura BVDSS dos MOSFET de potencia na folla de datos ten condicións de proba definidas, con diferentes valores en diferentes condicións, e BVDSS ten un coeficiente de temperatura positivo, na aplicación real da combinación destes factores debe considerarse de forma integral.

Moita información e literatura mencionadas a miúdo: se o sistema de potencia MOSFET VDS da maior tensión de pico é maior que o BVDSS, aínda que a duración da tensión de pulso de pico de só uns poucos ou decenas de ns, o MOSFET de potencia entrará na avalancha. e así se producen danos.

A diferenza dos transistores e IGBT, os MOSFET de potencia teñen a capacidade de resistir a avalancha, e moitas grandes empresas de semicondutores potencian a enerxía de avalancha de MOSFET na liña de produción é a inspección completa, a detección do 100%, é dicir, nos datos esta é unha medida garantida, a tensión de avalancha. xeralmente ocorre en 1,2 ~ 1,3 veces o BVDSS, e a duración do tempo adoita ser de μs, mesmo nivel de ms, entón o duración de só uns poucos ou decenas de ns, moito menor que a tensión de impulso de avalancha pico de tensión non é dano ao MOSFET de potencia.

Seis, pola selección da tensión de accionamento VTH

A tensión de unidade seleccionada por diferentes sistemas electrónicos de MOSFET de potencia non é a mesma, a fonte de alimentación AC / DC adoita utilizar unha tensión de unidade de 12 V, o conversor DC / DC da tarxeta nai do portátil utiliza unha tensión de unidade de 5 V, polo que segundo a tensión de unidade do sistema para seleccionar unha tensión de limiar diferente MOSFET de potencia VTH.

A tensión de limiar VTH dos MOSFET de potencia na folla de datos tamén ten condicións de proba definidas e ten diferentes valores en diferentes condicións, e VTH ten un coeficiente de temperatura negativo. As diferentes tensións de accionamento VGS corresponden a diferentes resistencias de conexión, e en aplicacións prácticas é importante ter en conta a temperatura

Nas aplicacións prácticas, débense ter en conta as variacións de temperatura para garantir que o MOSFET de potencia estea completamente acendido, ao mesmo tempo que se garante que os pulsos de pico acoplados ao polo G durante o proceso de apagado non se desencadeen mediante un falso disparo a producir un curtocircuíto directo ou directo.