Requisitos do circuíto do controlador MOSFET

Cos controladores MOS actuais, hai varios requisitos extraordinarios:

1. Aplicación de baixa tensión

Cando a aplicación de conmutación de 5Vfonte de alimentación, Neste momento, se o uso da estrutura tradicional tótem, porque o tríodo será só 0,7 V arriba e abaixo perda, o que resulta nunha porta de carga final específica sobre a tensión é só 4,3 V, neste momento, o uso de tensión de porta permitida de 4,5 VMOSFET hai certo grao de risco.A mesma situación tamén ocorre na aplicación de 3V ou outra fonte de alimentación conmutada de baixa tensión.

Requisitos do circuíto do controlador MOSFET

2.Amplia aplicación de tensión

A tensión de codificación non ten un valor numérico, varía de cando en vez ou por outros factores. Esta variación fai que a tensión de accionamento dada ao MOSFET polo circuíto PWM sexa inestable.

Para asegurar mellor o MOSFET a altas tensións de porta, moitos MOSFET teñen reguladores de voltaxe incorporados para forzar un límite na magnitude da tensión de porta. Neste caso, cando a tensión da unidade supera a tensión do regulador, prodúcese unha gran perda de función estática.

Ao mesmo tempo, se se usa o principio básico do divisor de voltaxe da resistencia para reducir a tensión da porta, ocorrerá que se a tensión da chave é maior, o MOSFET funciona ben, e se a tensión da chave se reduce, a tensión da porta non é. suficiente, resultando en aceso e apagado insuficientes, o que mellorará a perda funcional.

Circuíto de protección contra sobrecorriente MOSFET para evitar accidentes de quemado da fonte de alimentación (1)

3. Aplicacións de dobre tensión

Nalgúns circuítos de control, a parte lóxica do circuíto aplica a tensión de datos típica de 5 V ou 3,3 V, mentres que a parte de potencia de saída aplica 12 V ou máis e as dúas tensións están conectadas a un terreo común.

Isto deixa claro que se debe utilizar un circuíto de fonte de alimentación para que o lado de baixa tensión poida manipular razoablemente o MOSFET de alta tensión, mentres que o MOSFET de alta tensión poderá facer fronte ás mesmas dificultades mencionadas en 1 e 2.

Nestes tres casos, a construción do tótem non pode satisfacer os requisitos de saída, e moitos circuitos integrados de controladores MOS existentes non parecen incluír unha construción que limite a tensión de porta.