Selección MOSFET | Principios de construción de MOSFET de canle N

Selección MOSFET | Principios de construción de MOSFET de canle N

Tempo de publicación: 26-maio-2024

Estrutura semiconductora de óxido metálico do transistor de cristal comúnmente coñecido comoMOSFET, onde os MOSFET se dividen en MOSFET tipo P e MOSFET tipo N. Os circuítos integrados compostos por MOSFET tamén se denominan circuítos integrados MOSFET, e os circuítos integrados MOSFET moi relacionados compostos por PMOSFET eNMOSFET chámanse circuítos integrados CMOSFET.

Diagrama de circuíto MOSFET de canle N 1

Un MOSFET que consiste nun substrato de tipo p e dúas áreas de dispersión n con altos valores de concentración chámase canle n.MOSFET, e a canle condutora causada por unha canle condutora de tipo n é causada polos camiños de propagación n nos dous camiños de propagación n con altos valores de concentración cando o tubo conduce. Os MOSFET engrosados ​​de canle n teñen a canle n causada por unha canle condutora cando unha polarización direccional positiva se eleva o máximo posible na porta e só cando a operación da fonte da porta require unha tensión de funcionamento superior á tensión de limiar. Os MOSFET de esgotamento de canle n son aqueles que non están preparados para a tensión da porta (o funcionamento da fonte da porta require unha tensión de funcionamento de cero). Un MOSFET de esgotamento da luz de canle n é un MOSFET de canle n no que a canle condutora prodúcese cando non se prepara a tensión da porta (a tensión de funcionamento da fonte de porta esixencia é cero).

      Os circuítos integrados NMOSFET son circuítos de fonte de alimentación MOSFET de canle N, circuítos integrados NMOSFET, a resistencia de entrada é moi alta, a gran maioría non ten que dixerir a absorción do fluxo de enerxía e, polo tanto, os circuítos integrados CMOSFET e NMOSFET conectados sen ter que tomar conta a carga de fluxo de enerxía. Circuítos integrados NMOSFET, a gran maioría da selección dun circuíto de alimentación de conmutación positiva dun só grupo circuítos de alimentación O A maioría dos circuítos integrados NMOSFET usan un único circuíto de fonte de alimentación de conmutación positiva e 9 V para máis. Os circuítos integrados CMOSFET só precisan utilizar o mesmo circuíto de alimentación de conmutación que os circuítos integrados NMOSFET, podendo conectarse con circuítos integrados NMOSFET inmediatamente. Non obstante, de NMOSFET a CMOSFET conectado inmediatamente, porque a resistencia de pull-up de saída de NMOSFET é menor que a resistencia de pull-up con chave do circuíto integrado CMOSFET, así que intente aplicar unha resistencia de pull-up de diferenza de potencial R, o valor da resistencia R é xeralmente de 2 a 100 KΩ.

MOSFET WINSOK TO-263-2L

Construción de MOSFET engrosados ​​de canle N
Nun substrato de silicio de tipo P cun baixo valor de concentración de dopaxe, fanse dúas rexións N cun alto valor de concentración de dopaxe e extraen dous electrodos de metal de aluminio para que sirvan de drenaxe d e fonte s, respectivamente.

A continuación, na superficie do compoñente semicondutor enmascarando unha capa moi fina de tubo illante de sílice, no tubo illante de drenaxe - fonte entre o drenaxe e fonte doutro electrodo de aluminio, como a porta g.

No substrato tamén sae un electrodo B, que consiste nun MOSFET de canle N de espesor. A fonte e o substrato MOSFET están xeralmente conectados entre si, a gran maioría dos tubos da fábrica están conectados a el durante moito tempo, a súa porta e outros electrodos están illados entre a carcasa.