I. Definición de MOSFET
Como dispositivos accionados por voltaxe e de alta corrente, MOSFET teñen un gran número de aplicacións en circuítos, especialmente sistemas de potencia. Os díodos de corpo MOSFET, tamén coñecidos como díodos parasitarios, non se atopan na litografía de circuítos integrados, senón que se atopan en dispositivos MOSFET separados, que proporcionan protección inversa e continuidade de corrente cando son impulsados por correntes elevadas e cando hai cargas indutivas.
Debido á presenza deste díodo, o dispositivo MOSFET non se pode ver simplemente cambiando nun circuíto, xa que nun circuíto de carga no que a carga está rematada, a enerxía é eliminada e a batería inverte cara a fóra, o que adoita ser un resultado non desexado.
A solución xeral é engadir un díodo na parte traseira para evitar a subministración de enerxía inversa, pero as características do díodo determinan a necesidade dunha caída de tensión directa de 0,6 ~ 1 V, o que resulta nunha grave xeración de calor a altas correntes ao tempo que provoca un desperdicio. de enerxía e reducindo a eficiencia enerxética global. Outro método é engadir un MOSFET back-to-back, utilizando a baixa resistencia do MOSFET para acadar a eficiencia enerxética.
Nótese que despois da condución, o MOSFET é non direccional, polo que despois da condución presurizada, é equivalente a cun fío, só resistivo, sen caída de tensión no estado, normalmente saturado na resistencia durante uns miliohmios paramiliohmios oportunos, e non direccional, permitindo o paso de enerxía de CC e CA.
II. Características dos MOSFET
1, MOSFET é un dispositivo controlado por voltaxe, non é necesaria ningunha etapa de propulsión para impulsar correntes elevadas;
2 、 alta resistencia de entrada;
3, amplo rango de frecuencia de operación, alta velocidade de conmutación, baixa perda
4, AC cómodo de alta impedancia, baixo ruído.
5,Uso múltiple en paralelo, aumenta a corrente de saída
En segundo lugar, o uso de MOSFET no proceso de precaucións
1, para garantir o uso seguro de MOSFET, no deseño da liña, non debe exceder a disipación de enerxía da canalización, a tensión máxima da fonte de fuga, a tensión da fonte de porta e a corrente e outros valores límite de parámetros.
2, varios tipos de MOSFET en uso, debenestar estrictamente dentro de acordo co acceso pola polarización requirido ao circuíto, para cumprir coa polaridade do offset MOSFET.
3. Ao instalar o MOSFET, preste atención á posición de instalación para evitar preto do elemento de calefacción. Para evitar a vibración dos accesorios, a carcasa debe ser apertada; dobrar os cables do pino debe realizarse a un tamaño superior ao tamaño da raíz de 5 mm para evitar que o pino se dobra e se filtre.
4, debido á impedancia de entrada extremadamente alta, os MOSFET deben cortarse fóra do pin durante o transporte e o almacenamento e empaquetados con blindaxe metálica para evitar a posible avaría externa inducida da porta.
5. A tensión de porta dos MOSFET de unión non se pode inverter e pódese almacenar nun estado de circuíto aberto, pero a resistencia de entrada dos MOSFET de porta illada é moi alta cando non están en uso, polo que cada electrodo debe ser curtocircuitado. Ao soldar MOSFET de porta illada, siga a orde da porta de drenaxe da fonte e solde sen alimentación.
Para garantir o uso seguro dos MOSFET, cómpre comprender completamente as características dos MOSFET e as precaucións que se deben tomar no uso do proceso, espero que o resumo anterior che axude.
Hora de publicación: 15-maio-2024
