MOSFET (Transistor de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico) ten tres polos que son:
Porta:G, a porta dun MOSFET é equivalente á base dun transistor bipolar e úsase para controlar a condución e o corte do MOSFET. Nos MOSFET, a tensión de porta (Vgs) determina se se forma unha canle condutora entre a fonte e o drenaxe, así como o ancho e a condutividade da canle condutora. A porta está feita de materiais como metal, polisilicio, etc., e está rodeada por unha capa illante (normalmente dióxido de silicio) para evitar que a corrente entre ou saia directamente da porta.
Fonte:S, a fonte dun MOSFET é equivalente ao emisor dun transistor bipolar e é onde flúe a corrente. Nos MOSFET de canle N, a fonte adoita conectarse ao terminal negativo (ou terra) da fonte de alimentación, mentres que nos MOSFET de canle P, a fonte está conectada ao terminal positivo da fonte de alimentación. A fonte é unha das partes clave que forman a canle condutora, que envía electróns (canle N) ou buratos (canle P) ao drenaxe cando a tensión da porta é o suficientemente alta.
Drenaxe:D, o drenaxe dun MOSFET é equivalente ao colector dun transistor bipolar e é onde circula a corrente. O drenaxe adoita estar conectado á carga e actúa como saída de corrente no circuíto. Nun MOSFET, o drenaxe é o outro extremo da canle condutora, e cando a tensión da porta controla a formación dunha canle condutora entre a fonte e o drenaxe, a corrente pode fluír desde a fonte a través da canle condutora ata o drenaxe.
En poucas palabras, a porta dun MOSFET utilízase para controlar o acendido e o apagado, a fonte é onde sae a corrente e o drenaxe é onde entra a corrente. Xuntos, estes tres polos determinan o estado de funcionamento e o rendemento do MOSFET. .
Hora de publicación: 26-09-2024
