Os MOSFET (Transistor de efecto de campo de óxido metálico-semicondutor) adoitan considerarse dispositivos totalmente controlados. Isto débese a que o estado de funcionamento (encendido ou apagado) do MOSFET está completamente controlado pola tensión de porta (Vgs) e non depende da corrente base como no caso dun transistor bipolar (BJT).
Nun MOSFET, a tensión de porta Vgs determina se se forma unha canle condutora entre a fonte e o drenaxe, así como o ancho e a condutividade da canle condutora. Cando Vgs supera a tensión de limiar Vt, fórmase a canle condutora e o MOSFET entra no estado encendido; cando Vgs cae por debaixo de Vt, a canle condutora desaparece e o MOSFET está no estado de corte. Este control está totalmente controlado porque a tensión da porta pode controlar de forma independente e precisa o estado de funcionamento do MOSFET sen depender doutros parámetros de corrente ou tensión.
Pola contra, o estado de funcionamento dos dispositivos semicontrolados (por exemplo, tiristores) non só se ve afectado pola tensión ou corrente de control, senón tamén por outros factores (por exemplo, a tensión do ánodo, a corrente, etc.). Como resultado, os dispositivos totalmente controlados (por exemplo, os MOSFET) adoitan ofrecer un mellor rendemento en termos de precisión e flexibilidade de control.
En resumo, os MOSFET son dispositivos totalmente controlados cuxo estado de funcionamento está completamente controlado pola tensión da porta e teñen as vantaxes dunha alta precisión, alta flexibilidade e baixo consumo de enerxía.
Hora de publicación: 20-09-2024
