O circuíto anti-reverso MOSFET é unha medida de protección que se usa para evitar que o circuíto de carga sexa danado pola polaridade inversa de enerxía. Cando a polaridade da fonte de alimentación é correcta, o circuíto funciona normalmente; cando a polaridade da fonte de alimentación é invertida, o circuíto desconectase automaticamente, protexendo así a carga de danos. A seguinte é unha análise detallada do circuíto anti-reverso MOSFET:
En primeiro lugar, o principio básico do circuíto anti-reverso MOSFET
Circuíto anti-reverso MOSFET usando as características de conmutación do MOSFET, controlando a tensión da porta (G) para realizar o circuíto aceso e apagado. Cando a polaridade da fonte de alimentación é correcta, a tensión da porta fai que o MOSFET estea en estado de condución, a corrente pode fluír normalmente; cando a polaridade da fonte de alimentación é invertida, a tensión da porta non pode facer a condución MOSFET, cortando así o circuíto.
En segundo lugar, a realización específica do circuíto anti-reverso MOSFET
1. Circuito anti-reverso MOSFET de canle N
Os MOSFET de canle N adoitan usarse para realizar circuítos anti-reversa. No circuíto, a fonte (S) do MOSFET de canle N está conectada ao terminal negativo da carga, o drenaxe (D) está conectado ao terminal positivo da fonte de alimentación e a porta (G) está conectada a o terminal negativo da fonte de alimentación a través dunha resistencia ou controlado por un circuíto de control.
Conexión directa: o terminal positivo da fonte de alimentación está conectado a D e o terminal negativo está conectado a S. Neste momento, a resistencia proporciona a tensión da fonte de porta (VGS) para o MOSFET, e cando VGS é maior que o limiar tensión (Vth) do MOSFET, o MOSFET conduce e a corrente flúe dende o terminal positivo da fonte de alimentación ata a carga a través do MOSFET.
Cando se invierte: o terminal positivo da fonte de alimentación está conectado a S e o terminal negativo está conectado a D. Neste momento, o MOSFET está nun estado de corte e o circuíto está desconectado para protexer a carga de danos debido á tensión da porta. non é capaz de formar un VGS suficiente para facer a conduta MOSFET (VGS pode ser inferior a 0 ou moito menor que Vth).
2. Papel dos compoñentes auxiliares
Resistencia: úsase para proporcionar tensión de fonte de porta para MOSFET e limitar a corrente de porta para evitar danos por sobreintensidade da porta.
Regulador de voltaxe: un compoñente opcional usado para evitar que a tensión da fonte da porta sexa demasiado alta e rompa o MOSFET.
Diodo parasitario: existe un diodo parasitario (diodo corporal) dentro do MOSFET, pero o seu efecto adoita ser ignorado ou evitado polo deseño do circuíto para evitar o seu efecto prexudicial en circuítos anti-reverso.
En terceiro lugar, as vantaxes do circuíto anti-reverso MOSFET
Baixa perda: a resistencia do MOSFET é pequena, a tensión de resistencia redúcese, polo que a perda do circuíto é pequena.
Alta fiabilidade: a función anti-reversa pódese realizar mediante un deseño de circuíto sinxelo e o propio MOSFET ten un alto grao de fiabilidade.
Flexibilidade: pódense seleccionar diferentes modelos MOSFET e deseños de circuítos para satisfacer diferentes requisitos de aplicación.
Precaucións
No deseño do circuíto anti-reverso MOSFET, ten que asegurarse de que a selección de MOSFET para cumprir os requisitos da aplicación, incluíndo tensión, corrente, velocidade de conmutación e outros parámetros.
É necesario ter en conta a influencia doutros compoñentes do circuíto, como a capacidade parasitaria, a inductancia parasitaria, etc., para evitar efectos adversos sobre o rendemento do circuíto.
Nas aplicacións prácticas, tamén se requiren probas e verificacións adecuadas para garantir a estabilidade e fiabilidade do circuíto.
En resumo, o circuíto anti-reverso MOSFET é un esquema de protección de fonte de alimentación sinxelo, fiable e de baixa perda que se usa amplamente nunha variedade de aplicacións que requiren a prevención da polaridade inversa de enerxía.
Hora de publicación: 13-09-2024
