Como un dos dispositivos máis básicos no campo dos semicondutores, os MOSFET son amplamente utilizados tanto no deseño de IC como en circuítos a nivel de placa. Na actualidade, especialmente no campo dos semicondutores de alta potencia, unha variedade de diferentes estruturas de MOSFET tamén xogan un papel insubstituíble. ParaMOSFET, cuxa estrutura se pode dicir que é un conxunto de simples e complexos nun, simple é sinxelo na súa estrutura, complexo baséase na aplicación da súa consideración en profundidade. No día a día,MOSFET a calor tamén se considera unha situación moi común, a clave que necesitamos saber as razóns de onde, e que métodos se poden resolver? A continuación, xuntámonos para entender.
I. Causas deMOSFET calefacción
1, o problema do deseño de circuítos. Trátase de deixar que o MOSFET funcione no estado en liña, non no estado de conmutación. Esta é unha das razóns polas que o MOSFET se quente. Se o N-MOS fai a conmutación, a tensión de nivel G ten que ser uns V máis alta que a fonte de alimentación para estar completamente acendida, e o contrario é certo para o P-MOS. Non está totalmente aberto e a caída de tensión é demasiado grande, o que provoca un consumo de enerxía, a impedancia de CC equivalente é relativamente grande, a caída de tensión aumenta, polo que U * I tamén aumenta, a perda significa calor.
2, a frecuencia é demasiado alta. Principalmente ás veces demasiado para o volume, o que provoca un aumento da frecuencia, as perdas de MOSFET aumentan, o que tamén leva ao quecemento MOSFET.
3, a corrente é demasiado alta. Cando o ID é inferior á corrente máxima, tamén fará que o MOSFET se quente.
4, a elección do modelo MOSFET é incorrecta. A resistencia interna do MOSFET non está totalmente considerada, o que resulta nun aumento da impedancia de conmutación.二、
A solución para a forte xeración de calor do MOSFET
1, Fai un bo traballo no deseño do disipador de calor do MOSFET.
2, Engade suficientes disipadores de calor auxiliares.
3, pega o adhesivo do disipador de calor.
Hora de publicación: 19-maio-2024
