Os deseñadores de circuítos deben ter en conta unha pregunta á hora de escoller MOSFET: deberían escoller MOSFET de canle P ou MOSFET de canle N? Como fabricante, debes querer que os teus produtos compitan con outros comerciantes a prezos máis baixos e tamén debes facer comparacións repetidas. Entón, como elixir? OLUKEY, un fabricante de MOSFET con 20 anos de experiencia, quere compartir contigo.
Diferenza 1: características de condución
As características do MOS de canle N son que se activará cando Vgs sexa superior a un determinado valor. É axeitado para o seu uso cando a fonte está conectada a terra (unidade de gama baixa), sempre que a tensión da porta alcance 4V ou 10V. En canto ás características do MOS de canle P, acenderase cando Vgs sexa inferior a un determinado valor, o que é axeitado para situacións nas que a fonte está conectada a VCC (unidade de gama alta).
Diferenza 2:MOSFETperda de conmutación
Se é MOS de canle N ou MOS de canle P, hai unha resistencia activa despois de acendelo, polo que a corrente consumirá enerxía nesta resistencia. Esta parte da enerxía consumida denomínase perda de condución. Escoller un MOSFET cunha pequena resistencia de activación reducirá a perda de condución, e a resistencia de activación dos MOSFET actuais de baixa potencia é xeralmente ao redor de decenas de miliohmios, e tamén hai varios miliohmios. Ademais, cando MOS está activado e desactivado, non debe completarse ao instante. Hai un proceso decrecente, e a corrente que flúe tamén ten un proceso crecente.
Durante este período, a perda do MOSFET é o produto da tensión e da corrente, chamada perda de conmutación. Normalmente as perdas de conmutación son moito maiores que as perdas de condución, e canto maior sexa a frecuencia de conmutación, maiores serán as perdas. O produto da tensión e da corrente no momento da condución é moi grande, e a perda causada tamén é moi grande, polo que acurtar o tempo de conmutación reduce a perda durante cada condución; reducir a frecuencia de conmutación pode reducir o número de conmutadores por unidade de tempo.
Diferenza tres: uso de MOSFET
A mobilidade do burato do MOSFET de canle P é baixa, polo que cando o tamaño xeométrico do MOSFET e o valor absoluto da tensión de funcionamento son iguais, a transcondutividade do MOSFET de canle P é menor que a do MOSFET de canle N. Ademais, o valor absoluto da tensión de limiar do MOSFET de canle P é relativamente alto, o que require unha maior tensión de funcionamento. O MOS de canle P ten unha gran variación lóxica, un longo proceso de carga e descarga e unha pequena transcondutividade do dispositivo, polo que a súa velocidade de funcionamento é menor. Despois da aparición dos MOSFET de canle N, a maioría deles foron substituídos por MOSFET de canle N. Non obstante, debido a que o MOSFET de canle P ten un proceso sinxelo e é barato, algúns circuítos de control dixital a mediana e pequena escala aínda usan tecnoloxía de circuíto PMOS.
Está ben, iso é todo para compartir hoxe OLUKEY, un fabricante de MOSFET de embalaxe. Para máis información, podes atoparnos noOLUKEYsitio web oficial. OLUKEY centrouse no MOSFET durante 20 anos e ten a súa sede en Shenzhen, provincia de Guangdong, China. Principalmente implicados en transistores de efecto de campo de alta corrente, MOSFET de alta potencia, MOSFET de paquete grande, MOSFET de pequena tensión, MOSFET de pequeno paquete, MOSFET de pequena corrente, tubos de efecto de campo MOS, MOSFET empaquetados, MOS de potencia, paquetes MOSFET, MOSFET orixinais, MOSFET empaquetados, etc. O produto principal do axente é WINSOK.
Hora de publicación: 17-12-2023
